国家自然科学基金(60576012)
- 作品数：20 被引量：54H指数：4
- 相关作者：严辉张铭董国波朱满康兰伟更多>>
- 相关机构：北京工业大学北方工业大学兰州大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- p型透明导电氧化物CuAlO_2薄膜的研究进展被引量：11
- 2007年
- 透明导电氧化物(TCO)的出现开拓了光电子器件研究的新领域。但p型TCO的相对匮乏严重制约了透明氧化物半导体(TOS)相关器件的开发与应用。CuAlO2作为一种天然的p型TCO成为近年来p型TCO的研究热点。介绍了p型TCO的研究现状,综述了不同制备方法制备p型CuAlO2薄膜的研究进展,以及在器件方面的应用,并对其前景进行了展望。
- 李军兰伟张铭董国波严辉
- 氢等离子体处理对非晶氮化铝薄膜场发射性能的影响
- 用氢等离子体(H Plasma)对非晶氮化铝(a-AlN)薄膜进行处理并研究了其场发射性能。实验表明:等离子体处理后薄膜表面粗糙度增大,但是场发射性能降低。当电场强度为70V/μm时,场发射电流密度从70.7μA/cm降...
- 王峰瀛王如志赵维宋雪梅王波严辉
- 关键词：场发射氮化铝
- 文献传递
- 磁控溅射法制备La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3/Nb_(0.01)SrTi_(0.99)O_3异质p-n结的整流特性研究
- 2009年
- 采用磁控溅射方法,首次在n型Nb0.01SrTi0.99O3单晶衬底上成功制备出La0.7Sr0.3MnO3/Nb0.01SrTi0.99O3异质p-n结。电学性能测试表明,该异质结在40～320K温度范围内均表现出较好的整流特性,且扩散电势随温度升高而降低。这是由于耗尽层厚度在热扩散作用下逐渐变薄以及温度对界面电子结构调制作用的共同结果。随外加正向偏置电流的增加,提高La0.7Sr0.3MnO3薄膜中的空穴浓度,增强其双交换作用,使金属-绝缘转变温度从200K升高至约250K。
- 陆然张铭代红云严辉
- 关键词：整流特性
- p型宽带隙半导体CuAl_(1-x)Fe_xO_2的光电性能研究被引量：1
- 2009年
- 采用固相反应合成了CuAl1-xFexO2单相多晶材料,系统报道了该系列样品的X射线衍射(XRD)、紫外吸收光谱以及电学性能的测量。结果表明,Fe3+取代CuAlO2中的Al3+,不改变材料的晶体结构,随着掺杂量的增加,材料的光学带隙宽度逐渐减小,导电性能明显提高。当x=0.10时,样品的室温电导率达到3.38×10-1S·cm-1;所有掺杂样品的电导率随温度变化曲线在近室温区,很好地符合Arrhenius关系,其热激活能为20～32meV;Hall系数均为正值,表明所有样品都为p型半导体。
- 赵学平张铭董国波董培明严辉
- 关键词：P型带隙铜铁矿
- ZnO薄膜p型掺杂的研究进展被引量：6
- 2007年
- ZnO薄膜作为一种多功能半导体材料,近年来一直受到广泛关注。然而,如何制备高质量的p型ZnO薄膜是实现其实用化的关键。概括了p型掺杂困难的原因,并指出Ⅲ-Ⅴ族元素共掺杂可能是p型掺杂的最好方法。简单回顾了ZnO薄膜p型掺杂的研究现状,并对今后的发展趋势进行了展望。
- 李驰平张铭宋雪梅王波李彤严辉
- 关键词：ZNO薄膜P型掺杂
- 衬底温度对氧化锌薄膜场发射性能的影响被引量：2
- 2008年
