您的位置： 专家智库 > >

国家自然科学基金(60876038)

作品数：10 被引量：38H指数：5
相关作者：贺永宁张雯崔吾元彭文博赵小龙更多>>
相关机构：西安交通大学中国空间技术研究院长安大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金武器装备预研基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术化学工程理学更多>>

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 7篇电子电信
  • 4篇一般工业技术
  • 3篇化学工程
  • 2篇理学
  • 1篇电气工程

主题

  • 9篇纳米
  • 7篇纳米线
  • 6篇ZNO纳米
  • 5篇ZNO纳米线
  • 4篇光致
  • 4篇光致发光
  • 4篇发光
  • 3篇氧化锌纳米
  • 3篇紫外探测
  • 3篇半导体
  • 3篇ZNO
  • 3篇ZNO薄膜
  • 2篇氮化镓
  • 2篇氧化锌纳米线
  • 2篇砷化镓
  • 2篇探测器
  • 2篇紫外探测器
  • 2篇线阵列
  • 2篇纳米线阵列
  • 2篇半导体纳米线

机构

  • 12篇西安交通大学
  • 4篇中国空间技术...
  • 1篇长安大学
  • 1篇西北核技术研...

作者

  • 12篇贺永宁
  • 7篇张雯
  • 4篇崔吾元
  • 3篇赵小龙
  • 3篇崔万照
  • 3篇彭文博
  • 2篇侯洵
  • 2篇康雪
  • 2篇张庆腾
  • 1篇刘卫华
  • 1篇张瑞智
  • 1篇张忠兵
  • 1篇刘金良
  • 1篇王东
  • 1篇陈亮
  • 1篇朱长纯
  • 1篇欧阳晓平
  • 1篇叶鸣
  • 1篇徐友龙
  • 1篇文常保

传媒

  • 2篇物理学报
  • 2篇硅酸盐学报
  • 1篇化学工业与工...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇西安交通大学...
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇压电与声光

