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国家重点基础研究发展计划(001CB610505)

作品数:21 被引量:88H指数:5
相关作者:康俊勇张万金李静吴孙桃卢晓峰更多>>
相关机构:厦门大学吉林大学新加坡国立大学更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金福建省自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信化学工程更多>>

文献类型

  • 21篇中文期刊文章

领域

  • 14篇理学
  • 6篇电子电信
  • 1篇化学工程

主题

  • 5篇英文
  • 3篇第一性原理
  • 3篇湿法腐蚀
  • 2篇第一性原理计...
  • 2篇电子结构
  • 2篇电子态
  • 2篇电子态密度
  • 2篇形貌
  • 2篇扫描隧道显微...
  • 2篇射频磁控
  • 2篇射频磁控溅射
  • 2篇手性
  • 2篇态密度
  • 2篇紫外
  • 2篇子结构
  • 2篇面形
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米管
  • 2篇聚苯
  • 2篇聚苯胺

机构

  • 15篇厦门大学
  • 6篇吉林大学
  • 3篇新加坡国立大...
  • 2篇爵硕大学
  • 1篇南京大学

作者

  • 9篇康俊勇
  • 6篇张万金
  • 5篇吴孙桃
  • 5篇李静
  • 3篇王兴
  • 3篇陈梁
  • 3篇卢晓峰
  • 3篇叶建辉
  • 3篇李书平
  • 3篇刘娜
  • 2篇林伟
  • 2篇赵晓刚
  • 2篇贲腾
  • 2篇曹晖
  • 2篇危岩
  • 2篇刘新才
  • 2篇周昌杰
  • 2篇毛华平
  • 2篇于有海
  • 2篇冯夏

传媒

  • 8篇发光学报
  • 6篇高等学校化学...
  • 2篇固体电子学研...
  • 2篇微纳电子技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇厦门大学学报...
  • 1篇功能材料

