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国家重点基础研究发展计划(2002CB311905)

作品数:23 被引量:21H指数:2
相关作者:张世林郭维廉梁惠来毛陆虹齐海涛更多>>
相关机构:天津大学中国科学院北京师范大学更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信电气工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 23篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 21篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 5篇晶体管
  • 4篇异质结
  • 3篇电路
  • 3篇负阻
  • 2篇电池
  • 2篇电路模拟
  • 2篇异质结晶体管
  • 2篇异质结双极晶...
  • 2篇色散
  • 2篇色散效应
  • 2篇双极晶体管
  • 2篇太阳电池
  • 2篇探测器
  • 2篇光电
  • 2篇负阻特性
  • 2篇HBT
  • 1篇低能
  • 1篇低能量
  • 1篇电流峰谷比
  • 1篇电路单元

机构

  • 15篇天津大学
  • 9篇中国科学院
  • 1篇北京师范大学
  • 1篇南开大学
  • 1篇澳大利亚国立...
  • 1篇北京工业大学
  • 1篇石家庄铁道学...
  • 1篇天津工业大学

作者

  • 15篇郭维廉
  • 15篇张世林
  • 13篇梁惠来
  • 12篇毛陆虹
  • 8篇齐海涛
  • 5篇陈诺夫
  • 4篇莫太山
  • 4篇郑云光
  • 4篇宋瑞良
  • 3篇彭长涛
  • 3篇王占国
  • 2篇周均铭
  • 2篇刘志凯
  • 2篇钟鸣
  • 2篇柴春林
  • 2篇谢生
  • 2篇李建恒
  • 2篇戴瑞烜
  • 2篇杨少延
  • 2篇白一鸣

传媒

  • 12篇Journa...
  • 2篇半导体技术
  • 2篇Transa...
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇电子学报
  • 1篇光子学报
  • 1篇高技术通讯
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微电子学
  • 1篇天津大学学报