年份

  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 4篇2010
  • 1篇2009
  • 2篇2008
共 10 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
基于粗糙表面模型的MIM结构的三阶无源互调研究
本文对天线系统中波导连接形成的MIM结构所产生的无源互调（PassiveIntermodulation,简称PIM）进行了理论分析模拟。基于粗糙表面接触模型建立了MIM结构的等效电路模型,然后采用幂级数法计算三阶PIM功...
叶鸣贺永宁崔万照孙勤奋王新波徐友龙
关键词：无源互调等效电路
文献传递
ZnO半导体电导型X射线探测器件研究被引量：2
2014年
本文制备了基于ZnO纳米线阵列和ZnO薄膜的Ag-ZnO-Ag电导型X射线探测器件,研究了它们对X射线的响应特性.薄膜器件在100 V偏置时的响应度达到0.12μC/Gy,纳米线阵列器件在50 V偏压下的响应度达到0.17μC/Gy.器件工作机理研究表明,器件的响应过程与表面氧吸附与解吸附效应有关,氧气吸附与解吸附过程使得X射线辐照下的载流子寿命大幅度增加,从而使得器件对X射线具有较高的响应度.本文研究结果表明ZnO薄膜和纳米线阵列器件在X射线剂量测量领域具有应用前景.
赵小龙康雪陈亮张忠兵刘金良欧阳晓平彭文博贺永宁
关键词：ZNO薄膜ZNO纳米线X射线探测氧吸附
宽温区内ZnO纳米线的CVD可控生长方法研究被引量：4
2012年
以Zn粉为材料,采用CVD法在宽温区内可控生长ZnO纳米线。利用SEM对产物进行了微观分析,考察了反应温度与升温时间对ZnO纳米线形貌的影响。用ZnO纳米线制成光电导型紫外光探测器,并测试了该器件的性能,考察了所得ZnO纳米线的光电特性。研究工作表明:用CVD法制备ZnO纳米线时的反应温度不限于某一个特定值,而是常压下在419.5℃以上的温区内均可进行,该宽温区ZnO纳米线CVD合成法的关键在于优化和匹配生长温度与加热时间两个参数。对紫外光探测器的性能测试结果表明,ZnO纳米线具有良好的紫外光电响应特性。
马可贺永宁张松昌刘卫华
关键词：ZNO纳米线
ZnO半导体纳米线/PVA复合结构的制备及其紫外发光特性
采用高纯Zn粉氧化工艺在常压、盲口石英舟及生长温度600℃时得到了形貌一致、产额高的ZnO半导体纳米线粉;将该ZnO半导体纳米线粉分散在PVA中并通过热聚合形成了ZnO半导体纳米线/PVA复合结构膜。研究表明,PVA为Z...
贺永宁张雯崔吾元崔万照王东朱长纯侯洵
文献传递
ZnO半导体纳米线/PVA复合结构的制备及其紫外发光特性被引量：1
2008年
采用高纯Zn粉氧化工艺在常压、盲口石英舟及生长温度600℃时得到了形貌一致、产额高的ZnO半导体纳米线粉;将该ZnO半导体纳米线粉分散在PVA中并通过热聚合形成了ZnO半导体纳米线/PVA复合结构膜。研究表明,PVA为ZnO半导体纳米线提供了隔离和支撑。而且光致发光结果显示这种复合结构膜具有较强的紫外带边发射特性,同时由于聚合物的表面钝化作用使得由纳米线表面缺陷引起的深能级辐射发光峰得到抑制。这种半导体复合膜还具有易于移植、可图形化的工艺特点,对ZnO半导体纳米线光电器件的制作与开发具有重要价值。
贺永宁张雯崔吾元崔万照王东朱长纯侯洵
声表面波ZnO薄膜紫外探测器的响应机制研究被引量：7
2014年
通过射频磁控溅射法在以128°Y-X LiNbO3为压电衬底的声表面波(SAW)小波器件上沉积了一层ZnO薄膜作为紫外光敏感膜,利用网络分析仪对所制备探测器的紫外光响应特性进行了测试。实验结果表明,在波长365nm、光强210μW/cm2的紫外光照射下,探测器的频移量最大可达到37kHz,且具有良好的可重复性。探测器的紫外光响应过程和暗场恢复过程均包含了一个快过程和一个慢过程,前者决定于ZnO薄膜表面氧气分子的吸附与解吸附过程,而后者则决定于外界氧气分子与ZnO内部本征缺陷间的慢交换过程。最后,结合声电效应和半导体光电导效应分析给出了探测器紫外光响应过程和暗场恢复过程的理论公式。该文对基于ZnO薄膜的高灵敏度SAW紫外探测器响应机制的揭示,为其瞬态特性的改善和实用化提供了思路。
彭文博贺永宁赵小龙刘晗康雪文常保
关键词：声表面波ZNO薄膜本征缺陷
ZnO纳米线膜的可控生长及其量子限域效应研究被引量：7
2010年
针对ZnO半导体低维纳电子/光电子器件中纳米线膜的可控性差及其所导致的特性不稳定问题,利用ZnO纳米籽晶层作为引导层,以实现ZnO纳米线膜的垂直取向生长和尺度分布可控制备,并研究低维量子限域效应对ZnO纳米线膜光电特性的影响机制,利用湿化学法在氧化铟锡导电玻璃上制备ZnO籽晶层,随后利用低温水热法进行ZnO纳米线膜的引导生长,样品的显微结构和物相分析表明,通过调节籽晶热处理温度和生长液浓度能够实现ZnO纳米线直径在10～100nm内可调,籽晶热处理温度对纳米线尺度分布影响尤其显著.室温光致发光(PL)谱测试及分析表明,直径小于20nm的ZnO纳米线薄膜样品的PL谱的近紫外带边发射峰相比于更大直径的纳米线样品发生了明显的蓝移,而且半高宽显著减小.利用量子限域效应理论对PL谱带边发射峰随纳米线的尺度分布发生变化的规律进行了合理分析.
张雯张庆腾贺永宁
关键词：ZNO纳米线光致发光量子限域效应
基于高阻ZnO薄膜的光电导型紫外探测器被引量：8
2015年
本文通过射频磁控溅射法在玻璃衬底上沉积一层ZnO薄膜,制备了Al-ZnO-Al结构光电导型紫外探测器件,并在室温下测试了所制备器件的暗场特性及其对紫外线的响应特性.暗场条件下器件电流特性测试结果表明所制备的ZnO薄膜电阻率达到了3.71×109?·cm,是一种高阻薄膜.在波长365 nm,光强303μW/cm2的紫外线照射下,薄膜的电阻率为7.20×106?·cm,探测器明暗电流比达到了516.40 V偏置电压条件下周期性开关紫外线照时,探测器的上升和下降时间分别为199 ms和217 ms,响应速度快且重复性好,并利用ZnO半导体表面复合慢过程和体复合快过程对瞬态响应过程进行了理论拟合分析.本文研究结果表明,高阻ZnO薄膜紫外探测器具有良好的紫外光电响应特性.
祁晓萌彭文博赵小龙贺永宁
关键词：紫外探测快速响应
ZnO纳米墙薄膜的低温水热制备及其性能研究被引量：2
2010年
利用控制水解浸涂法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃上制备籽晶层,进而通过低温水热法和热处理获得了独特的氧化锌(ZnO)纳米墙薄膜结构。通过X射线衍射谱(XRD)、扫描电镜(SEM)、光电子能谱(EDS)、红外光谱(FTIR)、紫外-可见光谱(UV-Vis)和光致发光谱(PL)等对薄膜的形貌、组成和结构进行了分析表征。研究表明,ZnO纳米墙由20～100 nm厚的片层交织而成,在热处理前薄膜的组成为混合的ZnO、醋酸锌(ZnAc)和羟基醋酸锌(Zn-LHS),经500°C热处理脱除CO2、H2O等小分子后基本完全转变为ZnO,而原有层状交织纳米墙结构保留下来。室温PL谱显示薄膜在383 nm处有较强烈的紫外激发峰。结合晶体生长理论探讨了ZnO纳米墙薄膜的生长机制。
张雯贺永宁崔万照
关键词：ZNO光致发光
ZnO纳米线阵列的籽晶控制生长及其紫外探测性能被引量：5
2010年
分别利用磁控溅射沉积、溶胶-凝胶浸涂及旋涂等方法在氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)导电玻璃上得到籽晶层,然后通过低温水热法获得了ZnO纳米线阵列。通过X射线衍射、扫描电镜、透射电镜、光致发光谱等测试手段对不同方法获得的ZnO籽晶和纳米线阵列进行了表征和研究。进而在光刻有银电极的ITO玻璃基片上制备出紫外探测原型器件,测试了其紫外响应特性,并结合ZnO纳米线表面特性讨论了器件的紫外响应机理。结果表明:溶胶-凝胶旋涂获得的籽晶最小,生长出的纳米线长径比最高,直径最细,取向性也最好。对应的室温光致发光谱在近带边有优良的激发峰,而可见区的发光峰受到明显抑制。旋涂和浸涂籽晶获得的紫外探测样品响应迅速,但恢复较慢;磁控溅射籽晶样品有较优的响应和恢复特性,但信号强度较低。
张雯贺永宁张庆腾崔吾元侯洵
关键词：氧化锌纳米线湿化学法光致发光紫外探测
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0