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国家自然科学基金(51072043)

作品数:8 被引量:22H指数:3
相关作者:史成武梁齐史高杨陈柱孙人杰更多>>
相关机构:合肥工业大学中国科学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划安徽省年度重点科研项目更多>>
相关领域:电气工程理学电子电信化学工程更多>>

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇电气工程
  • 3篇电子电信
  • 3篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇电池
  • 2篇英文
  • 2篇水热
  • 2篇水热法
  • 2篇太阳电池
  • 2篇退火
  • 2篇热法
  • 2篇脉冲激光
  • 2篇脉冲激光沉积
  • 1篇导体
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶薄膜
  • 1篇异质结
  • 1篇有机-无机
  • 1篇致密
  • 1篇制备及特性
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇水解
  • 1篇水解制备

机构

  • 8篇合肥工业大学
  • 4篇中国科学院

作者

  • 5篇史成武
  • 3篇梁齐
  • 2篇孙人杰
  • 2篇陈柱
  • 2篇李琳
  • 2篇史高杨
  • 2篇文亚南
  • 1篇夏梅
  • 1篇董燕
  • 1篇占小平
  • 1篇李兵
  • 1篇汪壮兵
  • 1篇孔明光
  • 1篇张正国
  • 1篇陈士荣
  • 1篇李丽丽
  • 1篇李龙
  • 1篇王艳青
  • 1篇李楠楠