年份

  • 4篇2007
  • 6篇2006
  • 2篇2005
  • 3篇2004
  • 5篇2003
  • 1篇2002
21 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
ZnO中Li相关缺陷结构性质被引量:5
2006年
采用第一性原理量子力学分子动力学方法,基于32个原子的超原胞模型,计算了ZnO中各种L i相关缺陷的有关几何和电子结构。通过不同模型的计算分析表明,ZnO中L i杂质在间隙位上的总能比替位Zn格位的能量更低,但却形成施主能级。进一步通过构造L i替Zn位L iZn与不同本征缺陷所构成的复合体结构,并对模拟计算的结果进行分析比较得出,O反位OZn可与L iZn形成比L i间隙位更稳定的复合体,可高溶解度地稳定存在于ZnO中,并在禁带中产生受主能级,是较好的p型导电性候选缺陷。
徐群和康俊勇
关键词:ZNO本征缺陷第一性原理计算
硅酸锌的电子结构(英文)被引量:5
2006年
采用局域密度泛函理论和第一性原理的方法,计算四方结构和六角结构硅酸锌的平衡晶格常数、电子态密度和能带结构。计算结果表明,四方结构硅酸锌的平衡晶格常数为0.71048nm,六角结构为1.40877nm,两者与实验值的误差均在1%左右。态密度图显示,主要电子态分布在-7.18~0.00eV和2.79~10.50eV两个能量区域;同时,不同元素电子对导带和价带有不同贡献,其中氧的p态电子对价带顶贡献最大,锌的s态电子对导带底贡献最大。能带计算表明,四方与六角结构硅酸锌均为直接带隙半导体,禁带宽度分别为2.66,2.89eV。
张华冯夏康俊勇
关键词:硅酸锌电子态密度
Mg_xZn_(1-x)O结构性质(英文)被引量:2
2006年
采用第一性原理计算模拟了不同组分的MgxZn1-xO半导体混晶的晶格常数、总能、结构,以及禁带宽度的变化。计算结果显示,随着Mg组分的增加,晶格常数逐渐减小,晶体逐渐偏离纤锌矿结构。对各种不同的Mg原子排列情况进行比较认为,MgxZn1-xO的结构随组分x的增大,发生从纤锌矿到岩盐矿的结构相变的可能性高于发生相分离。另一方面,禁带宽度随组分增大主要由价带顶的移动所致。进一步分析Mg原子各种电子态对价带的影响表明,Mg对价带顶附近能带的贡献依次来自p、d、s态电子。随着组分x的增加,p态电子在价带顶附近的密度明显提高,说明sp轨道杂化不但对晶体的几何结构产生影响,而且对其电子结构也起重要作用。
陈晓航康俊勇
关键词:晶格结构第一性原理计算
湿法腐蚀后硅表面形态微结构的研究
2003年
随着半导体工艺集成度的不断提高及微纳米技术的发展,半导体硅材料的湿法腐蚀及腐蚀后硅表面的平整度及洁净度对半导体器件的影响越来越重要,有关此方面的研究也日益受到重视。本文利用扫描隧道显微镜(STM)技术,研究了Si(111)在几种不同比例的NH_4F-HCl溶液中腐蚀后的表面形态及洁净度。表面的STM图像分析,表明在较高pH值的NH_4F-HCl溶液中腐蚀的Si(111)表面粗糙度较小。
李静吴孙桃叶建辉S.F.Y.Li
关键词:湿法腐蚀微结构STM扫描隧道显微镜
高分子量聚苯胺/碳纳米管复合材料的合成与表征被引量:32
2005年
Composites of high molecular weight polyaniline with various weight percentages of multi-walled carbon nanotubes(MWNTs) were synthesized in the presence of selected dissolved neutral salt by in situ polymerization.The composites were characterized by means of SEM,FTIR and XRD,four-point probe conductivity measurements.The results indicate that the composites possess very different morphologies,high electrical conductivities and good crystallization compared with high molecular weight polyaniline.
晁单明陈靖禹卢晓峰陈梁张万金
关键词:碳纳米管形貌
母体苯胺六聚体的一步法合成及紫外光谱研究被引量:3
2004年
The parent aniline hexamer was synthesized in the emeraldine base(EB) oxidation state through one step oxidative coupling reaction using parent aniline trimer in the leucoemeraldine oxidation state. The hexamer in the EB state was reduced by phenylhydrazine in ethanol and was characterized by IR, 1H NMR , MALDI TOF MS and elemental analysis. The chemical oxidation process of the hexamer was studied by UV Vis spectra. It was found that the hexamer was oxidized to its EB form and then to the pernigraniline oxidation state.
陈梁于有海毛华平卢晓峰张万金
关键词:氧化偶联反应聚苯胺
氨基封端苯胺五聚体的合成及紫外光谱研究被引量:6
2004年
Compound B was synthesized through oxidative coupling reaction of p-phenylene-diamine and compound A(acetylamino-capped aniline dimer). This synthetic route protected the N-phenyl-1,4-phenylenediamine from further reaction. The pentamer was synthesized by the hydrolysis of compound B(acetylamino-capped aniline pentamer) and was characterized by IR, elemental analysis and MALDI-TOF-MS. The chemical oxidation process of the pentamer was studied by UV-Vis spectra. It was found the pentamer was oxidized to its EB form and then to the pernigraniline oxidation state.
陈梁于有海毛华平卢晓峰张万金危岩
关键词:紫外可见光谱
Li嵌入对V_2O_5电子结构及光学性质的影响(英文)被引量:1
2007年
采用第一性原理局域密度近似法计算了V2O5的电子态密度和能带结构以及Li嵌入后对其电子结构和光学性质的影响。计算结果表明,V2O5是间接带隙半导体,Li的嵌入并没有改变其电子的跃迁方式。但Li的嵌入使得V2O5导带能量下移,禁带宽度减小,导带中原有的劈裂被分裂的能级填满;同时致使价带出现展宽。电子态密度计算结果表明Li的嵌入对临近的O和V的电子结构有较大的影响。Li2s电子的注入提高了V2O5的费米能级并导致其进入导带。由于价带中的电子只能跃迁到费米能级以上的导带空能级,这致使体系实际的光学带隙增大。同时随着Li注入量的进一步增加,价带的展宽更为明显,费米能级亦呈升高的趋势,使得光学带隙随着Li注入量的增加而增大。
李志阳周昌杰林伟吴启辉康俊勇
关键词:第一性原理V2O5电子结构光学性质
氟化物溶液腐蚀后硅表面形态的STM与XPS研究被引量:2
2003年
利用扫描隧道显微技术(STM)和X 射线光电子能谱(XPS)技术,研究了Si(111)在几种不同比例的NH4F HCl溶液中被腐蚀后的表面形态及洁净度.通过分析表面的STM图像与XPS谱图,表明在较高pH值的NH4F HCl溶液中被腐蚀的Si(111)表面粗糙度较小,且表面洁净度及化学稳定性较好.
李静吴孙桃叶建辉LI S F Y
关键词:半导体工艺湿法腐蚀表面形态STM
纤锌矿结构ZnO中定位Ga-N共掺杂对p型掺杂效率的影响被引量:3
2006年
采用第一性原理和密度泛函理论的方法,计算未掺杂、N单掺杂和Ga-N共掺杂纤锌矿结构ZnO的总能、电荷密度和能带结构。总能计算表明,Ga原子的共掺杂使总能极大地降低,从而显著提高杂质N原子在ZnO中的稳定性。电荷密度分布显示,总能的降低主要是Ga-N共掺杂后Ga原子的3d态和N原子的2p态电子之间的强杂化相互作用所致。特别是在Ga原子的负电荷和N原子的正电荷沿c轴排成一线的共掺杂构型中,较大的局域极化场的变化引起价带顶向禁带中的大分裂,降低了N受主的激活能,将空穴的浓度提高了三个量级,有效地提高p型掺杂效率。
周昌杰康俊勇
关键词:氧化锌P型掺杂
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