您的位置: 专家智库 > >

国家自然科学基金(60876054)

作品数:3 被引量:19H指数:2
相关作者:唐明华王勇张新川蒋波周益春更多>>
相关机构:湘潭大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金湖南省自然科学基金高等学校科技创新工程重大项目更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇存储器
  • 2篇亚微米
  • 2篇深亚微米
  • 2篇微米
  • 1篇设计方法
  • 1篇随机存储器
  • 1篇铁电
  • 1篇铁电薄膜
  • 1篇铁电存储器
  • 1篇静态随机存储...
  • 1篇仿真
  • 1篇非挥发性存储...
  • 1篇SRAM
  • 1篇HSPICE
  • 1篇掺杂改性

机构

  • 3篇湘潭大学

作者

  • 3篇唐明华
  • 2篇蒋波
  • 2篇张新川
  • 2篇王勇
  • 1篇周益春

传媒

  • 1篇材料导报
  • 1篇现代电子技术
  • 1篇电子与封装

年份

  • 3篇2009
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
铁电薄膜及铁电存储器的研究进展被引量:14
2009年
铁电薄膜是具有铁电性且厚度尺寸为数纳米到数微米的薄膜材料,因其在非挥发性铁电随机存储器方面的潜在应用而受到广泛关注。综述了新型无铅、无疲劳Bi4Ti3O12(BIT)基铁电薄膜材料的制备和改性及性能表征方法,阐述了铁电薄膜的3种失效机制及铁电薄膜存储器的研究现状,最后提出了铁电薄膜及存储器今后可能的研究方向。
周益春唐明华
关键词:铁电薄膜掺杂改性
一种深亚微米SRAM 6T存储单元的设计方法被引量:2
2009年
文章首先分析了静态随机存储器(SRAM)6T存储单元结构的基本工作原理,总结了6T存储单元的优缺点并介绍了存储单元的重要参数静态噪声容限(SNM)。在此基础上给出了一种基于实际深亚微米CMOS工艺的存储单元的设计方法,该方法的优势在于首先考虑单个读、写操作的限制,然后将多个限制因素综合在一起考虑,并通过三维曲线图形为仿真提供指导,以提高设计效率,缩短设计周期。最后给出了存储单元的晶体管参数并采用Hspice进行验证,仿真结果表明,采用这种方法设计出来的单元是稳定可靠的。
张新川王勇蒋波唐明华
关键词:静态随机存储器深亚微米仿真
一种新型深亚微米电流灵敏放大器的设计被引量:3
2009年
快速读取的灵敏放大器对于现代便携式电子设备极其重要。对此,设计出一种具有较快读取速度的新型电流灵敏放大器。这种灵敏放大器采用改进了的预充电电路,可以在预充电期间维持较大的预充电电流,并且采用两级放大电路对信号进行放大,使放大器的读取速度得到显著提高。采用上海宏力0.18μm工艺在HSpice下进行仿真,结果表明:在1.8 V工作电压和室温条件下,放大器的读取时间仅为13 ns。
王勇张新川唐明华蒋波
关键词:非挥发性存储器深亚微米HSPICE
共1页<1>
聚类工具0