国家高技术研究发展计划(2002AA311240)
- 作品数：3 被引量：31H指数：3
- 相关作者：符松陈海昕刘奕杨云柯高立华更多>>
- 相关机构：清华大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信航空宇航科学技术更多>>
- 用可实现k-ε模式对细长体大攻角分离流场的数值模拟被引量：10
- 2006年
- 利用一种符合可实现性条件的k-ε两方程模式,通过求解可压缩性Navier-Stokes方程,数值模拟了细长旋成体在M=2.5和0.7、中等大攻角下的湍流绕流流场。定性分析了背风面分离涡的发展过程和湍流粘性比等流动特征,对背风面主涡强度和涡核位置、物面压力分布、集中力和力矩与已有的试验结果进行了细致的定量对比,证实了数值模拟的有效性。
- 刘仙名符松
- 关键词：细长体湍流分离涡
- 喷淋式GaN-MOCVD反应室的CFD数值仿真及优化被引量：12
- 2007年
- 利用计算流体力学(CFD)方法对某型立式喷淋式金属有机物化学气相沉积(MOCVD)反应室流场进行了三维数值仿真,研究了影响MOCVD反应室流场结构的各工作参数(流量、温度、压力)的作用机制,并对试制中的MOCVD设备的几何结构及进气方式进行了改进,采用了圆弧形过渡拐角及泊肃叶型入口速度剖面,以形成稳定均匀的流场,从而保证氮化镓(GaN)的生长质量。
- 杨云柯高立华陈海昕符松
- 关键词：氮化镓MOCVD计算流体力学数值仿真优化设计
- GaN-MOCVD设备反应室流场的CFD数值仿真被引量：15
- 2004年
- 采用计算流体力学方法对生长半导体材料 Ga N的重要设备 MOCVD(金属有机物化学气相沉积 )反应室中的流场结构进行了三维数值仿真 .数值模拟采用基于非交错网格系统的 SIMPL E算法 ,用有限体积方法对控制方程进行离散 ,并采用改进的压力 -速度耦合方法进行求解 .数值仿真给出了具有复杂几何结构和运动方式的 Ga N-MOCVD反应室中的流场结构 ,研究了改变几何尺寸和运行参数对 MOCVD反应室流场结构的影响 ,对正在试制开发中的 MOCVD设备的几何结构的改进和运行参数的优化提出了指导性建议 .
- 刘奕陈海昕符松
- 关键词：CFDGANMOCVD数值仿真
