国家重点基础研究发展计划(2002CB311901)
- 作品数：5 被引量：10H指数：2
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- 相关机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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- 相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>
- 增强型InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT小信号等效电路参数的提取(英文)被引量：1
- 2007年
- 介绍了增强型InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT小信号等效电路中元件参数值的提取方法,并利用IC-CAP软件EEHEMT1模型提取了参数.利用ADS软件验证了提参结果,ADS仿真的直流I-V曲线和S参数与实测结果基本吻合.结果表明EEHEMT1模型可以用于提取增强型PHEMT参数,并且具有可操作性.
- 徐静波尹军舰张海英李潇刘亮叶甜春
- 关键词：增强型PHEMT小信号等效电路
- GaAs基E/D PHEMT技术单片集成微波开关及其逻辑控制电路被引量：6
- 2008年
- 利用GaAs基E/DPHEMT技术单片集成微波开关及其逻辑控制电路的制作工艺和设计方法,采用0.8μm GaAs E/D PHEMT工艺,制备出性能良好的解码器功能内置的DC^10GHz SPDT MMIC,基本实现逻辑电路与开关电路的集成.开关电路在DC^10GHz内插入损耗小于1.6dB,隔离度大于24dB;整个电路只需要1位控制信号,有效地减少了开关电路的控制端口数目,节省了芯片面积,为GaAs多功能电路的研究奠定了基础.
- 黎明张海英徐静波付晓君
- 关键词：逻辑控制电路
- 一种高增益平坦度MMIC功放单片的调试方法被引量：2
- 2007年
- 通过对自主流片的MMIC功率放大器单片的调试,总结出了一套行之有效的MMIC的调试方法.试验结果表明这种将电路仿真和实际测试相结合的方法,有效地减小由于模型和工艺误差带来的电路性能的降低,对于以后MMIC电路特别是功放的电路的调试工作起到了一定指导作用.
- 朱旻梁晓新陈立强郝明丽张海英刘训春
- 关键词：功放HBTMMIC
- 增强型InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT栅退火工艺(英文)
- 2008年
- 针对InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT器件,进行了Ti/Pt/Au和Pt/Ti/Pt/Au两种栅金属结构的退火实验,通过实验研究比较,得到了更适用于增强型器件的退火工艺,利用Ti/Pt/Au结构,在320℃退火40min,使器件阈值电压正向移动大约200mV,从而成功制作了高成品率的稳定一致的增强型器件,保证了增强型器件阈值电压在零以上.
- 黎明张海英徐静波李潇刘亮付晓君
- 关键词：PHEMT退火阈值电压环形振荡器
- 单片集成0·8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管被引量：1
- 2007年
- 优化了GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)的外延结构,有利于获得增强型PHEMT的正向阈值电压.采用光学接触式光刻方式,实现了单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/In-GaAs增强/耗尽型PHEMT.直流和高频测试结果显示:增强型(耗尽型)PHEMT的阈值电压、非本征跨导、最大饱和漏电流密度、电流增益截止频率、最高振荡频率分别为0.1V(-0.5V),330mS/mm(260mS/mm),245mA/mm(255mA/mm),14.9GHz(14.5GHz)和18GHz(20GHz).利用单片集成增强/耗尽型PHEMT实现了直接耦合场效应晶体管逻辑反相器,电源电压为1V,输入0.15V电压时,输出电压为0.98V;输入0.3V电压时,输出电压为0.18V.
- 徐静波张海英尹军舰刘亮李潇叶甜春黎明
- 关键词：单片集成增强型耗尽型赝配高电子迁移率晶体管阈值电压
