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国家重点基础研究发展计划(2002CB311902)

作品数：12 被引量：11H指数：2
相关作者：刘新宇齐鸣徐安怀吴德馨金智更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所中国科学院中国科学院研究生院更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金中国科学院知识创新工程更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 12篇中文期刊文章

领域

  • 12篇电子电信

主题

  • 5篇异质结
  • 5篇异质结双极晶...
  • 5篇双极晶体管
  • 5篇晶体管
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  • 4篇INP
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  • 3篇INGAP
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机构

  • 8篇中国科学院微...
  • 6篇中国科学院
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 8篇刘新宇
  • 6篇徐安怀
  • 6篇齐鸣
  • 5篇吴德馨
  • 4篇金智
  • 3篇程伟
  • 3篇孙海锋
  • 3篇艾立鹍
  • 3篇孙浩
  • 2篇樊宇伟
  • 2篇陈高鹏
  • 2篇孙晓玮
  • 2篇狄浩成
  • 2篇朱福英
  • 2篇葛霁
  • 2篇王显泰
  • 2篇郑丽萍
  • 2篇林玲
  • 2篇王素琴
  • 2篇袁志鹏

传媒

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  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇材料导报
  • 1篇中国科学（E...

年份

  • 1篇2009
  • 3篇2008
  • 3篇2007
  • 2篇2006
  • 1篇2005
  • 2篇2004
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种f_t为176GHz、大电流多指结构的InGaAs/InP异质结双极晶体管(英文)被引量：3
2009年
针对毫米波电路对大电流、高截止频率器件的要求,利用平坦化技术,设计并制作成功了结构紧凑的四指合成InGaAs/InP异质结双极晶体管.实验结果表明发射极的宽度可减小到1μm.Kirk电流可达到110mA,电流增益截止频率达到176GHz.这种器件有望在中等功率的毫米波电路中有所应用.
金智程伟刘新宇徐安怀齐鸣
关键词：INP异质结双极晶体管高电流高频
InGaP/GaAs微波HBT器件与电路研究及应用进展被引量：2
2006年
概述了近年来微波InGaP/GaAs异质结双极晶管(HBT)器件和集成电路的研究和应用现状,着重阐述了HBT器件的热设计、降低偏移电压、离子注入隔离、湿法腐蚀,以及用于电路设计的等效电路模型等关键问题。
林玲徐安怀孙晓玮齐鸣
关键词：异质结双极晶体管INGAP/GAAS微波单片集成电路
带有复合掺杂层集电区的InP/InGaAs/InP DHBT直流特性分析被引量：2
2006年
设计了一种新结构InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT),在集电区与基区之间插入n+-InP层,以降低集电结的导带势垒尖峰,克服电流阻挡效应.采用基于热场发射和连续性方程的发射透射模型,计算了n+-InP插入层掺杂浓度和厚度对InP/InGaAs/InPDHBT集电结导带有效势垒高度和I-V特性的影响.结果表明,当n+-InP插入层掺杂浓度为3×1019cm-3、厚度为3nm时,可以获得较好的器件特性.采用气态源分子束外延(GSMBE)技术成功地生长出InP/InGaAs/InPDHBT结构材料.器件研制结果表明,所设计的DHBT材料结构能有效降低集电结的导带势垒尖峰,显著改善器件的输出特性.
孙浩齐鸣徐安怀艾立鹍苏树兵刘新宇刘训春钱鹤
关键词：INP/INGAAS异质结双极晶体管
重碳掺杂p型GaAsSb的GSMBE生长及其特性被引量：1
2007年
