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国家自然科学基金(845106410100257)
作品数:
1
被引量:1
H指数:1
相关作者:
陈伟
廖荣
刘玉荣
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相关机构:
华南理工大学
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
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低工作电压
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己基
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场效应
1篇
场效应迁移率
机构
1篇
华南理工大学
作者
1篇
刘玉荣
1篇
廖荣
1篇
陈伟
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物理学报
年份
1篇
2010
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低工作电压聚噻吩薄膜晶体管
被引量:1
2010年
以高掺杂Si单晶片作为衬底且充当栅电极,采用磁控溅射法在硅片上沉积HfTiO薄膜作为栅介质层,聚三己基噻吩(P3HT)薄膜作为半导体活性层,金属Au作为源、漏电极,并采用十八烷基三氯硅烷(OTS)对栅介质层表面修饰,在空气环境下成功地制备出聚合物薄膜晶体管(PTFT).PTFT器件测试结果表明,该晶体管在低的驱动电压(<-1V)下仍呈现出良好的饱和行为,其阈值电压和有效场效应迁移率分别为0.4V和2.2×10-2cm2/V·s.通过对金属-聚合物-氧化物层-硅半导体(MPOS)结构电容器的电容-电压(C-V)特性测试发现,MPOS电容器的电容呈现出明显的频率依赖性和C-V迟滞现象,对其产生的物理机理进行了讨论.
刘玉荣
陈伟
廖荣
关键词:
场效应迁移率
高K栅介质
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