江苏省自然科学基金(BK2004066)
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
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- 相关机构：东南大学爱斯泰克(上海)高频通讯技术有限公司更多>>
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- 硅双极型晶体管的可缩放MEXTRAM模型及参数提取被引量：1
- 2005年
- 文章在分析Mextram模型缩放性的基础上,介绍了可缩放Mextram模型的参数提取方法。结合不同几何尺寸的硅双极型晶体管的测试数据,进行了参数提取。得到的可缩放Mextram模型的仿真结果与测试数据吻合得很好。
- 池毓宋黄风义张少勇吴忠洁
- 砷化镓HBT的VBIC模型研究被引量：2
- 2005年
- 利用国际先进的 2μmInGaP/GaAsHBT工艺加工生产线进行了晶体管芯片的加工,并在器件测试的基础上开展了模型参数的提取.所研究的模型主要是针对异质结双极晶体管器件HBT特别是砷化镓异质结双极晶体管器件,在对常用的几种器件模型,如EM模型、GP模型和VBIC模型的特点做比较的基础上,详细介绍了一种基于IC-CAP系统的准确提取VBIC模型的方法.利用提取的VBIC模型对所制备器件进行了模拟仿真,仿真结果与测试结果相比较二者可以很好吻合至 20GHz.
- 黄风义孔晓明蒋俊洁姜楠
- 0.13μm射频MOS场效应晶体管特性及模拟被引量：1
- 2006年
- 采用0.13μm CMOS射频和混合信号工艺进行了射频nMOS场效应晶体管版图的优化设计和芯片制作.对制作的射频nMOS器件进行了直流特性和S参数测试,测试结果表明射频nMOS管的特征频率fT达到了93GHz,fmax超过了90GHz.采用小信号等效电路模型对该nMOS管的交流特性进行了模拟.在100MHz到30GHz频率范围内得到了与测试结果相吻合的仿真结果.
- 池毓宋黄风义吴忠洁张少勇孔晓明王志功
- 关键词：CMOS射频小信号模型
- 用于802.11a系统的5.8GHz 0.18μm CMOS全集成低噪声放大器设计
- 2007年
- 通过对输入匹配、噪声和线性度的分析,给出了改进低噪声放大器综合性能的方法.利用软件对电路进行噪声优化,设计出了一个0.18μm CMOS工艺的5.8GHz全集成低噪声放大器.采用工艺厂家提供的电感测试数据进行参数提取,得到精准的电感模型并用于电路仿真.设计结果是整个电路功耗13mW,功率增益为14dBm,噪声系数为2.05dB,线性度指标IIP3为-1dBm.
- 蒋东铭黄风义陆静学赵亮
- 关键词：低噪声放大器CMOS工艺电感模型
