国家重点基础研究发展计划(2001CB610503)
- 作品数：43 被引量：199H指数：7
- 相关作者：薛增泉吴锦雷侯士敏张琦锋赵兴钰更多>>
- 相关机构：北京大学南京大学合肥工业大学更多>>
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- 相关领域：理学一般工业技术电子电信机械工程更多>>
- 利用多层膜生长技术制备纳米印章模板被引量：1
- 2006年
- 在纳米印章技术中,为克服电子束刻蚀制备50nm以下线条的技术难点,利用等离子增强化学气相沉积技术制备了a-Si/SiNx多层膜,再利用选择性湿法腐蚀或干法腐蚀在横截面上制备出浮雕型一维纳米级模板.多层膜子层之间界面清晰陡峭,可以在纳米量级对子层厚度进行控制,得到了侧壁在纳米尺度上平滑的模板.通过控制多层膜子层的生长时间,制备出线条宽度和槽状宽度均为20nm的等间距模板,品质优于电子束刻蚀技术制备的模板.
- 张永军李卫孟祥东杨景海华中李伟徐骏黄信凡陈坤基
- 关键词：电子束刻蚀等离子
- 基于碳纳米管场效应管构建的纳电子逻辑电路被引量：11
- 2007年
- 展示了由碳纳米管场效应管构成的三种逻辑电路,分别为单个p型碳纳米管场效应管的开关电路、由集成在同一片硅片上的单个p型碳纳米管场效应管和单个n型掺氮碳纳米管场效应管构成的互补型反相器,以及两个独立的p型碳纳米管场效应管构成的或非门.其中p型碳纳米管场效应管以单壁碳纳米管作为沟道,而n型碳纳米管场效应管则以掺氮的多壁碳纳米管作为沟道,器件的源漏电极均为铂电极.
- 李萍剑张文静张琦锋吴锦雷
- 关键词：碳纳米管场效应管逻辑电路
- 荷电对单壁碳纳米管稳定性的影响被引量：4
- 2004年
- 采用基于密度泛函理论的DMol3程序对荷电的短开口单壁碳纳米管进行了结构优化计算. 结果表明, 体系的总能量随荷电量按抛物线规律变化, 体系的最高占据分子轨道能量随荷电量按线性规律变化, 碳管荷一定量负电荷时总能量最低, 碳管具有正的电子亲合势, 荷一定量负电荷的单壁碳纳米管比电中性的单壁碳纳米管结构更稳定. 荷电量较小时, 单壁碳纳米管的原子结构随荷电量的变化很小, 忽略碳管原子结构的变化仍能得到体系的总能量和最高占据分子轨道能量随荷电量变化的正确定性结果. 荷电量较大时, 开口单壁碳纳米管的端口原子结构首先受到影响, 形成喇叭口形状. 随着荷电量的增加, 碳管端口的原子结构将变得不稳定, 最终导致碳管原子结构的破坏.
- 罗骥吴锦雷
- 关键词：碳纳米管密度泛函理论荷电稳定性原子结构
- 尺寸可控的纳米硅的生长模型和实验验证被引量：5
- 2006年
- 基于经典热力学理论,对a-SiNx/a-Si:H/a-SiNx三明治结构或a-Si:H/a-SiNx多层膜结构中纳米硅成核,以及从球形到鼓形的生长过程进行了研究.建立了限制性晶化理论模型:在纳米硅生长过程中,由于界面能增大将导致生长停止,给出限制性晶化条件——a-Si:H子层厚度小于34nm.在激光晶化和常规热退火两种方法形成的a-SiNx/nc-Si/a-SiNx三明治结构和nc-Si/a-SiNx多层膜结构中验证了该理论模型.
- 刘艳松陈铠乔峰黄信凡韩培高钱波马忠元李伟徐骏陈坤基
- 关键词：非晶硅纳米硅激光辐照
- 用探孔场发射显微镜研究单壁碳纳米管的场发射
- 2003年
- 探孔场发射显微镜可以观测样品的场发射图象 ,又能测量局域场发射电流和总场发射电流与电压的关系 .本文利用具有二维调节探孔位置的场发射显微镜装置测量了单壁碳纳米管场发射图象不同区域、不同吸附状态和经过热处理后的I V特性 .
