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国家自然科学基金(60876059)
作品数:
1
被引量:3
H指数:1
相关作者:
张燕辉
李天信
陈平平
殷豪
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相关机构:
中国科学院
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发文基金:
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张燕辉
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物理学报
年份
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2010
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GaAs(001)衬底上分子束外延生长InNSb单晶薄膜
被引量:3
2010年
利用射频氮等离子辅助分子束外延(RF-MBE)技术在GaAs(001)衬底上生长稀氮InNSb半导体薄膜,并通过原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和拉曼散射光谱等测量手段对样品的微结构和N组分等进行了表征.结果显示样品有较好的晶体质量,N组分可高达0.84%(XRD的结果).本文还对样品的输运性质进行了表征,结果显示样品在室温下具有较低的载流子浓度和较高的迁移率.另外,初步研究表明在InSb中掺入N可导致其室温磁阻明显下降.
张燕辉
陈平平
李天信
殷豪
关键词:
分子束外延
X射线衍射
拉曼光谱
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