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室温气敏型Fe_2O_3纳米膜的制备及表征被引量：3: 2009年; 针对传统Fe2O3气敏元件工作温度高、响应时间长等缺点，采用分析纯FeCl3·6H2O和乙醇为主要原料，以Al2O3陶瓷片为基底，利用溶胶凝胶法制备了Fe2O3纳米膜及气敏元件。利用XRD（X射线衍射）、AFM（原子力显微镜）对纳米膜的结构及形貌进行了表征，结合Fe2O3纳米膜的形成机理，主要讨论了镀膜次数对薄膜结构、性能的影响；研究了薄膜元件的阻温特性及室温气敏性能。结果表明：镀膜20次后，Fe2O3颗粒粒径约为20-30nm，镀膜30次后，纳米膜平整、均匀、无裂纹；室温下薄膜元件便对H2、CH4有一定的气敏效应，响应时间小于3s，灵敏度随气体浓度变化呈线性关系。; 刘海峰彭同江孙红娟马国华; 关键词：FE2O3 气敏室温

Cu掺杂α-Fe_2O_3纳米粉体的掺杂量分析与X射线衍射研究被引量：6: 2009年; 采用分析纯FeCl3.6H2O和NH3.H2O为主要原料,控制不同n(Cu2+)/n(Fe3+),利用均匀共沉淀法制备了Cu掺杂的α-Fe2O3纳米粉体。通过原子吸收光谱(AAS)和X射线衍射(XRD)分析了样品中Cu2+的掺杂量,并研究了掺杂对α-Fe2O3晶胞参数、晶粒度等的影响。结果表明,Cu掺杂α-Fe2O3仍为刚玉型结构,但晶胞参数a、b、c表现出增大趋势;Cu掺杂使α-Fe2O3晶体结构产生替位杂质缺陷,增大了α-Fe2O3的晶核生长活化能,使其晶粒度减小;随着Cu掺杂量的增大,α-Fe2O3的晶核生长活化能逐渐增大,晶粒度逐渐减小。该研究为α-Fe2O3半导体材料的性能及应用研究提供了指导。; 刘海峰彭同江孙红娟马国华; 关键词：Α-FE2O3 掺杂晶胞参数

Cu掺杂SnO_2纳米粉体的制备及气敏特性被引量：4: 2008年; 控制不同n（Cu^2＋）／n（Sn^4＋），用均匀共沉淀法制备了平均粒径约80nm的金红石型结构Cu掺杂SnO2纳米粉体；并以白云母为基片制备出Cu掺杂SnO2气敏元件。用TG—DSC、XRD、SEM对样品的相变、结构、形貌进行了分析，并测试了气敏元件的阻温特性和75℃氢气敏感性能。结果表明，Cu掺杂抑制了SnO2晶核的生长，使SnO2结晶度由约75％减小到50％，晶粒尺寸由约18nm减小到6nm；Cu掺杂使n型半导体SnO2的空气电阻值由1～8kΩ提高到9×10^5～3×10^7MΩ，并使元件在75℃对体积分数为2000×10^-6氢气的灵敏度提高约20倍；n（Cu^2＋）／n（Sn^4＋）≈0．01时，元件对体积分数为4000×10^-6氢气的灵敏度高达约42。; 孙红娟彭同江樊亮刘海峰; 关键词：SNO2 掺杂气敏

(Sn1-x,Ni2x)O2纳米颗粒膜的制备及半导体性能: 2009年; 为提高SnO2的半导体性能,以分析纯SnCl2.2H2O和NiCl2.6H2O为主要原料,控制不同n(Ni2+)/n(Sn2+),利用溶胶凝胶-浸渍提拉法制备了(Sn1-x,Ni2x)O2纳米颗粒膜及半导体元件。用XRD、AFM对样品的结构、形貌进行了分析,并测试了(Sn1-x,Ni2x)O2元件的半导体性能。结果表明,(Sn1-x,Ni2x)O2纳米颗粒膜表面椭球形颗粒排列致密,尺寸约30 nm,(Sn1-x,Ni2x)O2为金红石型结构,但Ni2+代替了SnO2晶格中的部分Sn4+,使其晶胞参数a轴长平均减小0.000 4 nm,c轴长平均减小0.000 3 nm;随n(Ni2+)/n(Sn2+)由0.006增大到0.03,(Sn1-x,Ni2x)O2的晶粒尺寸由约45 nm减小至约18 nm;随温度由30℃上升至150℃,n型(Sn1-x,Ni2x)O2半导体元件的电阻约减小至其10%,而纯净SnO2元件的电阻仅约减小至其15%;随n(Ni2+)/n(Sn2+)的增大,离子化杂质散射增强,(Sn1-x,Ni2x)O2内部载流子迁移率下降,元件在150℃左右的电阻也由4.8 kΩ增大至12.1 MΩ,提高了元件的半导体性能。; 刘海峰彭同江贾锐军孙红娟马国华; 关键词：半导体功能材料

