福建省教育厅科技项目(JA10249)
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 相关作者：王元樟张小英许英朝朱文章李书平更多>>
- 相关机构：厦门理工学院中国科学院厦门大学更多>>
- 发文基金：福建省教育厅科技项目国家自然科学基金厦门市科技计划项目更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- HgCdTe/CdTe/Si(211)异质结构的应变和应力分布计算被引量：1
- 2012年
- 计算了HgCdTe/CdTe/Si(211)异质结构的应变和应力分布,发现对于生长方向为不具有对称特性的[211]晶向,由于弹性模量的各向异性,平行表面的两个晶向方向[1-1-1]和[01-1]的应变和应力分布存在差异,并且二者的曲率半径也具有相应特性。对于Si衬底厚度为500μm,CdTe缓冲层厚度为10μm,HgCdTe层厚度为10μm的异质结构,液氮温度77 K时衬底与外延层的应变均为负值,外延层和衬底的最大应力值均在界面处,外延层中均为张应力,Si衬底在靠近界面处为压应力,远离界面逐渐过渡为张应力,存在一个应力为零的中性轴位置。
- 王元樟朱文章张小英许英朝
- 关键词：HGCDTESI应力分布
- MOCVD GaN/InN/GaN量子阱的应变表征
- 2011年
- 采用MOCVD外延生长11周期InN/GaN量子阱结构样品,原子力显微镜表面形貌结果显示实现了台阶流动生长模式.通过高分辨率X射线衍射与掠入射X射线反射谱技术获得了阱层与垒层的实际厚度.从(102)非对称衍射面与(002)对称衍射面的倒异空间图,确认了InN阱层处于与GaN共格生长的完全应变状态,获得了GaN缓冲层的晶体质量信息及其c轴与a轴晶格常数,确认外延层因受衬底热失配的影响处于压应变状态.
- 王元樟林伟李书平陈航洋康俊勇张小英
- 关键词：GAN基半导体原子力显微镜
