国家自然科学基金(60676052)
- 作品数：5 被引量：2H指数：1
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- 相关机构：四川大学重庆光电技术研究所北京大学更多>>
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- 影响磁性pn结自旋极化输运特性的因素
- 2010年
- 利用漂移扩散理论研究了磁性pn结中自旋的输运特性.探讨了外加电压、平衡自旋极化率、外加自旋注入和自旋寿命对磁性pn结电流密度和电阻的影响,讨论了磁性pn结自旋伏特效应与pn结宽度的关系.发现平衡自旋极化率使得不同自旋方向电子具有不同的势垒高度从而能有效调制电流;而外加自旋注入则为磁性pn结提供了非平衡自旋极化电子从而达到对电流的调制作用,同时发现自旋伏特电流随准中性p区宽度减小而增大.
- 何志刚程兴华龚敏蔡娟露石瑞英
- 超薄GaMnAs外延膜空穴浓度和应变弛豫研究
- 2011年
- 稀磁GaMnAs外延膜中的Mn含量会影响外延膜的空穴浓度和应变弛豫.Raman散射研究表明,Mn含量为3%的超薄GaMnAs样品的空穴浓度大于2%样品,4%样品的空穴浓度小于3%样品.应变弛豫理论和高分辨X射线衍射研究表明,Mn含量为2%和3%的超薄GaMnAs外延层分别处于准共格或低弛豫状态,Mn含量为4%的GaMnAs外延层的弛豫度明显大于3%样品的弛豫度.我们认为,准共格或低弛豫度状态对空穴浓度随Mn含量的变化趋势几乎没有影响,较大弛豫度的应变状态将导致样品外延层产生较多缺陷,影响能带结构和能级,引起空穴浓度异常减小.
- 苏平龚敏马瑶高博石瑞英陈昶史同飞曹先存孟祥豪罗代升
- 关键词：应变弛豫
- GaMnAs薄膜洛伦兹振子模型参数提取以及材料缺陷分析
- 2011年
- 利用改进的遗传算法从GaMnAs外延薄膜的远红外反射光谱中提取了GaMnAs薄膜的洛伦兹振子模型参数,发现GaAs掺入Mn后,ωTO向低频方向移动,ωLO基本保持不变,ε∞和εs均减小,γ有很大变化。并通过XRD以及近红外谱发现Mn的掺入会引入缺陷,这种缺陷会影响晶格质量,导致γ发生很大变化。
- 蔡娟露程兴华钟玉杰何志刚何志刚史同飞龚敏
- 关键词：GAMNAS遗传算法XRD红外光谱
- GaMnN材料红外光谱中洛伦兹振子模型的遗传算法研究被引量：1
- 2008年
- 利用红外反射光谱研究了蓝宝石衬底上用金属有机物化学气相淀积方法生长的稀磁半导体GaMnN材料的晶格振动特性.并成功地将改进的遗传算法应用于其红外反射光谱洛伦兹振子模型参数的提取.通过与GaN薄膜的洛伦兹振子模型参数的对比研究发现,GaN掺入Mn后,ωTO向高频方向移动,γ,ε∞和εs均增加,而ωLO基本保持不变.文中同时分析和讨论了Mn对晶格振动特性的影响及介电函数变化的机理.
- 程兴华唐龙谷陈志涛龚敏于彤军张国义石瑞英
- 关键词：遗传算法
- 稀磁半导体GaMnN材料的红外反射光谱研究
- ＜正＞在过去的几年里,利用载流子自旋属性的自旋电子器件的研究引起了人们的极大关注,这也推动了对适用于自旋电子器件的新型半导体材料的探索和研究。基于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的稀磁半导体（DMS） 材料被认为是极具发展潜力的材料...
- 程兴华陈志涛龚敏于彤军张国义石瑞英
- 文献传递
- 基于Cl_2基气体的InP/InGaAs干法刻蚀研究被引量：1
- 2009年
- 对于用Cl2/Ar和Cl2/CH4/H2感应耦合等离子体(ICP)刻蚀InP/InGaAs多层膜进行了研究。发现用Cl2/Ar刻蚀InP/InGaAs时InP侧壁内切,在InP和InGaAs界面存在侧壁不连续问题。而用Cl2/CH4/H2刻蚀时,两层侧壁是平整连续的,且刻蚀区表面的粗糙度也比较小。分析了两种气体组合的刻蚀机理,对上述实验现象给出了解释。
- 唐龙谷田坤黄晓峰蔡娟露陈维君龚敏石瑞英
- 关键词：INGAASINPICP