- 张兆祥张耿民金新喜侯士敏赵兴钰顾镇南刘惟敏薛增泉
- 关键词：场发射场发射显微镜单壁碳纳米管
- 用原子力显微镜操纵碳纳米管的研究被引量：6
- 2003年
- 使用原子力显微镜,在接触模式下实现了对单壁碳纳米管束的各种可控操纵,包括弯折、切割和劈裂等.发现操纵结果与针尖作用力以及碳纳米管束在基底表面的受力状况有关.当碳纳米管在一定程度上被固定在表面上时,能够可控地完成各种操纵;当针尖作用力足够大时,碳管束能够被针尖劈裂.这种操纵技术将有助于碳纳米管特性的测试和纳米电子器件的构筑.
- 刘赛锦申自勇侯士敏顾镇南薛增泉
- 关键词：原子力显微镜碳纳米管
- 氧化银纳米粒子的制备及其动态受激荧光被引量：8
- 2003年
- 采用真空蒸发沉积法和辉光放电氧化法,制备了粒径在5～30nm之间的可控、空间分布均匀、高纯度的氧化银纳米薄膜,使薄膜成岛状生长和避免光照是制备过程中的两个关键问题.用XPS分析了Ag3d和O1s轨道的结合能,计算了银和氧的原子比,证明其成分为Ag2O,用XRD确定了氧化银纳米薄膜最强的衍射峰分别对应Ag2O的(111)、(110)、(200)、(211)晶面族.研究了这种薄膜在可见光波段的光吸收,计算得氧化银的禁带宽度为2.8eV.在蓝光持续照射几分钟激活后,观察到了其中纳米粒子在蓝光激发下发黄光和绿光,在绿光激发下发红光的现象,这种光致发光具有动态“闪烁”的特点.提出了氧化银光分解引入缺陷能级(如Ag3O,Ag+2O和Ag+3O)新的理论模型并对此现象进行定性的解释.
- 张西尧潘新宇张琦锋许北雪蒋红兵刘春玲龚旗煌吴锦雷
- 关键词：氧化银荧光
- 接触电极的功函数对基于碳纳米管构建的场效应管的影响被引量：7
- 2006年
- 基于碳纳米管构建的场效应管在纳电子器件中占有重要的位置,如何获得p型和n型的电子输运性能是人们所关注的.本文分别采用高功函数的Pt金属和低功函数的Al金属作为源漏电极,获得了p型输运性质和n型输运性质的基于碳纳米管构建的场效应管.能带结构的分析证明了接触电极的功函数在这种场效应管的输运机理中扮演了重要的角色,可以仅仅通过改变接触电极的材料,实现p型场效应管和n型场效应管之间的转换,这是经典的金属与半导体接触的理论无法解释的.
- 李萍剑张文静张琦锋吴锦雷
- 关键词：碳纳米管场效应管肖特基势垒功函数
- 多壁碳纳米管的掺氮改性及场效应管特性研究被引量：7
- 2005年
- 以二茂铁为前驱体,提供催化剂与部分碳源,三聚氰提供氮源与另外一部分碳源,在硅基底上制备出了碳纳米管阵列.碳纳米管为多壁结构,单根碳纳米管的平均直径为50nm.碳纳米管的X射线光电子谱(XPS)在398.4eV处出现特征峰,表明为氮掺杂的碳纳米管.用其制备的场效应管在室温大气环境下稳定地表现为n型场效应特性,并且具有非常低的关闭状态电流(off-statecurrent)以及良好的负门电压对漏极电流的抑制作用,单位源漏偏压下漏极电流为100pA量级.实验中采用了源/漏电极不对称的绝缘层结构,使得门电压对源漏两极的电场调制也不对称,从而实现了对漏电极的门电压调制.
- 周晓龙柴扬李萍剑潘光虎孙晖申自勇张琦锋吴锦雷
- 关键词：碳纳米管掺杂输运
- 基于氧化锌纳米线的紫外发光二极管被引量：17
- 2007年
- 构建了基于n-ZnO纳米线/p-Si异质结的紫外发光二极管.ZnO纳米线准阵列采用水热法生长于重掺p型Si片上.此法简易,反应温度低,易于大规模生产;其产物ZnO纳米线结晶良好,以c轴为优势取向,光激发下的紫外荧光发射很强.二极管的电学接触采用聚合物填充的In阴极或以氧化铟锡(ITO)玻璃紧压形成阴极.它们的I-V特性体现出良好的二极管性质.在正向偏置电压驱动下,构建的发光二极管可稳定发射波长在387nm的较强的近紫外光和较弱的绿光.
- 孙晖张琦锋吴锦雷
- 关键词：ZNO纳米线异质结电致发光水热法
