国家自然科学基金(60876052)
- 作品数：2 被引量：4H指数：1
- 相关作者：徐跃杭徐锐敏国云川周建军陈勇波更多>>
- 相关机构：电子科技大学南京电子器件研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种简单高效的SiC MESFET寄生参数提取新方法
- 本文提出了一种新的SiC MESFET寄生参数提取方法,所有寄生参数仅需一组单偏置COLD FET反向截止条件下的测量S参数便可提出。文章首先在频带低端(f<5GHz)推导出寄生PAD电容C与C满足的数学表达式,然后以此...
- 黄文国云川徐跃杭徐锐敏
- 关键词：寄生参数小信号建模
- 文献传递
- 基于石墨烯谐振沟道晶体管的高频纳米机电系统信号读取研究
- 2012年
- 结合石墨烯场效应晶体管和机械谐振原理,研究了基于本地背栅石墨烯谐振沟道晶体管(RCT)的高频机械信号直接读取方法.利用机械剥离法获得的石墨烯,提出了一种基于刻蚀技术的器件制备方法,并实现了栅长和栅宽分别为1um的本地背栅RCT.实验结果表明,在室温下RCT的谐振频率范围为57.5-88.25 MHz.研究结果对加速石墨烯纳米机电系统和高频低噪声器件的应用有着重要作用.
- 徐跃杭国云川吴韵秋徐锐敏延波
- 关键词：石墨烯纳米机电系统
- GaN高电子迁移率晶体管高频噪声特性的研究被引量：4
- 2011年
- 基于FUKUI噪声模型,分析了GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的高频噪声特性,结果表明,由于GaN HEMT具有更高的临界电场和更大的电子饱和速度,与第2代半导体器件(GaAs HEMT等)相比具有更优越的噪声性能。对近10多年来国内外在GaN HEMT低噪声器件及其低噪声功率放大器单片集成电路(MMIC)方面的研究进行了综述,并分析了GaN HEMT在低噪声应用领域目前存在的主要问题及其发展趋势。
- 陈勇波周建军徐跃杭国云川徐锐敏
- 关键词：低噪声放大器