传媒

  • 2篇Journa...
  • 2篇物理化学学报
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇真空
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2019
  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 3篇2012
  • 3篇2011
8 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
全固态致密PbS量子点薄膜敏化TiO2纳米棒阵列太阳电池的制备与光伏性能关系的研究
量子点太阳电池包括肖特基量子点太阳电池、耗尽异质结太阳电池、量子点敏化太阳电池、量子点.聚合物杂化太阳电池。目前,使用多硫液态电解质的Zn-Cu-In-Se量子点敏化太阳电池和PbS/CdS量子点共敏化太阳电池的光电转换...
张正国
关键词:水热法
文献传递
Cu_2ZnSnS_4/Si异质结器件的制备及特性研究被引量:1
2012年
利用脉冲激光沉积法在不同电阻率的n型Si(100)基片上沉积Cu2ZnSnS4薄膜,制备p-Cu2ZnSnS4/n-Si异质结。利用X射线衍射(XRD)、X射线能谱(EDS)和原子力显微镜(AFM)对Cu2ZnSnS4薄膜的结构、组分和形貌进行表征,并对器件进行Ⅰ-Ⅴ测试,讨论不同电阻率的Si对异质结器件光电特性的影响。结果表明,器件有良好的整流特性,Si电阻率大的器件光电响应比较好,而Si电阻率小的器件光伏效应比较明显。
李琳文亚南董燕汪壮兵梁齐
关键词:脉冲激光沉积Ⅰ-Ⅴ特性
Pyrolysis preparation of WO_3 thin films using ammonium metatungstate DMF/water solution for efficient compact layers in planar perovskite solar cells被引量:2
2016年
The tungsten trioxide(WO_3) thin films were firstly prepared by spin-coating-pyrolysis methods using the ammonium metatungstate((NH_4)_6H_2W_(12)O_(40))DMF/water solution, and successfully applied as the efficient compact layers for the planar perovskite solar cells. The influence of the WO_3 film thickness and the rinsing treatment of CH_3NH_3 PbI_3 thin film with isopropanol on the photovoltaic performance of the corresponding perovskite solar cells was systematically investigated. The results revealed that the perovskite solar cell with a 62 nm thick WO_3 compact layer achieved a photoelectric conversion efficiency of 5.72%, with a short circuit photocurrent density of 17.39 m A/cm^2, an open circuit voltage of 0.58 V and a fill factor of 0.57. The photoelectric conversion efficiency was improved from 5.72% to 7.04% by the isopropanol rinsing treatment.
张金成史成武陈军军应超吴妮王茂
关键词:WO3薄膜偏钨酸铵DMF
脉冲激光沉积制备SnS薄膜及其光学特性的研究被引量:4
2011年
利用脉冲激光沉积法在玻璃衬底上制备SnS薄膜,研究了SnS薄膜的晶体结构、表面形貌以及有关光学特性。所制备的SnS薄膜样品为斜方晶系多晶结构,在(111)晶面上有很强的择优取向性;衬底温度在100400℃范围内,表面形貌有所区别,随着温度升高,薄膜表面分别呈现大小晶粒共存、片状颗粒、针状颗粒和锥状颗粒的形貌特征;紫外区的SnS薄膜透过率极低,可见光范围的透过率很低,近红外区的透过率较大;样品在可见区和紫外区吸收强烈,吸收系数达105cm-1量级,直接禁带宽度为1.391.46 eV。
李丽丽梁齐史成武孔明光李兵
关键词:脉冲激光沉积表面形貌透过率
利用近空间升华法在较高的源温度下制备CdTe薄膜
利用近空间升华法在较高的源温度650℃和700℃下制备了CdTe薄膜,使用EDS、XRD、SEM和UV-ViS-NIR系统地研究了CdTe薄膜的化学组成、晶体结构、表面形貌和光学带隙。EDS结果表明在源温度为650℃和7...
沈鑫颉占小平陈汪超姚敏杨鹏飞代晓艳张旭辉史成武
关键词:CDTE薄膜
文献传递
两步沉积法制备Br或Cl掺杂的有机-无机杂化钙钛矿太阳电池(英文)被引量:6
2016年
采用控制前驱体浓度的两步沉积法和插入PbI_2层的DMSO分子(PbI_2(DMSO)复合体)分别与MAX(MA=CH3NH3,X=I,Br)或MAX(X=I,Cl)进行的分子内交换法,实现了Br或Cl的掺杂并合成了厚度为300nm左右的混合卤化物钙钛矿MAPbI_(3-x)Br_x和MAPb I3-xClx膜。MAX前驱体溶液中含5%(摩尔分数,下同)MABr或15%MACl所生成的Br或Cl掺杂钙钛矿膜能提高钙钛矿太阳电池的光伏性能,进一步提高MABr或MACl的含量并不会明显改变掺杂量,但会形成小的白色颗粒或者针孔,这些将对电池的性能产生不利影响。前驱体溶液含5%MABr的MAPbI_(3-x)Br_x钙钛矿太阳电池所获得的能量转换效率(PCE)为13.2%,含15%MACl的MAPbI_(3-x)Cl_x钙钛矿太阳电池获得了最高13.5%的PCE。
王艳青李龙聂林辉李楠楠史成武
超声搅拌化学浴沉积法制备大颗粒和致密的CdS薄膜(英文)被引量:1
2011年
采用超声搅拌化学浴法(UCBD)在SnO2:F透明导电玻璃衬底上制备了CdS薄膜.研究了退火和CdCl2处理对UCBD-CdS薄膜的表面形貌、晶体结构和直接带隙的影响,比较了沉积时间对UCBD-CdS薄膜中CdS聚集体颗粒大小和堆积致密性的影响.结果表明,CdCl2处理可使CdS聚集体中的小颗粒重新熔合在一起,但CdS聚集体的大小并没有改变.在UCBD-CdS薄膜的沉积过程中,CdS薄膜的横向和纵向生长速率之比会随着沉积时间的不同而改变,且沉积时间是获得大颗粒的CdS聚集体和致密的UCBD-CdS薄膜的重要影响因素.当沉积时间为40min时,获得的UCBD-CdS薄膜较致密,CdS聚集体的大小为180nm,膜厚为80.8nm,适合作为薄膜太阳电池的窗口层.
史成武陈柱史高杨孙人杰
关键词:CDS薄膜退火
Hydrolysis preparation of the compact TiO_2 layer using metastable TiCl_4 isopropanol/water solution for inorganic–organic hybrid heterojunction perovskite solar cells被引量:1
2015年
A hydrolysis process was applied to prepare the compact Ti O2 layer using the fresh metastable Ti Cl4isopropanol/water solution as the precursor solution for the preparation of the inorganic–organic hybrid heterojunction perovskite solar cells. The optimal compact Ti O2 layer prepared from the aqueous solution of 2 mol/L Ti Cl4 diluted in isopropanol at 1 : 3 by volume as precursor solution was uniform and with a film thickness of 126 nm.The corresponding perovskite solar cell gave a photovoltaic conversion efficiency of 10.61%.
代晓艳史成武张艳茹吴妮
关键词:TICL4水解制备
铜锌锡硫半导体薄膜材料的制备与表征(英文)被引量:5
2011年
采用水热法成功制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)半导体材料,通过浸涂法制备了相应的薄膜,并在N2气氛中于400℃对薄膜进行了退火处理。用X射线荧光光谱分析了所得CZTS粉末中各组成元素的含量,并分别用X射线衍射、扫描电子显微镜和紫外-可见-近红外光谱对CZTS薄膜样品的晶体结构、表面形貌和带隙进行了表征。结果表明:所得的CZTS粉末的元素组成为Cu1.90Zn0.94Sn1.00S4.30,符合理论化学计量比,所制备的CZTS薄膜具有良好的结晶度,表面均匀、无裂纹,其直接带隙为1.51 eV,退火后降低到1.34 eV。
史成武史高杨陈柱孙人杰夏梅
关键词:水热法
射频磁控溅射法制备Cu2ZnSnS4薄膜被引量:3
2012年
利用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜,薄膜在室温下生长,再在Ar气氛中快速退火。通过X射线衍射、X射线电子能谱、原子力显微镜和吸收谱研究了退火温度对薄膜结构、组分、形貌和禁带宽度的影响。结果表明,所制备样品为Cu2ZnSnS4多晶薄膜,具有较强的沿(112)晶面择优取向生长的特点,薄膜组分均为富S贫Cu,样品表面形貌比较均匀。退火温度为350,400,450和500℃的薄膜样品的禁带宽度分别是1.49,1.53,1.51和1.46 eV。
文亚南李琳陈士荣史成武梁齐
关键词:射频磁控溅射快速退火多晶薄膜
共1页<1>
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