国家自然科学基金(60576011)
- 作品数：16 被引量：61H指数：5
- 相关作者：杨保和常明陈希明薛玉明李翠平更多>>
- 相关机构：天津理工大学天津大学南开大学更多>>
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- 相关领域：理学电子电信一般工业技术环境科学与工程更多>>
- 调Q脉冲保偏光纤激光器的研究被引量：3
- 2009年
- 以808nm半导体激光器为抽运源,掺钕双包层保偏光纤为增益介质,对调Q脉冲保偏光纤激光器进行了理论分析和实验研究.利用TDS5104型示波器探测输出脉冲激光的波形,并用光谱分析仪得到输出脉冲激光的光谱图.利用F-P腔型,在1060nm处获得平均功率为2.55W的脉冲激光输出,重复频率为1kHz时,输出单脉冲能量为2.3mJ,峰值功率为4.7kW.改变腔型,把二色镜倾斜放置兼作输出镜,最终获得了平均功率为3.5W的偏振脉冲激光输出,重复频率为1kHz时,输出单脉冲能量为3.3mJ,脉冲宽度为184ns,其峰值功率达17.9kW.
- 任广军魏臻姚建铨
- 关键词：激光技术光纤激光器调Q
- 掺钕保偏光纤放大器的研究被引量：7
- 2009年
- 对掺钕双包层光纤放大器中抽运光和信号光沿光纤传播的功率分布进行了数值模拟,以808nm半导体激光器为抽运源,掺钕双包层保偏光纤为增益介质,对种子注入主振荡光纤放大器进行了理论分析和实验研究.利用实验室自制的皮秒锁模激光器为种子源,注入1064nm皮秒锁模脉冲,获得了稳定的放大脉冲.小信号时的放大倍数为300(增益为25dB),获得了平均功率5W的皮秒脉冲.同时利用TDS5104型示波器探测信号光放大前后的波形,并用光谱分析仪得到输出脉冲激光的光谱图.
- 任广军魏臻张强姚建铨
- 关键词：光纤放大器种子注入反向抽运
- CIGS薄膜(InGa)2Se3-富Cu-富In(Ga)的演变被引量：5
- 2008年
- 采用三步共蒸发工艺顺序沉积铜铟镓硒(CuInGaSe2,CIGS)薄膜。薄膜的厚度、组份、晶相结构分别由台阶仪、X射线荧光光谱仪(XRF)和X射线衍射仪(XRD)来表征。在(In,Ga)2Se3预制层-富Cu相的演变过程中,依次发生以下相变:Cu(In,Ga)5Se8、Cu(In,Ga)3Se5、Cu2(In,Ga)4Se7(或Cu(In,Ga)2Se3.5)、Cu(In,Ga)Se2(液相CuxSe)。在富Cu相-富In(Ga)相的演变过程中,依次发生以下相变:Cu(In,Ga)Se2(液相CuxSe)、Cu2(In,Ga)4Se7(或Cu(In,Ga)2Se3.5)、Cu(In,Ga)3Se5、Cu(In,Ga)5Se8。对这两个演变过程中薄膜的生长机理和结构特性进行了讨论。
- 薛玉明徐传明张力孙云王伟杨保和
- HFCVD金刚石薄膜表面的氨基修饰方法被引量：2
- 2010年
- 金刚石是一种集多种优良性能于一体的功能材料,但是,金刚石薄膜sp3碳构造的高稳定性导致其表面活性不足,无法满足各种功能性表面的需要。本文从化学修饰角度,概括和总结了氨基在金刚石薄膜表面导入的一种新的简单方法,并对修饰后的金刚石表面进行了XPS表征。结果表明,氨基已成功的修饰到了金刚石薄膜表面。最后对氨基修饰后的金刚石薄膜的应用做了简单的介绍。
- 安云玲常明
- 关键词：金刚石薄膜化学修饰氨基
- 织构CVD金刚石附着膜残余应力分析被引量：5
- 2009年
- 利用微波等离子体化学气相沉积(CVD)方法,在(100)P型Si衬底上沉积得到{110}织构金刚石膜样品,并对其作退火处理。拉曼光谱和高角度X射线衍射(XRD)线型测试结果表明:{110}织构金刚石膜由于晶粒排布的有序程度提高,本征张应力较小,样品内残余应力与其热应力状态一样,均表现为压应力,且随膜的增厚,残余压应力绝对值变大,呈现随厚度的梯度分布;400℃退火3h后,膜内残余应力状态发生改变,说明退火处理可以有效调整膜内残余应力。
