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国家重点基础研究发展计划(51310Z)

作品数:11 被引量:30H指数:4
相关作者:张树人杨成韬张洪伟杨艳刘敬松更多>>
相关机构:电子科技大学上海交通大学更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 11篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 7篇一般工业技术
  • 6篇电气工程
  • 4篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 4篇铁电
  • 3篇钛酸铅
  • 3篇锆钛酸铅
  • 3篇PZT
  • 2篇多层结构
  • 2篇射频磁控
  • 2篇射频磁控溅射
  • 2篇铁电薄膜
  • 2篇溅射
  • 2篇LANIO3
  • 2篇成像
  • 2篇成像研究
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 2篇磁力
  • 2篇磁力显微镜
  • 2篇磁性
  • 2篇磁性薄膜
  • 2篇ZNO薄膜
  • 1篇导电

机构

  • 12篇电子科技大学
  • 1篇上海交通大学

作者

  • 9篇张树人
  • 6篇杨成韬
  • 5篇张洪伟
  • 5篇杨艳
  • 4篇刘敬松
  • 3篇谢和平
  • 2篇王志红
  • 2篇陈琨
  • 2篇沈博侃
  • 2篇周宇
  • 1篇叶井红
  • 1篇翟亚红
  • 1篇温媛
  • 1篇程秀兰
  • 1篇黄文
  • 1篇相龙成
  • 1篇李健雄
  • 1篇谢四强
  • 1篇刘蒙
  • 1篇刘瑜

