国家自然科学基金(60876011)
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
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- 相关机构：深圳信息职业技术学院中国科学院更多>>
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- 相关领域：电子电信理学更多>>
- GaN衬底上纳米点阵列的制备及其应用研究被引量：2
- 2011年
- 研究了纳米掩膜在材料外延生长及器件制备中的应用。通过电化学腐蚀和电子束蒸发方法在GaN表面生成Ni和SiO2纳米点阵列,经过等离子体刻蚀在Ni/GaN模板上形成GaN纳米锥形结构;利用氢化物气相外延(HVPE)方法,在SiO2/GaN模板上制备厚膜GaN材料。X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)谱测试表明,SiO2纳米点阵能有效阻挡衬底中位错往上延伸,大大降低外延层中位错密度,并有利于厚膜GaN中应力释放。
- 王新中于广辉李世国
- 关键词：GAN
- GaN基板上超薄阳极氧化铝的制备
- 2011年
- 在草酸溶液中对GaN基板上超薄Al膜进行阳极氧化,结合扫描电镜对阳极氧化铝形貌进行表征,系统研究了超薄Al膜的腐蚀条件和氧化过程,以及Al膜的厚度,反应变化时间和实验难度系数之间的关系。多孔状阳极氧化铝的孔径、分布及有序度等对氧化电压、氧化时间、电解液温度和溶液浓度等参数较为敏感。通过深层次的机理分析,给出了相应的合理解释。在此基础上,优化了超薄阳极氧化铝的制备参数,提升了实验的稳定性及重复性,促进了阳极氧化铝在GaN材料和器件中的应用。
- 王新中于广辉李世国
- 关键词：氮化镓阳极氧化铝铝电化学超薄
- 氮化镓晶体刻蚀损伤及其回复方法研究
- 2011年
- 干法刻蚀中高能量等离子体轰击将不可避免地在氮化镓材料表面引起损伤,这些表面损伤可能会严重影响氮化镓(GaN)材料质量和器件的性能。本文研究了干法刻蚀对GaN晶体表面粗糙度、光学特性和电学性能影响,同时分析了刻蚀损伤的回复方法,并给出了相应机理解释。
- 王新中李世国
- 关键词：氮化镓干法刻蚀