掺杂纳米α-Fe_2O_3的微波合成与湿敏性能研究被引量：1: 2011年; 采用微波法制备出一系列刚玉结构的掺杂Sn4+和Zn2+的-αFe2O3纳米粒子,并用厚膜工艺将粉体涂在陶瓷基片上制成湿敏元件。通过对粉体的XRD测试与分析发现,部分Sn4+和Zn2+以类质同象的方式进入到α-Fe2O3晶格中代替Fe3+,改变了-αFe2O3的晶胞参数,同时晶粒尺寸减小,达到微细化的效果。测试了元件在不同湿度下的电阻,结果表明掺杂提高了-αFe2O3的湿敏性。; 孙红娟彭同江刘海峰梁晓璐; 关键词：Α-FE2O3 掺杂湿敏材料

Pd掺杂SnO_2纳米膜的制备及H_2敏感性能研究被引量：4: 2011年; 以分析纯SnCl2.2H2O和PdCl2为主要原料,控制不同n(Pd2+)/n(Sn2+),利用溶胶凝胶-浸渍提拉法制备了Pd掺杂SnO2纳米膜。用XRD、AFM对样品的结构、形貌进行了分析,并测试了Pd掺杂SnO2纳米膜的阻温特性和对H2敏感性能。结果表明,Pd掺杂SnO2纳米膜平整而致密,表面椭球形粒子颗粒尺寸约为20nm;Pd掺杂SnO2为金红石型晶体结构,但Pd2+进入SnO2晶格代替八面体中部分Sn4+,导致其晶胞参数比未掺杂SnO2略小;Pd掺杂SnO2纳米膜的电阻随温度升高而减小,表现出n型半导体阻温特性;随着Pd掺杂比例的增大,元件的电阻增大,其对H2的灵敏度先增大后减小,当掺杂比例为1%时对H2灵敏度最高。; 孙红娟刘海峰彭同江贾锐军; 关键词：SNO2 气敏性 H2

(Sn_(1-x),Co_(2x))O_2纳米粒子的制备及气敏性能研究: 2008年; 采用分析纯SnCl4.5H2O和NH3.H2O为主要原料,控制不同Co2+/Sn4+摩尔比,利用均匀共沉淀法制备了(Sn1-x,Co2x)O2纳米粉体样品,并以白云母为基片利用厚膜工艺制得气敏元件。对样品的结构、结晶性能和活性等分析发现,Co2+以类质同像的方式代替了SnO2晶格中的Sn4+,并引起了M—O键长、晶胞参数和M—O八面体电价平衡的非均一性,进而提高了粉体活性及n型半导体性能。在不同浓度H2中元件气敏性能测试表明,Co2+的引入提高了SnO2的H2灵敏度。元件的灵敏度与H2浓度之间具有较好的线性关系。实验得到了制备(Sn1-x,Co2x)O2气敏材料的最佳Co2+/Sn4+摩尔比。; 彭同江孙红娟刘海峰樊亮; 关键词：SNO2 气敏掺杂

纳米化Fe_2O_3粉体的制备与表征被引量：3: 2009年; 采用分析纯FeCl3.6H2O和NH3.H2O为主要原料,以均匀沉淀法制备了Fe2O3纳米粉体。通过X射线衍射(XRD)、红外光谱(IR)、扫描电子显微镜(SEM)及差热分析(DTA)等手段研究了热处理温度、分散剂、反应pH值对Fe2O3相变、结构、形貌及纳米属性的影响。结果表明:纳米化增大了Fe2O3的表面能,γ-Fe2O3转变为α-Fe2O3的温度仅为238.2℃,比常规粉体降低了约312℃;由于量子尺寸效应和表面效应,使用分散剂后α-Fe2O3纳米粉体的分散性、均匀性得到改善,粒径下降,Fe—O键伸缩及弯曲振动IR吸收频率发生蓝移;尤其是硬脂酸钠分散后α-Fe2O3的Fe—O伸缩、弯曲振动吸收频率分别蓝移11.57、10.93cm-1;获得了液相均匀沉淀法制备Fe(OH)3纳米粉体的最佳工艺条件。; 刘海峰彭同江孙红娟马国华; 关键词：纳米化

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四川省应用基础研究计划项目(07JY029-004)