中国博士后科学基金(20080441164)
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
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- 利用Raman光谱测定硅(100)晶面单轴应变的应变系数
- 2010年
- 建立了表征晶体硅应变量的晶格振动模型,首次计算获得(100)晶面单轴应变硅应变系数b为-336.6cm-1;通过建立的利用Raman光谱测量晶体硅单轴应变量的实验装置,首次获得装置中螺钉旋进量与应变硅应变量的关系;利用波长648nm的Raman激光谱测量了螺钉旋进量为1.5mm时,Raman频移为0.47cm-1,获得(100)晶面单轴应变硅应变系数b为-335.7cm-1.结果与晶格振动模型基本吻合,说明建立的利用Raman光谱频移法表征晶体硅应变量方法的有效性.
- 段宝兴杨银堂
- 关键词：RAMAN光谱应变硅晶格振动
- CMOS双层可变功函数金属栅技术被引量：1
- 2010年
- 针对发展高速、低功耗CMOS电路,分析了CMOS技术对多层金属栅的要求;对于不同金属厚度的双层金属栅,利用MOS系统能带的变化得出半导体与多层金属功函数差取决于底层金属的功函数,这为只通过调节底层金属功函数以达到改变CMOS阈值电压提供了理论依据;利用不同厚度的双层金属系统能带变化分析获得,当多层金属栅的底层金属厚度小于其最大偶极层厚度时,功函数较厚膜材料变大,达到"厚度调变功函数"效应。
- 段宝兴杨银堂
- 关键词：CMOS阈值电压
- 应变硅的应变量表征技术被引量：2
- 2010年
- 本文针对CMOS电路关键技术的发展,首先分析了应变硅技术包含的四个领域,总结得出从客观和主观两个方面,应变技术已成为微电子发展的关键技术;侧重于应变硅中应变量的表征介绍了常用的方法：Raman光谱频移法、会聚束电子衍射法、四点应变量测法、ANSYS模拟分析法,为应变硅技术在CMOS技术中的应用提供科学参考。
- 段宝兴杨银堂
- 关键词：CMOS应变硅RAMAN光谱