传媒

  • 4篇材料导报
  • 4篇压电与声光
  • 2篇功能材料
  • 1篇绝缘材料

年份

  • 2篇2008
  • 6篇2007
  • 4篇2006
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
PZT/LaNiO_3/MgO多层结构制备及性能研究被引量:4
2007年
利用激光脉冲法在MgO衬底上沉积制备LaNiO3(LNO)薄膜作为底电极材料,其上利用射频磁控溅射制备了锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜。试验分析了LaNiO3表面结构和形貌,采用快速退火法在不同温度下对样品进行了热处理,发现在500℃即得到(110)取向、晶化完全的PZT薄膜。在5 V测试电压下发现650℃下晶化的样品表现出非常优异的介电和铁电性能,介电常数(rε,)和损耗(tanδ)分别达570和0.05,漏电流在10-9A量级,电滞回线完全饱和且形状对称,剩余极化强度(Pr)和矫顽场(Ec)分别为35.8μC/cm2和76.3 kV/cm。
张洪伟张树人黄文刘敬松杨成韬
关键词:LANIO3射频磁控溅射
激光脉冲外延生长Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3薄膜及其特性研究
2007年
利用激光脉冲法在LaAlO3衬底上沉积制备LaNiO3薄膜作为底电极并外延生长(100)Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜,系统研究了生长温度对PZT外延结构和电学特性的影响。研究发现当生长温度高于550℃时即可得到外延(100)PZT薄膜。在对所制备的PZT薄膜的结构和性能测试表明,650℃下生长的PZT薄膜外延性最佳,并且表现出优异的介电和铁电性能,介电常数ε、剩余极化Pr和矫顽场Ec分别为900、26.5μC/cm2和52.1kV/cm。试验还证实这种外延PZT薄膜具有优良的抗疲劳特性,可用于铁电存储器的制备中去。
刘瑜程秀兰谢四强
关键词:PZT异质外延生长LANIO3铁电
锆钛酸铅薄膜化学刻蚀技术研究被引量:1
2008年
介绍了一种刻蚀效果良好的应用于铁电存储器(FeRAM)的PZT薄膜的化学湿法化学刻蚀方法。采用典型的半导体光刻工艺,通过研究不同的刻蚀剂对PZT薄膜的化学刻蚀效果表明,利用BOE/HNO3/CH3COOH/HCl/NH4Cl/EDTA刻蚀液刻蚀PZT薄膜可得图形质量及铁电性能良好的铁电电容,能满足铁电存储器对铁电薄膜微图形化要求。
杨艳刘敬松张树人翟亚红
关键词:锆钛酸铅铁电性能
锆钛酸铅铁电薄膜电容的研究现状被引量:1
2006年
介绍了Pb(Zr,Ti)O3,(PZT)铁电薄膜电容的研究现状,列举了不同电极和缓冲层所制备出的PZT铁电薄膜电容的结构,并对不同结构进行了分析比较,结果表明由于氧化物电极材料的各种优越性,已被证明可用于替代现有的金属电极材料,从而有效解决了PZT薄膜铁电性能退化的问题,是未来铁电薄膜电容的发展方向。
张洪伟张树人杨艳谢和平相龙成
关键词:PZT电容电极材料氧化物
薄膜体声波谐振器的研究进展被引量:6
2006年
薄膜体声波滤波器作为一种发展高频滤波器的全新解决方案,比声表面波滤波器(SAWF)、陶瓷介质滤波器具有更高的Q值,低的损耗和在高频时具备更高的功率承受能力。介绍了薄膜体声波谐振器的研究历史和研究概况,薄膜体声波谐振器的原理和3种典型结构,具体阐述了薄膜体声波谐振器的关键技术及其材料体系的要求。
谢和平张树人杨成韬张洪伟叶井红
关键词:微电子机械系统薄膜体声波谐振器
TbFe磁性薄膜的磁力显微镜成像研究
2007年
利用磁力显微镜(MFM)对TbFe磁性薄膜进行了不同抬举距离(分别为60~780nm)的磁力成像研究.在实验中,比较了低抬举距离(100nm以下)磁力像中样品-针尖的互相干扰;同时发现在高抬举距离磁力像中,随着抬举距离的增大,出现了与高凸起形貌对应的图像衬度特征,并随抬举距离的变化也改变着位置与强度,一直到抬举距离为仪器的极限值780nm时,形貌干扰仍未消失,对其形成机制进行了分析.
王志红周宇沈博侃陈琨
关键词:磁力显微镜
退火对射频磁控溅射氧化锌薄膜性能的影响被引量:2
2008年
采用射频磁控溅射技术在SiO2/Si上淀积高C轴取向的ZnO薄膜,在氧气和氩气的混合气氛、不同温度(400~900℃)下进行快速热退火处理。利用X-射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)对薄膜结构、形貌与界面状态性能进行了分析。研究结果表明,ZnO薄膜的晶粒尺寸随着退火温度的升高而增大,衍射峰强度增强,峰位随之偏移;SEM分析显示薄膜呈柱状生长,表现出较好的C轴取向性;TEM分析表明ZnO与下电极Pt是呈共格生长,晶格匹配很好。
谢和平张树人杨成韬张洪伟杨艳
关键词:快速热退火ZNO薄膜C轴取向
TbFe磁性薄膜的磁力显微镜成像研究
利用磁力显微镜(MFM)对 TbFe 磁性薄膜进行了不同抬举距离(分别为60~780nm)的磁力成像研究。在实验中,比较了低抬举距离(100nm 以下)磁力像中样品一针尖的互相干扰;同时发现在高抬举距离磁力像中,随着抬举...
王志红周宇沈博侃陈琨
关键词:磁力显微镜
文献传递
超声雾化气相沉积法制备ZnO薄膜被引量:4
2007年
采用超声雾化气相沉积工艺,以醋酸锌水溶液为前驱体溶液,在SiO2/Si衬底上成功的制备出ZnO薄膜。通过X-射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)对所得ZnO薄膜的晶体结构和微观形貌进行分析,发现随着衬底温度升高,ZnO薄膜c轴取向趋势增强,表面趋于光滑平整。研究表明,在前驱体溶液浓度为0.1 mol/L,衬底温度为320℃,载气流量为0.1 L/min,喷口到衬底的距离为60 cm、沉积30 min的实验条件下,生长出的ZnO薄膜为六方纤锌矿结构,且具有的高度c轴取向。
温媛杨成韬张树人
关键词:氧化锌超声雾化
铁电薄膜漏电流研究现状被引量:9
2006年
铁电薄膜的漏电流问题一直是困扰铁电存储器发展的重要问题。文章介绍了铁电薄膜的主要导电机理如热激发电子电导、空间电荷限制电流(SCLC)、Pool-Frenkel发射、肖特基发射等,影响漏电流大小的主要因素如薄膜厚度、工艺温度、晶粒尺寸、电极材料、搀杂离子等。同时介绍了漏电流对铁电薄膜极化和抗疲劳特性的影响。
杨艳张树人刘敬松张洪伟刘蒙
关键词:铁电薄膜漏电流导电机理
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