深圳市传感器技术重点实验室开放基金(SST200902)
- 作品数：3 被引量：12H指数：2
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- 相关机构：深圳大学更多>>
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- 相关领域：电子电信一般工业技术理学动力工程及工程热物理更多>>
- 基于PLD法制备的MgZnO薄膜紫外传感器的研究被引量：6
- 2011年
- 用KrF准分子脉冲激光沉积(PLD)法,以石英为衬底,在300℃～600℃制备了MgZnO薄膜。由拉曼光谱仪、AFM、UV/vis分光光度计对薄膜进行表征,结果表明,在600℃制备薄膜有最大的禁带宽度3.78 eV,以及最好的结晶质量。在此薄膜上镀上Al电极制备紫外传感器,测量了传感器的的I-V曲线、光谱响应特性,以及在365 nm紫外光辐照下的时间响应特性。传感器波长响应峰值在约320 nm;上升时间常数为9.1 ms,下降时间常数为16.5 ms。
- 胡居广刁雄辉李学金林晓东李佑国刘毅龙井华李启文
- 关键词：紫外探测器温度脉冲激光沉积
- 温度对PLD法制备CIGS薄膜性能的影响被引量：5
- 2011年
- 利用脉冲激光沉积(PLD)法在40～600℃范围内,以石英为基底制备了系列铜铟镓硒(CIGS)薄膜。利用分光光度计,XRD,SEM,EDS等对薄膜进行表征。结果表明,薄膜都以(112)择优取向生长,在40～400℃范围内,温度对薄膜结晶质量、晶粒尺寸等影响不明显;温度达到600℃时,结晶质量、晶粒尺寸及薄膜的红外透光率等显著增加。认为这主要与Ga元素的扩散受温度的影响有关,温度越高,Ga元素有足够的能量进行充分扩散,并完成晶体结构重组,同时分析了Se元素含量随温度变化的原因。
- 胡居广林晓东曹慧群罗仲宽李启文张一倩刁雄辉
- 关键词：CIGS薄膜脉冲激光沉积温度扩散
- 衬底温度对PLD法沉积CdS及ZnS薄膜材料的影响被引量：2
- 2013年
- 以ITO玻璃为衬底,利用脉冲激光沉积(PLD)法在温度为50、200和400℃下制备了CdS、ZnS薄膜。测量分析了温度对CdS及ZnS薄膜的透射光谱特性、光学带隙、Raman光谱特性等的影响。结果显示,在实验温度范围内:①ZnS薄膜比CdS薄膜透射性能好,光学带隙大;②ZnS薄膜的Raman光谱复杂,Raman特征峰较弱;CdS薄膜的Raman特征峰明显;③随温度升高,CdS与ZnS相比禁带宽度增加明显、Raman特征峰增高变窄。对此现象进行了解释,为利用CdS或ZnS薄膜作为CIGS薄膜太阳电池缓冲层提供了参考。
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- 关键词：脉冲激光沉积CDS薄膜ZNS薄膜
