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一种f_t为176GHz、大电流多指结构的InGaAs/InP异质结双极晶体管(英文)被引量：3: 2009年; 针对毫米波电路对大电流、高截止频率器件的要求,利用平坦化技术,设计并制作成功了结构紧凑的四指合成InGaAs/InP异质结双极晶体管.实验结果表明发射极的宽度可减小到1μm.Kirk电流可达到110mA,电流增益截止频率达到176GHz.这种器件有望在中等功率的毫米波电路中有所应用.; 金智程伟刘新宇徐安怀齐鸣; 关键词：INP 异质结双极晶体管高电流高频

InGaP/GaAs微波HBT器件与电路研究及应用进展被引量：2: 2006年; 概述了近年来微波InGaP/GaAs异质结双极晶管(HBT)器件和集成电路的研究和应用现状,着重阐述了HBT器件的热设计、降低偏移电压、离子注入隔离、湿法腐蚀,以及用于电路设计的等效电路模型等关键问题。; 林玲徐安怀孙晓玮齐鸣; 关键词：异质结双极晶体管 INGAP/GAAS 微波单片集成电路

带有复合掺杂层集电区的InP/InGaAs/InP DHBT直流特性分析被引量：2: 2006年; 设计了一种新结构InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT),在集电区与基区之间插入n+-InP层,以降低集电结的导带势垒尖峰,克服电流阻挡效应.采用基于热场发射和连续性方程的发射透射模型,计算了n+-InP插入层掺杂浓度和厚度对InP/InGaAs/InPDHBT集电结导带有效势垒高度和I-V特性的影响.结果表明,当n+-InP插入层掺杂浓度为3×1019cm-3、厚度为3nm时,可以获得较好的器件特性.采用气态源分子束外延(GSMBE)技术成功地生长出InP/InGaAs/InPDHBT结构材料.器件研制结果表明,所设计的DHBT材料结构能有效降低集电结的导带势垒尖峰,显著改善器件的输出特性.; 孙浩齐鸣徐安怀艾立鹍苏树兵刘新宇刘训春钱鹤; 关键词：INP/INGAAS 异质结双极晶体管

重碳掺杂p型GaAsSb的GSMBE生长及其特性被引量：1: 2007年; 以四溴化碳(CBr4)作为碳掺杂源,采用气态源分子束外延(GSMBE)技术生长了InP衬底上晶格匹配的重碳掺杂p型GaAsSb材料.通过改变CBr4压力,研究了掺杂浓度在(1～20)×1019cm-3范围内的掺杂特性,得到的最大掺杂浓度为2.025×1020cm-3,相应的空穴迁移率为20.4cm2/(V.s).研究了不同生长温度对掺碳GaAsSb外延层组分、晶格质量和表面粗糙度的影响,结果表明480℃是生长优良晶格质量的最优温度.; 孙浩齐鸣徐安怀艾立鹍朱福英; 关键词：异质结双极晶体管 INP GAASSB 碳掺杂气态源分子束外延

Self-Aligned InGaP/GaAs Power HBTswith a Low Bias Voltage: 2004年; A self aligned InGaP/GaAs power HBTs for L band power amplifier with low bias voltage are described.Base emitter metal self aligning,air bridge,and wafer thinning are used to improve microwave power performance.A power HBT with double size of emitter of (3μm×15μm)×12 is fabricated.When the packaged HBT operates in class AB at a collector bias of 3V,a maximum 23dBm output power with 45% power added efficiency is achieved at 2GHz.The results show that the InGaP/GaAs power HBTs have great potential in mobile communication systems operating at low bias voltage.; 郑丽萍孙海锋狄浩成樊宇伟王素琴刘新宇吴德馨; 关键词：INGAP

高功率附加效率的InGaP/GaAs功率HBT: 2005年; 采用发射极基极金属自对准工艺 ,成功研制出了InGaP/GaAs功率HBT .发射极尺寸为 (3μm× 15 μm)× 16的功率器件的截止频率和最高振荡频率分别为 5 5GHz和 35GHz .在片load pull测试表明 :当工作频率为 1GHz时 ,器件工作在AB类 ,该功率管最大输出功率为 2 3 5dBm ,最大功率附加效率达 6 0 % ,P1dB的输出功率为 2 1dBm ,对应增益为 16dB ,工作电压为 3 5V .; 郑丽萍袁志鹏樊宇伟孙海锋狄浩成王素琴刘新宇吴德馨; 关键词：功率附加效率 INGAP/GAAS

10Gbps Transimpedance Amplifier for Optoelectronic Receivers Based on InGaP/GaAs HBTs: 2004年; A transimpedance amplifier based on InGaP/GaAs HBTs,which is applicable for 10Gbps bit rate,is developed and realized.Compact chip layout guarantees good flat gain,linear phase,and small group delay time variation.Measured transimpedance gain is 40 dB·Ω and 3dB bandwidth is 10GHz.; 袁志鹏孙海锋刘新宇吴德馨; 关键词：TIA HBT INGAP

两种不同结构InGaP/GaAs HBT的直流特性分析: 2007年; InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)是当前微波毫米波领域中具有广阔发展前景的高速固态器件,其直流特性是器件重要参数之一.本文采用Medici软件对两种InGaP/GaAs外延结构HBT的直流特性和高频特性进行了模拟计算,并实际制备出了两种材料结构的大尺寸(发射极面积100μm×100μm)双台面InGaP/GaAs HBT器件,对其直流特性进行了测试和分析,两种外延结构的器件共射直流增益分别为50和350,模拟得其最大截止频率分别为8和10GHz.; 林玲徐安怀孙晓玮齐鸣; 关键词：异质结双极晶体管 INGAP/GAAS 直流特性

一种改进了碰撞电离的超高速InP基SHBT SDD模型: 2008年; 从物理机制上分析了超高速InP/InGaAs SHBT碰撞电离与温度的关系,通过加入表示温度的参数和简化电场计算,得到一种改进的碰撞电离模型.同时针对自有工艺和器件特性,采用SDD(symbolically defined device)技术建立了一个包括碰撞电离和自热效应的InP/InGaAs SHBT的直流模型.模型内嵌入HP-ADS中仿真并与测试结果进行比较,准确地拟合了InP/InGaAs SHBT的器件特性.; 葛霁金智刘新宇程伟王显泰陈高鹏吴德馨; 关键词：碰撞电离温度依赖

InGaAs/InP DHBT的基极-集电极设计被引量：2: 2008年; 研究了在InGaAs/InP DHBT中,组分渐变的集电极和δ掺杂浓度对Kirk电流的影响.提出了有效过渡层的概念.在组分非连续渐变的结构中,有效过渡层扩展到InGaAs的缩进层中.对不同的Kirk效应条件,给出了最大掺杂浓度、最大Kirk电流密度以及相对应的δ掺杂浓度的公式.最大集电极掺杂浓度和最大Kirk电流密度都依赖于δ掺杂层.优化δ掺杂能大幅度提高器件的Kirk电流密度.; 金智刘新宇; 关键词：INP DHBT 集电极

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