国家自然科学基金(60876007)
- 作品数：1 被引量：3H指数：1
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- ZnO/MgZnO单量子阱的能带重正化与阱宽的关系被引量：3
- 2010年
- 通过室温下的时间积分光致发光(PL)谱,研究了阱宽Lw渐变的ZnO/Mg0.1Zn0.9O单量子阱在高激发强度下的能带重正化与阱宽的关系。实验中光生载流子浓度为n=1.6×1014cm-2,在Lw从2.3 nm渐变到4.3 nm,PL谱峰位的红移量从5.9 meV变化到97.1 meV。红移量随阱宽增大而增加,但增加率却逐渐减少。当Lw>2αB(αB,ZnO体材料激子玻尔半径,约为2 nm)时,红移量逐渐呈现出饱和的趋势(100 meV)。研究发现峰位的红移是由于多体效应所导致的能隙收缩以及在高的激发强度下带内填充效应的这两种机理相互竞争的结果。
- 李小龙姜小芳雷小燕丘志仁张保平丁才蓉曾学然
- 关键词：光致发光单量子阱
- GaN垒层厚度对InGaN/GaN单量子阱光学特性的影响
- 采用金属有机物化学气相沉积(MOVCD)技术制备了不同GaN垒层厚度的InGaN单量子阱。低温PL测量发现,随着GaN垒层厚度的增加,InGaN量子阱的发光峰位发生了明显的红移;同时,激子与纵光学声子间的耦合强度也逐渐增...
- 胡晓龙张江勇张保平
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