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国家自然科学基金(60576069)

作品数:21 被引量:26H指数:3
相关作者:姬荣斌赵俊孔金丞李雄军孔令德更多>>
相关机构:昆明物理研究所中国兵器科学研究院云南大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金云南省自然科学基金中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
相关领域:电子电信理学化学工程更多>>

文献类型

  • 21篇中文期刊文章

领域

  • 16篇电子电信
  • 5篇理学
  • 1篇化学工程

主题

  • 5篇溅射
  • 4篇圆偏振
  • 4篇圆偏振光
  • 4篇偏振
  • 4篇偏振光
  • 4篇偏振光谱
  • 4篇碲镉汞
  • 4篇碲镉汞薄膜
  • 4篇椭圆偏振
  • 4篇椭圆偏振光
  • 4篇椭圆偏振光谱
  • 4篇光谱
  • 4篇非晶
  • 4篇磁控
  • 4篇磁控溅射
  • 3篇射频磁控
  • 3篇射频磁控溅射
  • 3篇晶态
  • 3篇非晶态
  • 3篇XRD

机构

  • 19篇昆明物理研究...
  • 2篇中国兵器科学...
  • 1篇云南大学

作者

  • 18篇姬荣斌
  • 12篇赵俊
  • 11篇孔金丞
  • 9篇李雄军
  • 8篇孔令德
  • 7篇唐利斌
  • 6篇杨丽丽
  • 6篇王光华
  • 5篇张鹏举
  • 5篇宋炳文
  • 4篇张筱丹
  • 4篇王善力
  • 4篇李艳辉
  • 4篇段瑜
  • 4篇宋立媛
  • 3篇郑云
  • 2篇黄晖
  • 2篇杨佩原
  • 2篇周旭昌
  • 2篇杨玉林

