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国家自然科学基金(60171012)

作品数:8 被引量:26H指数:4
相关作者:于军王耘波王龙海魏龙高峻雄更多>>
相关机构:华中科技大学武汉理工大学中国科学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金湖北省自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程电子电信理学更多>>

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 6篇一般工业技术
  • 4篇电气工程
  • 3篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 7篇铁电
  • 4篇铁电薄膜
  • 3篇BI4TI3...
  • 2篇导体
  • 2篇铁电材料
  • 2篇外延法
  • 2篇稀磁半导体
  • 2篇居里
  • 2篇居里温度
  • 2篇分子束
  • 2篇分子束外延
  • 2篇分子束外延法
  • 2篇半导体
  • 2篇SFM
  • 2篇SOL-GE...
  • 1篇等效
  • 1篇电畴
  • 1篇电畴结构
  • 1篇电性能
  • 1篇电滞回线

机构

  • 10篇华中科技大学
  • 4篇中国科学院
  • 4篇武汉理工大学
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇武汉工程大学

作者

  • 9篇王耘波
  • 7篇于军
  • 4篇郭冬云
  • 3篇高峻雄
  • 3篇魏龙
  • 3篇王龙海
  • 2篇郑朝丹
  • 2篇王宝义
  • 2篇刘锋
  • 2篇赵素玲
  • 2篇王雨田
  • 1篇曾慧中
  • 1篇付承菊
  • 1篇李建军
  • 1篇彭刚
  • 1篇李佳
  • 1篇王志红
  • 1篇周春兰
  • 1篇李东

传媒

  • 2篇物理学报
  • 2篇功能材料
  • 1篇中国科学(E...
  • 1篇压电与声光
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇Scienc...

