粉末冶金国家重点实验室开放基金(20110933K)
- 作品数：3 被引量：11H指数：2
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- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 梯度基体温度法和反应溅射TiC过渡层对钛合金基体沉积金刚石薄膜的影响被引量：4
- 2012年
- 以H2和CH4作为反应气体,采用热丝化学气相沉积法(HFCVD)在钛合金(Ti6Al4V)平板基体上制备金刚石薄膜,利用扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、激光拉曼光谱(Raman)和洛氏硬度仪分析薄膜的表面形貌、结构、成分和附着性能,研究了高温形核-低温生长的梯度降温法对原始钛合金和反应磁控溅射TiC过渡层的钛合金表面沉积金刚石薄膜的影响。结果表明:原始基体区和TiC过渡层区沉积的金刚石薄膜平均尺寸分别为0.77μm和0.75μm,薄膜内应力分别为-5.85GPa和-4.14GPa,TiC层的引入可以有效提高金刚石的形核密度和晶粒尺寸的均匀性,并减少薄膜残余应力;高温形核-低温生长的梯度降温法可以有效提高金刚石的形核密度和质量,并提高原始基体上沉积金刚石薄膜的附着性能。
- 余志明张益豪魏秋平刘丹瑛孟令聪
- 关键词：过渡层热丝化学气相沉积
- 退火和氧化性酸处理对HFCVD法制备金刚石薄膜质量的影响被引量：2
- 2013年
- 以H2和CH4为反应气源,采用热丝化学气相沉积法（hot filament chemical vapor deposition,缩写HFCVD）,于不同温度下,在金属Mo表面上制备金刚石薄膜,并分别对薄膜进行退火和氧化性酸处理。采用场发射扫描电镜（FESEM）、拉曼光谱（Raman）及物相分析（XRD）,研究沉积温度与后处理工艺对薄膜质量和薄膜表面内应力的影响。结果表明,在700℃下沉积的薄膜晶型良好,晶粒尺寸大且均匀,平均粒径为0.5μm,薄膜中存在2.72 GPa的压应力;该薄膜在氢气气氛中退火后质量得到提升,金刚石的Raman特征峰强与石墨的Raman特征峰强的比值从2.780 0上升至4.451 6,薄膜中无定型碳和石墨成分的总含量（质量分数）下降37.6%;采用过氧化氢氧化处理后,薄膜中无定型碳和石墨的总含量（质量分数）下降26.8%,薄膜中69.0%~73.0%（质量分数）的trans-PA被氧化处理掉,热应力得到释放。
- 翟豪龙芬余志明王健
- 关键词：钼化学气相沉积
- 金刚石表面终端和电解液pH值对铌基硼掺杂金刚石电极电化学性能的影响被引量：5
- 2012年
- 以H2和CH4为反应气体，B2H6为硼掺杂源，采用热丝化学气相沉积法（HFCVD）在金属Nb上制备不同硼原子浓度的硼掺杂金刚石薄膜（BDD）电极。采用场发射扫描电镜（FESEM）、拉曼光谱仪（Raman spectrometer）和电化学工作站对金刚石薄膜的形貌、质量和电化学性能进行分析，研究金刚石表面端基和电解液pH值对BDD电极电化学性能的影响。结果表明，硼烷：甲烷=1％～2％（体积分数）的氢终端BDD电极，在酸性电解液（1mol／LH2S04）中具有最宽的电势窗口（3．8v），在酸性溶液中具有极低的背景电流（～10^-5A）。
- 孟令聪余志明郝诗梦王菁清魏秋平焦娜
- 关键词：电化学性能化学气相沉积