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 4篇2007
  • 4篇2006
  • 8篇2005
  • 4篇2004
  • 1篇2003
23 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
肖特基栅型共振隧穿三极管器件模型的研究
2010年
基于共振隧穿二极管(RTD)的电流-电压方程,结合对肖特基栅型共振隧穿三极管(SGRTT)物理机制的分析和计算,推导出了SGRTT器件的器件模型。根据实际器件的材料结构、版图参数等指标计算得到的SGRTT器件模型,能很好地与实际器件的特性相吻合。利用PSPICE软件,该模型可准确快捷地实现电路功能验证和仿真,此项研究的结果为共振隧穿器件的电路集成和研制奠定了基础。
宋瑞良毛陆虹郭维廉谢生齐海涛张世林梁惠来
关键词:肖特基接触
离子束外延技术与新材料研究
介绍了离子束外延(Ion-Beam Epitaxy,IBE)技术的工作原理、工艺特点以及设备的发展概况。重点阐述了IBE新材料应用研究的国内外发展现状,包括元素半导体薄膜、宽带隙化合物半导体薄膜、磁性半导体薄膜、稀土氧化...
杨少延柴春林刘志凯陈涌海陈诺夫王占国
文献传递
光电双向负阻晶体管的数值模拟与实验研究
2004年
光电双向负阻晶体管 (PBNRT)是一种新型S型光电负阻器件 .本文对它的光电负阻特性进行了数值模拟和实验研究 ,给出了器件等效电路 .PBNRT在光电混合工作模式下具有光控电流开关效应 ,可通过光照和控制电压两种控制方式改变器件的S型负阻特性 .模拟和实验结果均表明 :光照强度增大 ,维持电压基本保持不变 ,转折电压减小 ,负阻电压摆幅减小 ;而增大控制电压 ,维持电压和转折电压均增大 ,输出负阻特性曲线右移 .上述特点使得PBNRT可望在光电开关、光控振荡和光电探测等方面有很好的应用前景 .
莫太山张世林郭维廉梁惠来毛陆虹郑云光
关键词:光控电流开关数值模拟
三端双向负阻晶体管的二维数值模拟及分析
2004年
 对双向负阻晶体管(BNRT)的三端特性进行了数值模拟,得到了器件S型负阻曲线。根据BNRT不同工作状态下的内部电势、电子浓度和空穴浓度分布,解释了其S型负阻特性的产生机理。模拟分析了负阻曲线随控制电压变化的情况。结果表明,随控制电压的增大,转折电压、转折电流和维持电压均增大。最后,对不同结构和工艺参数的三端BNRT进行了模拟,总结出器件结构和工艺参数对负阻特性的影响。
莫太山张世林郭维廉梁惠来毛陆虹郑云光
新型恒压控制型负阻HBT的研制进展
2007年
研究了HBT产生负阻的可能机制,通过对材料结构和器件结构的特殊设计,采用常规台面HBT工艺,先后研制出3类高电流峰谷比的恒压控制型负阻HBT。超薄基区HBT的负阻特性是由超薄基区串联电阻压降调制效应造成的,在GaAs基InGaP/GaAs和AlGaAs/GaAs体系DHBT中均得到了验证。双基区和电阻栅型负阻HBT均为复合型负阻器件。双基区负阻HBT通过刻断基区,电阻栅负阻HBT通过在集电区制作基极金属形成集电区反型层,构成纵向npn与横向pnp的复合结构,由反馈结构(pnp)的集电极电流来控制主结构(npn)的基极电流从而产生负阻特性。3类负阻HBT与常规HBT在结构和工艺上兼容,兼具HBT的高速高频特性和负阻器件的双稳、自锁、节省器件的优点。
齐海涛郭维廉张世林
关键词:负阻异质结双极晶体管电流峰谷比
双沟道实空间电子转移晶体管的设计、研制和特性测量被引量:1
2008年
采用双沟道结构和GaAs衬底,成功设计研制了双沟道实空间电子转移晶体管.它具有RSTT典型的"Λ"形负阻I-V特性和较宽的平坦谷值区.通过栅压可改变各种负阻参数值,当栅压从0.6V增至1.0V时,PVCR的变化范围是2.1~10.6,峰值电流跨导约为3×10-4S.负阻参数VP,VV和开始产生负阻的栅极阈值电压都小于国际上同类器件的报道值,因此更适合低功耗的运用.
郭维廉张世林梁惠来齐海涛毛陆虹牛萍娟于欣王伟王文新陈宏周均铭
关键词:电子转移器件
Ferromagnetic MnSb Films Consisting of Nanorods and Nanoleaves
2007年
Ferromagnetic MnSb films were synthesized on Si wafers by physical vapor deposition. X-ray diffraction revealed that the films primarily consisted of MnSb alloy. Nanorods and nanoleaves were observed in the MnSb films by field-emission scanning electron microscopy. These nanorods had an average diameter of 20nm and a length of up to hundreds of nanometers. The nanoleaves had a width and thickness of about 100 and 20nm, respectively. Magnetic hysteresis loops were measured by an alternative gradient magnetometer, and the loops showed strong geometrical anisotropy.
戴瑞烜陈诺夫张兴旺彭长涛吴金良
关键词:FERROMAGNETICMNSB
薄基区异质结晶体管的负阻特性与分析
2006年
采用分子束外延方法生长了8 nm基区的InGaP-GaAs双异质结材料,研制成具有负阻特性的异质结晶体管.该晶体管可以集成在高速高频的数字逻辑电路中,大大减少了器件数目.讨论了薄基区负阻异质结晶体管的负阻特性及其物理机制.器件负阻特性的产生与其结构密切相关,包括导带势垒尖峰和基区宽度负反馈效应.推出了物理公式,并且使用PSPICE模拟软件建立了电路模型.模拟结果符合制作器件的测量结果.
张世林李建恒郭维廉齐海涛梁惠来
关键词:异质结晶体管负阻特性电路模拟
Comparison and Analysis of Two Microwave Equivalent-Circuit Models for Resonant Tunneling Diode
2004年
The distinction between two microwave equivalent-circuit models,quasi Esaki tunneling model (QETM) and quantum well injection transit model (QWITM),for the resonant tunneling diode (RTD) is discussed in details,and two groups of circuit parameters are extracted from experiment data by the least square fit method.Both theory analysis and the comparison of fit results demonstrate that QWITM is much more precise than QETM.In addition,the rationality of QWITM circuit's parameters confirms it too.On this basis,the resistive frequency is calculated,whose influence factors and improvement method are simply discussed as well.
钟鸣张世林郭维廉梁惠来毛陆虹
用变温法测量RTD串联电阻被引量:1
2009年
用变温法测量了GaAs基共振隧穿二极管(RTD)器件的串联电阻参数。与网络分析仪法不同,变温法是通过测量RTD器件在不同温度下的I-V特性曲线,用数学方法求解曲线特定区域的相关参数得到串联电阻值。为了便于对比,设计并研制了两种发射极面积的RTD器件,经测量发现,发射极面积对于RTD的串联电阻有较大影响。对其产生原因进行了详细的分析,为RTD在高频电路中的应用奠定了基础。
宋瑞良毛陆虹郭维廉谢生齐海涛张世林梁惠来
关键词:共振隧穿二极管串联电阻
共3页<123>
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