- 利用射频磁控溅射法制备了不同衬底温度的氧化锌(ZnO)薄膜。研究了其场发射特性,分析了场发射特性和衬底温度的变化关系。实验结果表明,开启电场随着衬底温度的增加呈先增大后减小的趋势,场发射特性的变化是由于衬底温度的改变引起表面形貌的变化所致。衬底温度为300℃时沉积的ZnO薄膜样品粗糙度最小,场发射性能最差,其开启场强为1.7V/μm,场强为3.8V/μm时电流密度仅为0.00197A/cm2;衬底温度为400℃时沉积的ZnO薄膜样品表面粗糙度最大,场发射特性也优于其他薄膜;开启场强为0.82V/μm,场强为3.8V/μm时电流密度稳定在0.03A/cm2。Fowler-Nordheim(F-N)曲线为直线表明,电子是在外加电场的作用下隧穿表面势垒束缚发射到真空的。
- 李军王如志王波严辉
- 关键词：ZNO薄膜场发射衬底温度表面粗糙度
- 界面自旋翻转对有限尺寸的铁磁体/非磁性半导体/铁磁体体系自旋注入的影响(英文)
- 2009年
- 本文考虑了界面自旋翻转效应后对有限尺寸的铁磁体/非磁性半导体/铁磁体异质结中的自旋注入问题进行了系统的理论探讨。由于自旋在两种介质界面上发生的翻转散射,自旋极化流的每一个分量在界面上都不可能连续。计算结果表明,当自旋注入效率从0增加到100%的过程中,铁磁体/非磁性半导体/铁磁体异质结的隧穿磁阻增大了两个数量级。这一事实证明界面的自旋翻转效应直接影响着铁磁体/非磁性半导体/铁磁体异质结的隧穿磁阻。
- 米仪琳张铭严辉
- 衬底温度对溅射法生长Cu-Al-O薄膜性能的影响被引量：4
- 2007年
- 使用多晶CuAlO2陶瓷靶,利用射频磁控溅射法沉积Cu-Al-O薄膜。傅立叶变换红外光谱显示薄膜中存在与CuAlO2相关的Cu—O,Al—O和O—Cu—O键。在可见光范围内Cu-Al-O薄膜具有较好的透过性,衬底温度为400℃～500℃时薄膜透过率在60%～70%之间,计算拟合得到Cu-Al-O薄膜的直接和间接带隙能分别为3.52eV和1.83eV左右,与多晶CuAlO2薄膜结果一致。在近室温区薄膜符合半导体热激活导电机制,其电导率随衬底温度的升高先增大后减小,500℃沉积的薄膜导电性较好,室温电导率达到2.36×10-3S·cm-1,这可能源于Cu-Al-O薄膜中与CuAlO2相关的键合形成情况的改善。
- 兰伟董国波张铭王波严辉王印月
- 关键词：衬底温度透过率电导率
- 氧化亚铜薄膜的研究进展
- 氧化亚铜(CuO)具有优越的光电性质,是一种具有广泛用途的材料,而且它的制备方法很多。结合最近的研究进展综述了 CuO 薄膜的制备方法与基本性质,分析了 CuO 薄膜研究开发现状,展望了 CuO 薄膜在太阳能电池应用方面...
- 董国波张铭兰伟董培明严辉
- 关键词：电导率P-N结
- 文献传递
- Cu_xAlO_2(0.92≤x≤1.0)陶瓷电输运性能被引量：7
- 2007年
- 使用高温固相烧结法制备不同化学剂量比的CuAlO2陶瓷，研究CuxAlO2（0．92≤x≤1．0）中Cu、Al摩尔比的相对变化对其结构和导电性能的影响。结果表明：CuxAl02（0．92≤x≤1．0）陶瓷片的结构和密度随着X值的增大，样品的结晶性逐渐变好，密度也逐渐增大，在X为0．98时，得到密度最大（5．02g／cm^3）且结晶良好的纯相CuAlO2：样品的光学带隙均约为3．44eV；随着X值的增加，室温电导率先增大然后减小，在X为0．98时得到最大电导率为8．03×10^-3S／cm；电导率随温度的升高而显著增大，且曲线在100—300K之间很好地符合Arrhenius关系，X为0．98时激活能最低，仅为0．085eV；在所研究的成分范围内，CuAlO2陶瓷的导电能力主要取决于陶瓷片的致密度。
- 董国波张铭兰伟朱满康严辉
- 关键词：致密度电导率
