国家自然科学基金(61144002)
- 作品数：6 被引量：19H指数：3
- 相关作者：何青刘芳芳孙云张力周志强更多>>
- 相关机构：南开大学天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室更多>>
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- Cu元素对Cu(In,Ga)Se_2薄膜及太阳电池的影响被引量：3
- 2014年
- Cu元素成分对Cu(In,Ga)Se2(简称CIGS)薄膜材料的电学性质及其电池器件性能有很重要的影响.本文利用蒸发法制备了贫Cu和富Cu的CIGS吸收层(0.7
- 刘芳芳何青周志强孙云
- 关键词：激活能开路电压
- Cu(In,Ga)Se_2薄膜在共蒸发“三步法”中的相变过程被引量：4
- 2013年
- CIGS薄膜的结晶相是制备高质量薄膜的关键问题.本文采用共蒸发"三步法"工艺沉积Gu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜,通过X射线衍射仪(XRD)和X射线荧光光谱仪(XRF)、扫描电镜(SEM)结合的方法详细研究了"三步法"工艺的相变过程,并制备出转换效率超过15%的CIGS薄膜太阳电池.
- 刘芳芳张力何青
- 关键词：CIGS薄膜相变过程
- Ga源温度对共蒸发三步法制备Cu(In,Ga)Se_2太阳电池的影响被引量：3
- 2014年
- 利用共蒸发三步法制备了Cu（In,Ga）Se2（CIGS）薄膜,并通过调整制备工艺中的一、三步的金属镓（Ga）的温度,改变Ga含量的梯度分布,研究不同梯度分布对CIGS薄膜及电池性能的影响。从而优化了电池带隙梯度分布,使电池的开路电压Voc在提高的同时,最大程度的减小了Jsc的损失。优化后薄膜表面的结晶情况得到改善,电池的结界面和二极管特性也得到相应的提高。量子效率测试发现,优化后的CIGS太阳电池在较长波段中（520~1100nm）的光子吸收损失大大减小。
- 刘芳芳何青周志强孙云
- 关键词：CIGS薄膜太阳电池二极管特性
- Ga梯度分布对Cu(In，Ga)Se2薄膜及太阳电池的影响被引量：6
- 2014年
- 传统制备Cu(In,Ga)Se2(CIGS)手段之一是共蒸发三步法,工艺中通过Cu,In,Ga,Se 4种元素相互扩散、作用形成抛物线形的Ga梯度分布.本文通过调整Ga源温度制备了Ga梯度分布不同的CIGS薄膜及电池.利用多种测试方法,研究了Ga梯度分布不同对CIGS薄膜表面及背面结构性质及电性质的影响,计算分析了表面导带失调值及背面电场对电池性能的影响,从而获得了合适的Ga梯度分布,提高了电池光谱相应,获得了较好的电池性能参数.
- 刘芳芳孙云何青
- 共蒸发三步法制备CIGS薄膜的相变过程被引量：5
- 2012年
- 本文采用共蒸发三步法沉积Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜,其中关于Cu化合物的相转变过程是制约吸收层质量的关键。本文详细研究了三步法工艺中吸收层由贫Cu薄膜向富Cu薄膜转变的相变过程,通过X射线衍射仪(XRD)、X射线荧光光谱仪(XRF)及扫描电镜(SEM)结合的方法总结出三步法工艺的相变过程。
- 刘芳芳张力何青
- 关键词：CIGS薄膜相变过程
- 吸收层成份比例对CIGS太阳电池性能的影响被引量：1
- 2013年
- 本文利用传统的共蒸发三步法制备了CIGS薄膜及电池器件,通过X射线荧光光谱仪(XRF)、扫描电镜(SEM)、Hall测试仪、太阳光模拟器I-V曲线测试等方法,研究了Cu和Ga元素比例的不同对电池二极管特性及效率的影响,获得了Cu/(In+Ga)比值为0.89～0.93、Ga/(In+Ga)比值为0.29～0.33是制备高效电池的理想范围的结论,并分析了偏离理想成份范围的电池性能下降的原因。最后通过工艺优化,制备出理想成份范围内的高质量CIGS薄膜,获得了15.27%的高转换效率电池。
- 刘芳芳孙云何青
- 关键词：CIGS薄膜太阳电池二极管特性
