国家高技术研究发展计划(2006AA03A11)
- 作品数：1 被引量：1H指数：1
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- 相关机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家基础科学人才培养基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- MOCVD生长的a面GaN表面形貌和位错的研究
- 采用MOCVD技术在r面蓝宝石衬底上制备了’a面GaN薄膜,用熔融的KOH在400℃对样品分别腐蚀1.Omin和1.5min。用SEM对腐蚀前后的表面形貌进行分析,并同LiAlO上的m面GaN和宝石上的c面GaN进行对比...
- 崔影超谢自力赵红梅琴李弋刘斌韩平张荣郑有炓
- 文献传递
- Mg掺杂AlGaN的特性研究被引量：1
- 2008年
- 采用金属有机物化学气相淀积方法在Al2O3衬底上生长不同浓度Mg掺杂的AlxGa1-xN合金薄膜,并在750℃、N2气氛下对Mg进行热退火激活。用X射线衍射ω-2θ扫描计算确定样品的Al组分,发现Mg摩尔掺杂浓度和退火对Al组分均未产生明显影响。X射线衍射摇摆曲线与原子力显微镜扫描表明随Mg摩尔掺杂浓度增加,样品晶体质量下降,样品表面凹坑增加,但热退火对薄膜表面形貌有明显的改善。阴极射线发光测量发现带边峰强度随掺杂浓度增加而减弱,退火后样品的施主-受主对复合发射与导带受主的复合发射均有增强,验证了热退火对钝化受主杂质的激活作用,对实现高效AlGaN的p型掺杂具有重要意义。
- 吴超谢自力张荣张曾刘斌刘启佳聂超李弋韩平陈鹏陆海郑有炓
- 关键词：热退火表面形貌阴极射线发光
