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国家自然科学基金(60876067)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：张会媛黄燕邢怀中王基庆张蕾更多>>
相关机构：华东师范大学东华大学中国科学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇第一性原理
  • 1篇GAN
  • 1篇磁性

机构

  • 1篇东华大学
  • 1篇华东师范大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇张蕾
  • 1篇王基庆
  • 1篇邢怀中
  • 1篇黄燕
  • 1篇张会媛

传媒

  • 1篇红外与毫米波...

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
Si掺杂对缺陷诱导的GaN磁性的影响
2011年
利用第一性原理局域密度自旋近似方法,研究了缺陷诱导的GaN的内禀磁性以及Si掺杂对缺陷GaN磁性的影响.研究发现缺陷诱导GaN的内禀磁矩为3μB,Si掺杂后缺陷诱导的GaN磁矩发生淬灭为2μB.随Si含量的增加磁矩进一步减少.该理论结果对实验有指导意义.
张蕾邢怀中黄燕张会媛王基庆
关键词：第一性原理磁性
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共1页<1>
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