以四溴化碳(CBr4)作为碳掺杂源,采用气态源分子束外延(GSMBE)技术生长了InP衬底上晶格匹配的重碳掺杂p型GaAsSb材料.通过改变CBr4压力,研究了掺杂浓度在(1～20)×1019cm-3范围内的掺杂特性,得到的最大掺杂浓度为2.025×1020cm-3,相应的空穴迁移率为20.4cm2/(V.s).研究了不同生长温度对掺碳GaAsSb外延层组分、晶格质量和表面粗糙度的影响,结果表明480℃是生长优良晶格质量的最优温度.
孙浩齐鸣徐安怀艾立鹍朱福英
关键词：异质结双极晶体管INPGAASSB碳掺杂气态源分子束外延
低偏置电压工作的自对准 InGaP/GaAs功率异质结双极晶体管(英文)
2004年
介绍 L 波段、低偏置电压下工作的自对准 In Ga P/ Ga As功率异质结双极晶体管的研制 .在晶体管制作过程中采用了发射极 -基极金属自对准、空气桥以及减薄等工艺改善其功率特性 .功率测试结果显示 :当器件工作在 AB类 ,工作频率为 2 GHz,集电极偏置电压仅为 3V时 ,尺寸为 2× (3μm× 1 5 μm)× 1 2的功率管获得了最大输出功率为2 3d Bm,最大功率附加效率为 4 5 % ,线性增益为 1 0 d
郑丽萍孙海锋狄浩成樊宇伟王素琴刘新宇吴德馨
关键词：自对准INGAP
高功率附加效率的InGaP/GaAs功率HBT
2005年
采用发射极 基极金属自对准工艺 ,成功研制出了InGaP/GaAs功率HBT .发射极尺寸为 (3μm× 15 μm)× 16的功率器件的截止频率和最高振荡频率分别为 5 5GHz和 35GHz .在片load pull测试表明 :当工作频率为 1GHz时 ,器件工作在AB类 ,该功率管最大输出功率为 2 3 5dBm ,最大功率附加效率达 6 0 % ,P1dB的输出功率为 2 1dBm ,对应增益为 16dB ,工作电压为 3 5V .
郑丽萍袁志鹏樊宇伟孙海锋狄浩成王素琴刘新宇吴德馨
关键词：功率附加效率INGAP/GAAS
基于InGaP/GaAsHBT的10Gbps跨阻放大器(英文)
2004年
采用 In Ga P/ Ga As HBTs设计并实现了传输速率为 10 Gbps的跨阻放大器 .在电路设计上采用两级放大器级联的形式以提高跨阻增益 ,在第一级采用了 cascade结构 ,第二级采用了 cherry hooper结构以提高电路的带宽和稳定性 .测试结果表明 ,跨阻增益为 4 0 d B· Ω,3d B带宽为 10 GHz.
袁志鹏孙海锋刘新宇吴德馨
关键词：跨阻放大器HBTINGAP
两种不同结构InGaP/GaAs HBT的直流特性分析
2007年
InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)是当前微波毫米波领域中具有广阔发展前景的高速固态器件,其直流特性是器件重要参数之一.本文采用Medici软件对两种InGaP/GaAs外延结构HBT的直流特性和高频特性进行了模拟计算,并实际制备出了两种材料结构的大尺寸(发射极面积100μm×100μm)双台面InGaP/GaAs HBT器件,对其直流特性进行了测试和分析,两种外延结构的器件共射直流增益分别为50和350,模拟得其最大截止频率分别为8和10GHz.
林玲徐安怀孙晓玮齐鸣
关键词：异质结双极晶体管INGAP/GAAS直流特性
一种改进了碰撞电离的超高速InP基SHBT SDD模型
2008年
从物理机制上分析了超高速InP/InGaAs SHBT碰撞电离与温度的关系,通过加入表示温度的参数和简化电场计算,得到一种改进的碰撞电离模型.同时针对自有工艺和器件特性,采用SDD(symbolically defined device)技术建立了一个包括碰撞电离和自热效应的InP/InGaAs SHBT的直流模型.模型内嵌入HP-ADS中仿真并与测试结果进行比较,准确地拟合了InP/InGaAs SHBT的器件特性.
葛霁金智刘新宇程伟王显泰陈高鹏吴德馨
关键词：碰撞电离温度依赖
InGaAs/InP DHBT的基极-集电极设计被引量：2
2008年
研究了在InGaAs/InP DHBT中,组分渐变的集电极和δ掺杂浓度对Kirk电流的影响.提出了有效过渡层的概念.在组分非连续渐变的结构中,有效过渡层扩展到InGaAs的缩进层中.对不同的Kirk效应条件,给出了最大掺杂浓度、最大Kirk电流密度以及相对应的δ掺杂浓度的公式.最大集电极掺杂浓度和最大Kirk电流密度都依赖于δ掺杂层.优化δ掺杂能大幅度提高器件的Kirk电流密度.
金智刘新宇
关键词：INPDHBT集电极
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