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武汉市青年科技晨光计划(20035002016-15)

作品数:3 被引量:17H指数:2
相关作者:杨光周幼华郑启光陆培祥龙华更多>>
相关机构:华中科技大学江汉大学更多>>
发文基金:武汉市青年科技晨光计划国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学

主题

  • 3篇脉冲激光
  • 3篇脉冲激光沉积
  • 3篇脉冲激光沉积...
  • 2篇飞秒
  • 2篇Β-FESI...
  • 2篇PLD
  • 2篇FESI
  • 1篇导体
  • 1篇铁电
  • 1篇铁电薄膜
  • 1篇钛酸
  • 1篇钛酸铋
  • 1篇激光
  • 1篇飞秒激光
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体膜
  • 1篇SI(111...
  • 1篇SI基
  • 1篇Ⅰ-Ⅴ特性

机构

  • 3篇华中科技大学
  • 1篇江汉大学

作者

  • 3篇陆培祥
  • 3篇郑启光
  • 3篇周幼华
  • 3篇杨光
  • 2篇龙华
  • 1篇杨义发

传媒

  • 2篇无机材料学报
  • 1篇中国激光

年份

  • 1篇2007
  • 2篇2006
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
脉冲激光沉积β-FeSi_2/Si(111)薄膜的工艺条件被引量:11
2006年
用FeSi2合金靶作为靶材,采用准分子激光沉积法在Si(111)单晶基片上制备了单相的p-FeSi2薄膜,并将飞秒脉冲激光沉积法(PLD)引入到β-FeSi2薄膜的制备工艺中;用X射线衍射仪(XRD),场扫描电镜(FSEM),能谱仪(EDS),紫外可见光光谱仪研究了薄膜的结构、组分、表面形貌和光学性能。基片温度为500℃,采用KrF准分子脉冲激光沉积法可获得单相的β-FeSi2薄膜。衬底温度为550℃时,β-FeSi2出现迷津状薄层。采用飞秒脉冲激光法β-FeSi2薄膜的合成温度比准分子脉冲激光沉积法制备温度低50~100℃;薄膜的晶粒分布均匀连续,没有微米级的微滴;飞秒脉冲激光沉积效率比准分子激光的高1000倍以上,是一种快速高效的β-FeSi2薄膜沉积技术。
周幼华陆培祥龙华杨光郑启光
关键词:Β-FESI2脉冲激光沉积法飞秒激光
飞秒激光沉积β-FeSi_2/Si半导体膜及光学性能研究被引量:2
2007年
采用飞秒脉冲激光沉积法在Si(100)和Si(111)单晶基片上制备了均匀的单相β-FeSi2薄膜;用X射线衍射(XRD),场扫描电镜(FESEM),能谱仪(EDX),傅立叶红外拉曼谱仪(FTRIS)研究了薄膜的结构、组分、表面形貌和光学性能.观察到了β-FeSi2在Si单晶基片上的生长与晶面取向有关的证据,并在室温(20℃)下观测到β-FeSi2薄膜的光致发光,其发光波长为1.53μm;在氩离子514nm激光的激发下,在192.0和243.9cm-1等位置观察到β-FeSi2的拉曼散射峰.
周幼华陆培祥杨光杨义发郑启光
关键词:Β-FESI2飞秒
飞秒脉冲激光沉积Si基α轴择优取向的钛酸铋铁电薄膜及Ⅰ-Ⅴ特性研究被引量:4
2006年
采用飞秒脉冲激光沉积系统,在Si(111)衬底上制备了a轴和c轴择优取向的Bi4Ti3O12薄膜.X射线衍射(XRD)表明:室温(20℃)下沉积的Bi4Ti3O12/Si(111)薄膜呈c轴择优取向,晶粒的平均直径为20nm.在500℃沉积的Bi4Ti3O12/Si(111)薄膜呈a轴择优取向.测量了薄膜的电滞回线和Ⅰ-Ⅴ特性曲线,并用分布参数电路研究了Bi4Ti3O12薄膜的,Ⅰ-Ⅴ特性曲线和铁电性的关联性.a轴择优取向Bi4Ti3O12薄膜的剩余极化强度Pr=15μC/cm2,矫顽力Ec=48kV/cm.
周幼华郑启光杨光龙华陆培祥
关键词:钛酸铋铁电薄膜
共1页<1>
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