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国家自然科学基金(60676063)
作品数:
2
被引量:8
H指数:1
相关作者:
邵军
褚君浩
吕翔
马丽丽
郭少令
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中国科学院
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碲镉汞
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窄禁带碲镉汞调制光谱的近期进展和前景(英文)
被引量:8
2008年
简要介绍了红外光调制反射谱和调制光致发光谱的最新进展,并重点比较了相对于传统实验方法在信噪比,谱分辨率和实验耗时等方面所取得的显著进展.给出了在MBE生长HgCdTe薄膜样品研究中的应用实例,显示了该技术在光谱研究窄禁带半导体带间和低维结构带内跃迁方面的应用前景.
邵军
马丽丽
吕翔
吴俊
李志峰
郭少令
何力
陆卫
褚君浩
关键词:
信噪比
窄禁带掺杂碲镉汞外延薄膜的调制光谱分析
<正>碲镉汞(Hg1-xCdxTe)是制备大规模高性能红外探测器焦平面阵列的重要材料。窄禁带掺杂碲镉汞由于其在中、远红外波段(3~5μm和8~12μm)的重要应用,显得格外引人注目[1]。利用光谱手段研究掺杂对材料光电特...
邵军
越方禹
吕翔
马丽丽
李志锋
陆卫
褚君浩
吴俊
何力
查访星
文献传递
变温吸收谱研究液相外延碲镉汞浅能级
被引量:1
2007年
利用变温吸收谱(11—300K)对非故意掺杂液相外延Hg1-xCdxTe进行研究,对吸收边在低温区间(<70K)出现的约7—20meV反常移动现象进行了分析.结果表明该现象是由材料中Hg空位作为受主能级存在而形成的,红移幅度与样品组分/载流子浓度有关.据此估算Hg空位大致位于价带上方约20meV,与Hg空位形成浅受主能级的经验公式计算结果基本符合.该结果可以解释由传统吸收谱方法确定材料禁带宽度略高于材料实际光电响应截止能量值的现象.
越方禹
邵军
魏彦峰
吕翔
黄炜
杨建荣
褚君浩
关键词:
碲镉汞
液相外延
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