- 李晓伟李翠平杨保和
- 关键词：残余应力织构拉曼光谱
- Ta／BDD薄膜材料电极在检测苯胺中的应用被引量：3
- 2008年
- 制作钽衬底掺硼金刚石薄膜材料电极(Ta/BDD),并利用此薄膜材料电极为工作电极通过阴极溶出伏安法检测水中的苯胺。用热丝化学气相沉积(HFCVD)方法沉积Ta/BDD薄膜电极,扫描电镜和拉曼光谱表明电极具有良好的物理性质,循环扫描测试表明电极具有宽的电势窗口4.1V(-1.8^+2.3Vvs SCE)和低背景电流,此特性对于电化学检测有着明显的优势。发现苯胺在氧化处理的Ta/BDD电极上有可逆的氧化还原峰,检测过程中未发生电极钝化现象。Ta/BDD电极在酸性介质中苯胺检测效果较明显,苯胺在1~40μmol/L范围内浓度与溶出峰电流值有较好的线性关系。
- 高成耀常明沈锋英
- 关键词：电极材料苯胺电分析
- 射频磁控溅射生长C轴择优取向AlN压电薄膜被引量：9
- 2007年
- 采用射频磁控反应溅射工艺,在Si(400)衬底上制备了高c轴取向的AlN薄膜。用X射线衍射仪(XRD)分析了薄膜特征。研究了不同的Ar/N2比、衬底偏压、工作压强对AlN薄膜c轴择优取向的影响。研究了AlN薄膜在以氮终止的硅衬底和纯净硅衬底两种表面状态的生长机制,发现在以氮终止的硅衬底表面生长的AlN薄膜非常容易得到c轴择优取向的AlN薄膜。
- 杨保和徐娜陈希明薛玉明李化鹏
- 关键词：ALN薄膜
- 金刚石薄膜电极在离子水洗衣机中的应用研究被引量：1
- 2010年
- 离子水洗衣机的电解装置一般采用金属氧化物涂层阳极(DSA——Dimensionally Stable Anode),本论文研究采用硼掺杂金刚石薄膜(BDD)电极做离子水洗衣机的电解阳极,通过分析其特性曲线,表征参数,并和DSA电解电极对比性能,同时做一些洗涤实验来验证其洗涤效果,以此来展现硼掺杂金刚石薄膜电极具有更加稳定和良好的电化学特性,所以更适合于用做离子水洗衣机的电解装置.此外,离子水洗衣机主要是把水电解成碱性离子水来洗涤衣物,BDD电极可以做到不用离子隔膜分离出碱性离子水就可以达到洗净衣物的效果.
- 温高杰常明
- Ta/BDD薄膜电极电化学催化氧化硝基酚被引量：10
- 2008年
- 研究了热丝化学气相沉积法(HFCVD)制备得到钽衬底掺硼金刚石膜电极(Ta/BDD)的物理性质和电势窗口,并考察了其用于电化学催化氧化硝基酚过程中的性能及各种影响因素.扫描电镜和拉曼光谱表明,Ta/BDD电极具有良好的物理性能,通过测试Ta/BDD电势窗口发现,该电极具有较高的析氧过电位.在Ta/BDD电化学催化氧化硝基酚过程中,化学需氧量(COD)和高效液相色谱测试表明,硝基酚能够有效降解,电流密度、支持电解液及浓度对降解过程影响较大,温度影响不明显.强化寿命实验表明,Ta/BDD电极具有较好的稳定性.实验结果表明,Ta/BDD电极是一种适于硝基酚降解和COD去除的优良电极.
- 高成耀常明
- 关键词：污水处理硝基酚电化学催化氧化
- 喷射CVD法制备金刚石厚膜及其内应力分析被引量：4
- 2010年
- 采用直流电弧等离子体喷射CVD法制备出金刚石薄膜,利用扫描电子显微镜(SEM)、Raman光谱及X射线衍射(XRD)等研究基底温度对金刚石厚膜生长特性及内应力的影响。结果表明:950℃基底温度生长的金刚石厚膜结晶性能较好,纯度较高;而850℃和1050℃生长的金刚石厚膜表面呈现大量的孪晶缺陷,结晶度较低,同时出现较多的非金刚石碳,纯度较低。随着基底温度的增加,(111)晶面和(311)晶面的衍射峰强度逐渐增强,(220)晶面的衍射峰强度逐渐降低。850℃和950℃基底温度生长的金刚石厚膜的宏观应力和微观应力都呈现出拉应力,1050℃基底温度生长的金刚石厚膜的宏观应力和微观应力都呈现出压应力。
- 洪松杨保和李明吉吴晓国
- 关键词：金刚石薄膜基底温度内应力
