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国家自然科学基金(60876067)
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张会媛
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张蕾
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Si掺杂对缺陷诱导的GaN磁性的影响
2011年
利用第一性原理局域密度自旋近似方法,研究了缺陷诱导的GaN的内禀磁性以及Si掺杂对缺陷GaN磁性的影响.研究发现缺陷诱导GaN的内禀磁矩为3μB,Si掺杂后缺陷诱导的GaN磁矩发生淬灭为2μB.随Si含量的增加磁矩进一步减少.该理论结果对实验有指导意义.
张蕾
邢怀中
黄燕
张会媛
王基庆
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