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冷轧低压电子铝箔退火加热过程中的再结晶和晶粒长大被引量：10: 2002年; 采用EBSD微取向分析、织构定量分析、晶粒尺寸分析等手段研究了低压电子铝箔不同退火加热过程对再结晶和晶粒长大行为的影响 ,并利用再结晶理论对相关过程进行了讨论。初次再结晶前的回复处理会明显降低冷轧铝箔的储存能及再结晶驱动力 ,并对再结晶晶粒尺寸和立方织构量产生规律性影响。特定的退火加热过程会诱发电子铝箔的晶粒异常长大 ,并导致立方织构量的明显下降。; 舒龙卫毛卫民冯惠平余永宁徐进; 关键词：电子铝箔退火再结晶晶粒长大立方织构

Formation of Copper Type Texture in Cold Rolled Aluminum Sheet: 2002年; The formation process of copper type rolling texture in f.c.c. metals was simulated based on a deformation model considering internal reaction stresses induced by the neighboring matrix as well as external shear stress induced by rollers. It is indicated that the external shear stress will reduce the brass type texture and increase the copper type texture obviously.; WeiminMAO; 关键词：TEXTURE ROLLING ALUMINUM

高纯电子铝箔立方织构形成的微观过程被引量：12: 2003年; 采用EBSD微取向分析方法,通过分析高纯铝箔冷轧后退火的再结晶初期立方取向晶核的形成过程及立方取向晶粒的长大行为,探讨了高纯铝箔中立方织构形成的微观过程.结果表明,在高纯铝箔轧制基体上没有发现立方取向{001}<100>的晶核优先形成,但是再结晶完成以后却会出现较强的立方织构,因此高纯铝箔立方织构的形成主要是借助于立方取向晶粒的取向生长机制实现的.立方取向晶核容易在S取向{123}<634>的形变晶粒之间产生.; 马英晓杨平余永宁毛卫民; 关键词：立方织构冷轧退火再结晶电容器

微量Mg对高压电子铝箔腐蚀结构的影响被引量：30: 2003年; 采用立方织构定量检测以及扫描电子显微镜下观察腐蚀结构等手段 ,对比了不同微量Mg元素含量的高压电解电容器阳极铝箔在织构和腐蚀结构上的差别 ,研究了Mg含量对高压电解电容器阳极铝箔比电容的影响。分析表明 :Mg含量从 0 .0 0 0 1%提高到 0 .0 0 14 %时 ,Mg会更多富集于铝箔表面 ,促使腐蚀形成的氧化膜中出现含Mg的复合氧化物微小颗粒 ,进而引起腐蚀隧道的侧向发展 ;频繁的侧向发展可导致表层腐蚀组织剥落 ,进而使铝箔在 5 0 0V的比电容从 7.3× 10 -3 F/m2 降低到 4 .3× 10 -3 F/m2 。; 毛卫民杨宏余永宁冯惠平徐进; 关键词：电解电容器铝箔镁扫描电子显微镜立方织构比电容

退火加热过程对高压电解电容器阳极铝箔立方织构的影响被引量：27: 2001年; 采用织构定量检测、EBSD微取向分析、晶粒尺寸分析等手段研究了退火加热过程对高压电解电容器阳极铝箔立方织构的影响。结果表明 :铝箔在最终退火加热中分别经历了初次再结晶和晶粒长大两个主要过程 ,两过程互有重叠 ,其中在 30 0℃适当完成初次再结晶并在 5 0 0℃促使立方取向晶粒长大有利于提高最终的立方织构量 ;在 5 0 0℃长时间加热有可能诱发晶粒异常长大 ,并降低立方织构量。; 徐进毛卫民冯惠平舒龙卫; 关键词：电子铝箔立方织构退火再结晶

Cu对高压电解电容器阳极铝箔再结晶织构的影响被引量：26: 2002年; 采用织构定量检测等方法研究了铜元素对高压电解电容器阳极铝箔立方织构的影响，讨论了相关的影响原理．结果表明，微量铜元素的变化会改变其在位错附近的偏聚状态，进而影响轧制铝箔的塑性变形过程和取向分布状态，因此铜元素会影响其再结晶行为和退火铝箔的立方织构量．较低的铜含量和较高的晶粒长大温度有利于立方织构占有率的提高．; 徐进毛卫民冯惠平舒龙卫; 关键词：CU 阳极铝箔再结晶织构电子铝箔轧制织构立方织构

晶界对低压电解电容器铝箔腐蚀结构的影响被引量：12: 2004年; 采用扫描电子显微镜和背散射电子取向成像技术分析研究了低压电解电容器用阳极铝箔的腐蚀结构、晶粒尺寸和晶界分布对比电容的影响及相关机理。结果表明,在铝箔的晶界附近,尤其是大角度晶界附近容易出现尺寸较大的腐蚀孔坑或沟道,造成腐蚀结构的不均匀性并降低比电容。该晶界优先腐蚀的现象起因于晶界的高缺陷密度和与之相应的腐蚀电流密度的局部集中。增加晶界密度可以降低杂质原子偏聚程度和电流密度分布的不均匀性,因此在一些特定的电化学腐蚀条件下可以借助减小晶粒尺寸的方式提高比电容。; 毛卫民陈垒萨丽曼余永宁李云峰; 关键词：电解电容器铝箔晶界扫描电子显微镜

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北京市自然科学基金(2002014)