传媒

  • 16篇红外技术
  • 3篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇发光学报

年份

  • 4篇2012
  • 2篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2009
  • 4篇2008
  • 7篇2007
  • 1篇2006
21 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
非晶态碲镉汞的暗电导率和吸收边(英文)被引量:2
2012年
研究了非晶态碲镉汞(x=0.2)薄膜的暗电导率随温度变化关系,发现非晶态结构的碲镉汞材料具有明显的半导体特性,其室温禁带宽度在0.88~0.91eV之间,与通过光学方法获得的结果相符。在80~240K的温度区间非晶态碲镉汞(x=0.2)的暗电导率从1×10—8Ω—1.cm—1缓慢增大到5×10-8Ω—1.cm—1,温度大于240K时,其电导率剧烈增大到1×10—5Ω—1.cm—1,说明在240K附近非晶态碲镉汞材料的导电机制发生了变化,这对非晶态碲镉汞材料的应用研究具有重要意义。还研究了退火过程对非晶态碲镉汞薄膜电导率的影响,结果表明140℃退火后非晶态碲镉汞薄膜发生了部分晶化。
孔金丞张鹏举杨佩原李雄军孔令德杨丽丽赵俊王光华姬荣斌
关键词:电导率吸收边
Effect of power variation on microstructure and surface morphology of HgCdTe films deposited by RF magnetron sputtering被引量:4
2010年
Mercury cadmium telluride films were grown by the RF magnetron sputtering technique at different sputtering powers.In experiment,X-ray diffraction(XRD) and atomic force microscopy(AFM) have been used to characterize the microstructure of HgCdTe films.The experimental results showed that when the growth power increased,the growth rate of HgCdTe films increased;when the growth power was less than 30 W,the HgCdTe film deposited by RF magnetron sputtering was amorphous;when the growth power was more than 30 W,the films exhibited polycrystalline structure.Films deposited at different growth rates were found to have characteristically different formations and surface morphologies;as observed through AFM,the surface morphology is composed of longitudinal islands forming a maze-like pattern in the high deposition rate.AFM analysis also illustrated that a significant reduction in the areal density of large islands and characteristically smoother films was achieved using a low deposition rate.
王光华孔金丞李雄军邱锋李悰杨丽丽孔令德姬荣斌
关键词:SEMICONDUCTORSMICROSTRUCTURE
Dark conductivity and photoconductivity of amorphous Hg_(0.78)Cd_(0.22)Te thin films被引量:1
2011年
This paper reports the dark conductivity and photoconductivity of amorphous HgCdTe thin films deposited on an AlOsubstrate by RF magnetron sputtering.It is determined that dark conduction activation energy is 0.417 eV for the as-grown sample.Thermal quenching is absent for the as-grown sample during the testing temperature zone,but the reverse is true for the polycrystalline sample.Photosensitivity shows the maximum at 240 K for amorphous thin films,while it is higher for the as-grown sample than for polycrystalline thin films in the range from 170 to 300 K.The recombination mechanism is the monomolecular recombination process at room temperature,which is different from the low temperature range.Theμτ-product is low in the range of 10-10cm~2/V,which indicates that some defect states exist in the amorphous thin films.
邱锋项金钟孔金丞余连杰孔令德王光华李雄军杨丽丽李悰姬荣斌
关键词:PHOTOCONDUCTIVITY
有机红外半导体酞菁铒的掺杂及电学性质研究被引量:1
2008年
对固相合成法制备的有机红外半导体ErPc2进行了碘掺杂,有效地将ErPc2的电阻率降低了约3个数量级.研究了本征和碘掺杂有机红外半导体ErPc2电阻的温度依赖关系,碘的掺杂除显著地降低了ErPc2材料的电阻外,其电阻的温度特性没有本质的变化,本征和碘掺杂ErPc2都表现出指数型的电阻温度依赖关系.碘掺杂有效地降低了载流子的热激活能,使更多的载流子得以参与导电,掺杂后指前因子的减小也为降低材料的电阻率作出了贡献.解释了在高电场强度下本征有机红外半导体ErPc2的指数I-V关系.
唐利斌姬荣斌宋立媛陈雪梅李永亮荣百炼宋炳文
关键词:掺杂电学性质
分子束外延系统束流系综理论分析被引量:6
2006年
分子束外延(MBE)生长薄膜材料是一种非平衡态生长,生长过程主要由分子束流和晶体表面反应动力学控制。分子束流控制对生长的影响很大,真空蒸发理论导出的平衡蒸气压模型是目前描述分子束流的主要模型之一,但在实际应用中,模型在高蒸气压条件下对束流的描述存在较大偏差,制约生长的薄膜的化学组分均匀性和结构的单晶完整性的提高。本文系统研究了MBE生长HgCdTe薄膜过程的束流情况,采用系综理论,建立巨正则理论模型模拟束流情况,实验表明,相比平衡蒸气压模型,该模型能更准确的描述分子束流的本征物理行为。
赵俊杨玉林李艳辉宋立媛姬荣斌
关键词:系综
溅射气压对非晶Hg_(1-x)Cd_x Te薄膜微观结构和化学组分的影响(英文)
2012年
采用射频磁控溅射制备了非晶态结构的Hg1-xCdxTe薄膜,并利用台阶仪、XRD、原子力显微镜、EDS等分析手段对薄膜生长速率、物相、表面形貌、组分比例进行了研究。实验结果表明,溅射气压对薄膜生长速率、微观结构、表面形貌和化学组分有直接影响。随着溅射气压增大,其生长速率逐渐降低。当溅射气压高于1.1 Pa时,薄膜XRD图谱上没有出现任何特征衍射峰,只是在2θ=23°附近出现衍射波包,具有明显的非晶态特征;当溅射气压小于1.1 Pa时,XRD谱表现为多晶结构。另外,随着溅射气压的增加,薄膜表面粗糙度逐渐减小,而且溅射气压对薄膜组成的化学计量比有明显影响,当溅射气压为1.1 Pa时,薄膜中Hg的组分比最低,而Cd组分比最高。
王光华孔金丞李雄军杨丽丽赵惠琼姬荣斌
关键词:碲镉汞薄膜非晶半导体微观结构
非晶衬底上择优取向ZnO纳米晶薄膜的溶胶-凝胶法制备技术被引量:3
2007年
使用一种新的溶胶-凝胶技术制备了ZnO固体薄膜,此技术的特点在于操作简单、环保、实用。此技术可在非晶基片(如玻璃、石英等)上制备c轴择优取向的大面积ZnO纳米晶薄膜。薄膜的红外透过率高,具备制作无机红外-紫外双色探测器的紫外光敏材料和光伏有机太阳能电池、有机红外探测器的透明导电电极等光电子器件的材料应用价值。
唐利斌郑云段瑜张筱丹赵俊吴刚黄晖宋炳文杨彦姬荣斌
关键词:ZNO溶胶-凝胶XRDFT-IR
MBE生长中波HgCdTe薄膜材料温度控制被引量:2
2007年
报道在晶格失配GaAs衬底上分子束外延CdTe缓冲层和中波HgCdTe薄膜的温度控制过程。通过红外测温仪监测样品表面温度,来改变加热功率,从而把温度控制在需要的生长温度范围。通过此方法,可以把CdTe生长时样品的表面温度控制在±5℃,MCT生长时可以达到±1℃。生长得到的样品,表面光亮,组分、厚度均匀性好,X射线双晶回摆曲线半峰宽为72 arcsec。
李艳辉王善力宋立媛孔金丞赵俊张筱丹唐利斌姬荣斌
关键词:HGCDTEMBE红外测温仪
CdTe/GaAs(111)B薄膜的MBE生长研究被引量:1
2007年
采用分子束外延方法,在GaAs(111)B衬底上,生长CdTe薄膜,以求研制出用于液相外延生长碲镉汞(HgCdTe)薄膜的CdTe/GaAs(111)B复合衬底。通过理论分析和实验探索,优化了生长温度和Te/Cd束流比等重要生长参数,获得了质量较好的CdTe薄膜,再通过循环热处理,使CdTe/GaAs(111)B复合衬底的质量得到进一步的提高,X-射线回摆曲线半峰宽(FWHM)有明显的降低。为LPE-HgCdTe薄膜的生长打下了较好基础。
杨玉林赵俊杨宇姬荣斌
关键词:MBECDTEGAASHGCDTE
立方ZnMgO基体中六方ZnO量子点的化学溶液制备技术被引量:1
2007年
首次报道了利用相分凝技术在非晶石英衬底上立方ZnMgO基体中制备六方ZnO量子点的化学溶液方法。对所制备的ZnO/ZnMgO/SiO2进行了原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)、椭圆偏振光谱(SE)表征。XRD表征表明当六配位Zn2+以替位的形式取代六配位Mg2+时,会导致相同衍射条件下立方ZnMgO的2θ比立方MgO的2θ小。SE表征发现ZnO量子点的量子效应导致了ZnO量子点的激子吸收能(3.76eV)比ZnO体晶的能带隙(3.37eV)大。AFM表征表明:导致薄膜的XRD的衍射峰、α吸收峰和PL发射峰皆很宽的部分原因是由于组成所制备薄膜的晶粒尺寸分散较大、形状不一引起的。
唐利斌段瑜郑云张筱丹赵俊周旭昌吴刚黄晖宋炳文姬荣斌
关键词:ZNMGO化学溶液法椭圆偏振光谱X射线衍射
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