国家高技术研究发展计划(863-715-010)
- 作品数：8 被引量：4H指数：1
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- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- GAT的优化设计分析
- 2001年
- 通过作者最近建立的关于电力半导体器件 GAT的集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型即《GAT栅屏蔽效应二维解析模型》、《GAT实现高频率与高基区穿通电压兼容特性分析》以及《GAT实现高电流增益与高雪崩击穿电压兼容特性分析》,定量研究了优化设计 GAT的材料参数和结构参数的关系。
- 庄宝煌黄美纯朱梓忠李开航
- 关键词：功率器件优化设计电力半导体器件
- GAT栅屏蔽效应二维解析模型被引量：3
- 2000年
- 建立了 GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型 ,定量研究了GAT的栅屏蔽效应的解析表达式 ,并借助计算机对栅屏蔽效应给以证实。该模型可供优化设计双极型高频、高压、低饱和压降功率器件参考。
- 庄宝煌黄美纯朱梓忠李开航
- 关键词：功率器件屏蔽效应解析模型
- GAT实现高频率与高基区穿通电压兼容特性分析被引量：1
- 2000年
- 通过作者最近建立的关于 GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型 ,定量研究了 GAT的基区穿通电压 VPI,并且解释了该器件实现高频率与高电压兼容的实验结果。
- 庄宝煌黄美纯朱梓忠李开航
- 关键词：兼容性功率晶体管
- GAT实现高电流增益与高雪崩击穿电压兼容特性分析被引量：1
- 2000年
- 通过作者最近建立的关于电力半导体器件 GAT的集电结耗尽层电位分析和电场分布的二维解析模型定量研究了 GAT的雪崩击穿特性 ,并且定量解释了该器件实现高击穿电压与高电流增益兼容的实验结果。
- 庄宝煌黄美纯朱梓忠李开航
- 关键词：电流增益兼容性功率晶体管
- GAT双极晶体管的高频高压兼容特性被引量：1
- 2000年
- 建立了 GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型 ,定量研究了 GAT的栅屏蔽效应和 GAT的基区穿通电压 VPI,并且解释了该器件实现高频率与高电压兼容的实验结果 .该模型可供优化设计双极型高频、高压。
- 庄宝煌黄美纯朱梓忠李开航吴丽清
- 关键词：双极晶体管
- 耦合量子点的反常极化
- 2000年
- 耦合量子点体系可以在激发态实现逆电性.在外电场中,耦合量子点产生极化.通过光激发,其感应电偶极矩反转.
- 徐晓华姜浩傅荣堂孙鑫
- 关键词：耦合量子点
- 用GAT器件实现高电压与高频率、高电流增益兼容的定量分析
- 1999年
- 通过作者最近建立的关于GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型。
- 庄宝煌黄美纯朱梓忠张志鹏李开航吴丽清
- 关键词：功率器件电流增益
- 抗核辐照功率晶体管GAT优化设计的必要条件
- 2000年
- 通过关于电力半导体器件 GAT的集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型定量研究了优化设计 GAT的工艺参数和结构参数的关系 ,即抗核辐照器件
- 庄宝煌黄美纯朱梓忠张志鹏李开航吴丽清
- 关键词：优化设计功率晶体管工艺参数