年份

  • 2篇2007
  • 1篇2006
  • 2篇2005
  • 6篇2004
8 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
MFS结构钛酸铋薄膜的C-V特性研究被引量:4
2004年
 利用sol gel方法在p Si(111)基底上制备钛酸铋薄膜。测量不同退火温度下得到的In/BTO/p Si结构的C V曲线,测量结果表明制备的MFS结构钛酸铋薄膜在合适的制备工艺下可望实现极化型存储。
郭冬云王耘波于军王雨田王宝义魏龙
关键词:C-V特性铁电材料FFET信息存储
PT/PZT/PT铁电薄膜的铁电畴和畴壁被引量:5
2006年
用sol-gel法制备出了具有良好铁电性、纯钙钛矿结构的PbTiO3/Pb(Zr0·3Ti0·7)O3/PbTiO3(PT/PZT/PT)新型夹心结构铁电薄膜.用扫描力显微镜(SFM)的压电响应模式获得了薄膜铁电畴的垂直于膜平面方向(OPP)、膜平面内(IPP)及OPP的相位和幅度图像,结合理论分析指出薄膜的电畴主要由c畴和偏离垂直于膜平面方向上的c畴构成,薄膜取向的复杂性导致了复杂的畴结构.对于[111]取向的薄膜,当偏离垂直于膜平面方向上的c畴在垂直膜平面方向和面内方向都相反时构成180°的畴壁,在垂直膜平面方向上相同、面内方向相反或由垂直膜平面方向上相反、面内方向相同时构成90°畴壁.
王龙海于军刘锋郑朝丹李佳王耘波高峻雄王志红曾慧中赵素玲
关键词:铁电薄膜
Bi4Ti3O12薄膜的慢正电子束研究
采用Sol-Gel工艺在p-Si衬底上制备BiTiO薄膜,利用慢正电子束测量了不同退火温度处理的BiTiO薄膜的S参数与入射正电子能量E的关系,研究退火温度对BiTiO薄膜中缺陷的影响。
王耘波郭冬云于军高俊雄周春兰马创新王宝义魏龙
关键词:慢正电子束BI4TI3O12
文献传递
Sol-Gel法制备硅基钛酸铋铁电薄膜被引量:3
2004年
介绍溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备Bi4Ti3O12薄膜的工艺过程;对前驱体溶液进行了综合热分析,并对薄膜的性质进行了研究;成功地在p-Si衬底上制备出随机取向的Bi4Ti3O12铁电薄膜。在650°C下退火30min得到的Bi4Ti3O12薄膜的剩余极化强度Pr=12μC/cm2,矫顽场强Ec=130kV/cm。
郭冬云王耘波于军李建军周春兰王雨田魏龙
关键词:SOL-GEL法BI4TI3O12铁电薄膜
稀磁半导体研究的最新进展
本文系统地对于DMS的发展历史及研究现状进行了归纳总结,介绍了稀磁半导体特殊性质和机理,概述了目前DMS材料的制备方法,并对于DMS的应用前景和将来的研究方向进行了展望.
李东王耘波于军王宝义魏龙
关键词:稀磁半导体居里温度分子束外延法
文献传递
The domain structure and polarization retention properties of PT/PZT/PT ferroelectric thin film
2007年
The highly oriented perovskite-phase PT/PZT/PT ferroelectric thin film was pre- pared by sol-gel method. The domain structures and polarization retention proper- ties were investigated by scanning force microscopy. The amplitude and phase images of piezoresponse show complex various contrasts of dark, bright and gray. The complex variation of contrast in piezoresponse images results from the per- plexing orientation of grains and arrangement of domains in the ferroelectric films. The bright and dark areas in phase images correspond to top-to-bottom and bot- tom-to-top polarization oriented c-domain, respectively. The gray areas are c-domains with the polarization vector deviating from the direction normal to the film plane. The surface potential images of EFM are bright contrast, which is due to positive charges trapped on the film surface after being polarized by positive volt- age. And the brighter contrast is obtained from the higher electric field. The time-dependent surface potential images and line potential profiles show that the potential decays with time. And the decay in the region polarized by higher electric field is faster, especially at 15 min. This indicates that the polarization retention is related to the polarized electric field. Better retention properties may be obtained from a proper polarized electric field.
WANG LongHaiYu JunZHAO SuLingZHENG ChaoDuanWANG YunBoGAO JunXiong
关键词:FERROELECTRICTHINRETENTIONSCANNINGMICROSCOPE
稀磁半导体研究的最新进展被引量:6
2004年
本文系统地对于DMS的发展历史及研究现状进行了归纳总结,介绍了稀磁半导体特殊性质和机理,概述了目前DMS材料的制备方法,并对于DMS的应用前景和将来的研究方向进行了展望.
李东王耘波于军王宝义魏龙
关键词:稀磁半导体居里温度分子束外延法
PT/PZT/PT铁电薄膜的电畴结构与极化保持特性被引量:1
2007年
用Sol-Gel法制备出了具有良好铁电性、纯钙钛矿结构的PbTiO3/Pb(Zr0.3Ti0.7)O3/PbTiO3铁电薄膜.在扫描力显微镜的压电响应模式下,薄膜电畴压电响应的振幅像和相位像都表现为亮暗(黑白)和灰度衬度.其复杂的畴衬度可归因于晶粒的结晶取向和畴排列所致.对于亮暗衬度区域,对应着极化方向相反的c畴.灰色衬度区域对应着偏离膜平面垂直方向的c畴.电场力响应模式下经12V极化后测得的表面电势图显示,电畴取向极化后,薄膜表面将俘获正电荷.这些俘获的正电荷,使薄膜表面这一区域呈高电势的亮区.在不同时间测得的表面电势图和表面电势线扫描信号可看出,表面势将随着时间的变化而降低,且强电场极化的区域,15min内表面电势下降迅速;弱场极化的区域表面电势变化缓慢.说明薄膜的极化保持特性与极化场强有密切的关系,在合适的电场下,薄膜极化后将会有较好的保持特性.
王龙海于军赵素玲郑朝丹王耘波高峻雄
关键词:铁电薄膜电畴
Ag/Bi3.25La0.75Ti3O12/Bi4Ti3O12/Si结构铁电薄膜制备及其铁电性能的研究
利用溶胶-凝胶(sol—gel)方法,在硅基底上制备了Bi3.25La0.75Ti3O12/Bi4Ti3O12/Si铁电薄膜,其中Bi4Ti3O12作为缓冲层.用XRD方法分析了该结构铁电薄膜的物相结构:用扫描电镜对薄膜...
郭冬云王耘波于军付承菊高俊雄李建军陈万军
关键词:铁电薄膜BI4TI3O12SOL-GEL法
文献传递
MEMS器件中的铁电材料被引量:1
2004年
铁电材料在微电子技术、光电子技术和集成光学等多个领域中具有极为重要的应用价值。本文简要介绍了铁电材料及其在MEMS器件方面的应用情况。
郭冬云王耘波付承菊于军
关键词:MEMS铁电材料微电子机械系统压电微马达微型传感器
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