北京市教育委员会科技发展计划(KM200810005002)
- 作品数：4 被引量：7H指数：2
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- 淀积在不同小倾角蓝宝石衬底的n型GaN的研究
- 2009年
- 采用金属有机物化学淀积技术在不同倾角(0°—0.3°)的蓝宝石衬底上外延n型GaN.通过原子力显微镜观察到n型GaN均呈台阶流生长模式,0.2°和0.3°倾角衬底的n型GaN表面台阶朝向相同、分布均匀,明显地看到在0°倾角衬底的n型GaN表面由台阶重构直接导致的台阶朝向随机分布、疏密不匀的形貌.电子背散射分析表明,在0°倾角衬底的n型GaN外延层的应力随外延厚度增加而增加,而0.2°和0.3°倾角衬底的n型GaN外延层的应力没有明显的变化.电学和光学特性研究表明,0.2°和0.3°倾角衬底的n型GaN有较高的电子浓度和较低的黄光带与近带边强度之比.
- 邢艳辉韩军邓军李建军沈光地
- 关键词：氮化物原子力显微镜光致发光
- 表面粗化高空穴浓度InGaN:Mg性能及其发光二极管应用被引量：4
- 2011年
- 利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上生长了InGaN:Mg薄膜,对不同源流量In-GaN:Mg材料特性进行了研究。光学和电学特性观测表明,当外延生长温度在760℃,三甲基铟(TMIn)摩尔流量不变时,随CP2Mg和Ⅲ族源摩尔比([CP2Mg]/[Ⅲ])增加,当In摩尔成分增加,空穴浓度也线性增加;当[CP2Mg]/[Ⅲ]比为1.12×10-3时获得4.78×1019cm-3高空穴浓度。通过原子力显微镜(AFM)观察到粗化的表面,采用InGaN:Mg薄膜作为接触层制备的发光二极管(LED)比常规LED的电荧光强度提高28%。
- 邢艳辉韩军邓军李建军徐晨沈光地
- 关键词：发光二极管(LED)
- MOCVD生长温度控制p型InGaN形貌和电学特性提高LED光功率被引量：1
- 2011年
- 利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上生长了InGaN∶Mg薄膜,通过改变外延生长温度优化p型InGaN∶Mg表面形貌和电学特性。在800℃,InGaN的空穴浓度为1.9×1019cm-3,电阻率较低,通过原子力显微镜观察到粗化的样品表面有很多圆丘,其均方根粗糙度是所有样品中最高的,综合粗化的表面和优化电学特性的p-InGaN接触层的LED光功率提高23%。
- 韩军邢艳辉邓军朱延旭徐晨沈光地
- 关键词：金属有机物化学气相淀积X射线双晶衍射
- p型GaN低温粗化提高发光二极管特性被引量：4
- 2010年
- 利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上低温生长GaN:Mg薄膜,对不同源流量的GaN:Mg材料特性进行优化研究.研究表明二茂镁(CP2Mg)和三甲基镓(TMGa)物质的量比([CP2Mg]/[TMGa])在1.4×10-3—2.5×10-3范围内,随[CP2Mg]/[TMGa]增加,晶体质量提高,空穴浓度线性增加.当[CP2Mg]/[TMGa]为2.5×10-3时获得空穴浓度与在较高温度生长获得的空穴浓度相当,且薄膜表面较粗糙.采用[CP2Mg]/[TMGa]为2.5×10-3的p型GaN层制备的发光二极管,在注入电流为20mA时,输出光强提高了17.2%.
- 邢艳辉韩军邓军李建军徐晨沈光地
- 关键词：金属有机物化学气相沉积原子力显微镜X射线双晶衍射
