公共文化服务平台

采用高分辨XRD对m面GaN位错特性的研究: 利用高分辨X射线衍射方法,分析了在LiAlO2（100）面上采用金属有机化学气相沉积生长的m面GaN薄膜的微观结构和位错。采用对称面扫描和非对称面扫描等方法研究了晶面倾转角、面内扭转角、横向和垂直关联长度等,由此得到螺位...; 宋黎红谢自力张荣刘斌李弋傅德颐张曾崔影超修向前韩平施毅郑有炓; 关键词：GAN 位错 X射线衍射; 文献传递

InN薄膜MOCVD生长初期成核研究与应力分析: ＜正＞本文系统研究了利用金属有机化学气相沉积生长非故意掺杂 InN 薄膜的初期成核与应力变化过程。InN 生长采用宝石衬底,控制 GaN 缓冲层上 InN 外延层生长时间,以得到处于不同生长阶段的样品。通过表面形貌与扫描...; 张曾张荣谢自力刘斌修向前江若琏韩平顾书林施毅郑有炓; 文献传递

MOCVD技术生长的InN薄膜结构和光学性质: 高质量的 InN 材料的带隙宽度在0．7 eV,对应光谱波长位于红外区,这就使Ⅲ族氮化物 (InN、GaN、AlN)及其合金的带隙宽度对应的光谱覆盖了从红外到紫外范围。因此,InN 及其含 In 组分的合金(InGaN,...; 谢自力张荣江若琏修向前刘斌赵红朱顺民韩平施毅顾书林郑有炓; 文献传递

Chemical mechanical polishing of freestanding GaN substrates被引量：2: 2009年; Chemical mechanical polishing (CMP) has been used to produce smooth and scratch-free surfaces for GaN. In the aqueous solution of KOH,GaN is subjected to etching. At the same time,all surface irregularities,including etch pyramids,roughness after mechanical polishing and so on will be removed by a polishing pad. The experiments had been performed under the condition of different abrasive particle sizes of the polishing pad. Also the polishing results for different polishing times are analyzed,and chemical mechanical polishing resulted in an average root mean square (RMS) surface roughness of 0.565 nm,as measured by atomic force microscopy.; 颜怀跃修向前刘战辉张荣华雪梅谢自力韩平施毅郑有炓; 关键词：GAN 表面处理外延层半导体技术

AlGaN基共振腔增强的p-i-n型紫外探测器被引量：1: 2007年; 设计了目标探测波长为320nm的AlGaN基共振腔增强的p-i-n型紫外光电探测器,共振腔由分别作为底镜和顶镜的AlN/Al0.3Ga0.7 N布拉格反射镜和空气/GaN界面组成,有源区p-GaN/i-GaN/n-Al0.38Ga0.62 N被置于腔内.该结构采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底和GaN模板上外延生长得到.光谱响应测试显示了正入射时该器件在波长313nm处出现响应的选择增强,零偏压下响应度为14mA/W.; 姬小利江若琏周建军刘斌谢自力韩平张荣郑有炓龚海梅; 关键词：紫外探测器 AIGAN 分布布拉格反射镜

MOCVD外延生长a面GaN薄膜及其面内各向异性研究: 使用MOCVD直接外延r面蓝宝石衬底得到非极性a面GaN薄膜。高分辨X射线衍射发现薄膜晶体结构的面内各向异性,利用倒易空间法获得[0001]和[100]方向横向关联长度分别为41.9、14.8 nm,解释了面内各向异性的...; 李弋谢自力刘斌傅德颐张荣郑有炓; 关键词：非极性金属有机物化学气相沉积; 文献传递

Optimized simulation for GaN growth in vertical HVPE reactor: The paper reports the setting up of a model of fluid dynamic for GaN HVPE system and the simulation. The depos...; Chuanzhen Zhaoliyuan YuChunxiao TangMing LiJianxin Zhang; 关键词：GAN HVPE

高分辨率X射线衍射研究InGaN/GaN多量子阱结构In组分及厚度: ＜正＞InGaN/GaN 多量子阱作为有源层对 LED,LD 等光电子器件的发光效率具有重要意义。作为表征其结构的 X 射线衍射技术具有对样品的非破坏性和快速获得结果的优点值得深入研究。本文应用高分辨 X 射线衍射技术（...; 李弋刘斌谢自力张荣修向前江若琏韩平顾书林施毅郑有炓; 文献传递

生长温度对AlGaInN的MOCVD生长的影响: ＜正＞利用有机物化学气相沉积外延（MOCVD）的方法在 c 面氮化镓（GaN）支撑层上外延生长铝镓铟氮（AlGaInN）四元合金。高分辨 x 射线衍射（HRXRD）分析表明随着生长温度提高 AlGaInN 的晶体质量提高...; 刘启佳张荣谢自力刘斌徐峰聂超郑有炓; 关键词：MOCVD HRXRD CL; 文献传递

琥珀色InGaN基多量子阱的制备及其性能表征: 通过MOCVD系统在c面蓝宝石衬底上生长了5个周期的琥珀色InGaN/GaN多量子阱。应用高分辨x射线衍射仪、原子力显微镜、PL谱研究了InGaN/GaN多量子阱样品的结构和光学特性。(002)面高精x射线衍射ω/2θ扫...; 李毅张荣谢自力刘斌苏辉傅德颐赵红华雪梅韩平施毅郑有炓; 关键词：金属有机化学气相沉积 INGAN/GAN 多量子阱琥珀色 X射线衍射; 文献传递

渝B2-20050021-1　渝公网安备 50019002500403号　违法和不良信息举报中心　互联网出版许可证　新出网证(渝)字10号

国家自然科学基金(60676057)