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四川省自然科学基金(07JY029-126)

作品数:2 被引量:4H指数:2
相关作者:高增辉柳福提黎昌金张淑华高曾辉更多>>
相关机构:宜宾学院内江师范学院更多>>
发文基金:四川省自然科学基金更多>>
相关领域:理学机械工程更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇机械工程

主题

  • 1篇闪锌矿结构
  • 1篇态密度
  • 1篇密度泛函
  • 1篇密度泛函理论
  • 1篇激光
  • 1篇激光阵列
  • 1篇光学
  • 1篇光学特性
  • 1篇泛函
  • 1篇泛函理论
  • 1篇GAN
  • 1篇传输特性

机构

  • 2篇宜宾学院
  • 1篇内江师范学院

作者

  • 1篇高曾辉
  • 1篇张淑华
  • 1篇黎昌金
  • 1篇柳福提
  • 1篇高增辉

传媒

  • 1篇四川师范大学...
  • 1篇山东大学学报...

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
二维矩形阵列非傍轴离轴高斯光束的合成研究被引量:2
2009年
基于瑞利-索末菲衍射积分公式,推导出非傍轴离轴高斯光束相干合成和非相干合成光束在自由空间中传输的解析公式.用所得结果对非傍轴高斯光束相干合成和非相干合成进行了研究,得到了非傍轴公式在傍轴条件下,能回归到傍轴理论所得结果.远场近似、傍轴离轴高斯光束的相干合成与非相干合成光束传输公式可作为特例给出.数值计算表明,合成光束的光强分布与合成方式(相干合成和非相干合成)、光束束宽w0(或等效于f参数)、光束束数M(N)、离轴参数a(b)以及传输距离z有关.在远场,对于相干合成,M×N束非傍轴高斯光束的合成光束的轴上光强是单束非傍轴高斯光束的轴上光强的M2N2倍;对于非相干合成,M×N束非傍轴高斯光束的合成光束的轴上光强是单束非傍轴高斯光束的轴上光强的MN倍.
黎昌金高曾辉
关键词:激光阵列传输特性
高压下GaN的光学特性被引量:2
2010年
根据密度泛函理论,采用平面波赝势和广义梯度方法,研究了闪锌矿结构的GaN晶体在不同压强下的光学性质。结果表明,随着压强的增大,直接带隙和间接带隙都逐渐增大;在外界压强为125 GPa时,GaN从直接带隙半导体变成间接带隙半导体,吸收波段出现了蓝移的现象。
柳福提张淑华高增辉
关键词:密度泛函理论闪锌矿结构态密度
共1页<1>
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