国家重点基础研究发展计划(G1999033105)
- 作品数：69 被引量：341H指数：9
- 相关作者：刘理天赖宗声钟先信李志坚刘泽文更多>>
- 相关机构：清华大学华东师范大学重庆大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术机械工程电气工程更多>>
- 微机械光调制器的制备及其在不同激励条件下的响应研究被引量：4
- 2002年
- 本文主要讨论了具有机械式抗反射开关 (即MARS)结构的新型微机械光调制器 .MARS结构光调制器由表面微机械工艺制备 .测量结果表明 ,微机械光调制器有一系列的固有频率 .当器件被正弦信号激励时 ,其响应信号也是正弦信号 .当器件被方波信号激励时 ,响应信号和激励频率有关 .当激励方波频率远低于器件固有频率时 ,器件响应实际上是对上下两个阶跃信号的响应 :出现明显的阻尼振荡效应 .当激励频率在固有频率附近时 ,器件实际只对方波的基频效应
- 茅惠兵忻佩胜柯菁华赖宗声
- 关键词：微电子机械系统光调制器
- 基于离散数字混沌序列的图像加密被引量：21
- 2007年
- 由幅值连续的Logistic混沌公式研究了一种幅度值离散数字混沌序列的产生方法,可方便用于硬件实现图像加密。采用函数运算方法由3个不同周期的离散数字混沌序列“异或”运算获得长周期图像加密序列,将图像加密序列与原始图像“异或”加密图像。加密和解密仿真对比可见,该方法对初始值具有敏感性。分析表明,所获得的幅度离散数字混沌序列产生方法具有算法简单,信息安全可靠性高,便于硬件实现的特点。
- 陈帅钟先信石军锋朱士永
- 关键词：图像加密混沌序列异或运算
- 用于RF无源器件的氧化多孔硅隔离层技术被引量：1
- 2005年
- 为了提高片上射频(RF)无源器件的性能,可以利用氧化多孔硅厚膜隔离硅衬底来降低硅衬底的高频损耗。通过采用SerenadeSV建模对共面波导传输性能的分析,计算了不同厚度的氧化多孔硅隔离层硅衬底的损耗。结果表明氧化多孔硅(OPS)隔离层能够极大地降低硅衬底在高频条件下的损耗。实验制备过程中采用电化学阳极氧化法在n+衬底上制备了多孔硅厚膜,继而将孔隙度大于56%的多孔硅样品利用两步氧化法氧化为氧化多孔硅厚膜,有效地解决制备过程中的隆起失效和崩裂失效问题。测量了多孔硅的生长速率和氧化多孔硅的表面形貌。制作了一个氧化多孔硅隔离层上的5nH的Cu平面电感,在2.4GHz时电感的品质因数(Q值)超过了6。
- 陈忠民刘泽文刘理天
- 关键词：多孔硅射频器件损耗
- 4nH硅微机械电感研究
- 在分析影响电感性能的各因素之后,对微波系统中常用的4nH电感进行了具体的计算和模拟,给出了在2GHz工作频率下的优化结构,并提出了该微机械平面螺旋电感的工艺设计。设计结构保证电感在该工作频率下有较高的Q值,工艺流程与硅C...
- 丁勇刘泽文刘理天李志坚
- 关键词：微机械电感Q值硅
- 文献传递
- 三维层叠微带天线的FDTD模拟(英文)被引量：1
- 2004年
- 借助Maxwell方程组,将时域有限差分法应用于实验室研制的新型层叠式微机械微带贴片天线的建模和分析,并根据数值模拟结果讨论了天线的特性参数。根据实际情况,灵活地给出了各边界的近似吸收边界条件,有效地减少了存储空间和计算时间。
- 余文革钟先信巫正中李晓毅
- 关键词：微光机电系统微带贴片天线宽带时域有限差分法吸收边界条件
- Design of coils inductively-tuned RF MEMS shunt switches using novel modeling method
- ＜正＞In this paper,the design of coils inductively-tuned RF MEMS shunt switches using novel modeling method is p...
- Lei Xiaofeng~*
- 文献传递
- 悬臂式RF MEMS开关的设计与研制被引量：14
- 2003年
- 介绍了一种制作在低阻硅 (3～ 8Ω· cm)上的悬臂式 RF MEMS开关 .在 Cr/ Au CPW共面波导上 ,金 /Si Ox Ny/金三明治结构或电镀金作为悬置可动臂 ,静电受激作为开关机理 .当开关处于“关断”态 ,其隔离度小于- 35 d B(2 0～ 4 0 GHz) ;阈值电压为 13V ;开关处于“开通”态 ,插入损耗为 4～ 7d B(1～ 10 GHz) ,反射损耗为 - 15 d B.另外 ,还分析了开关的悬臂梁弯曲度与驱动电压的关系 ,并应用 ANSYS软件对开关进行了电学。
- 郭方敏赖宗声朱自强贾铭初建朋范忠朱荣锦戈肖鸿杨根庆陆卫
- 关键词：悬臂梁插入损耗隔离度ANSYS软件
- PZT铁电薄膜的反应离子刻蚀研究
- 2011年
- 介绍了一种刻蚀效果良好的PZT铁电薄膜反应离子刻蚀方法。利用深反应离子刻蚀设备研究了反应离子刻蚀中刻蚀气氛、刻蚀功率及刻蚀气体流量等因素对PZT薄膜刻蚀效果的影响。实验结果表明,刻蚀气体采用SF6、刻蚀功率为250 W、SF6/Ar总流量为25 cm3/min(其中SF6∶Ar为20∶5)时刻蚀效果最优。利用优化后的工艺条件制作出可用于铁电存储器的铁电电容并测试其电学特性,得到了较理想的电滞回线和漏电流。
- 束平王姝娅张国俊戴丽萍翟亚红王刚钟志亲曹江田
- 关键词：PZT薄膜深反应离子刻蚀刻蚀速率铁电电容
- 一种X波段RFMEMS开关的设计与制作研究被引量：1
- 2005年
- 设计并制作了一种X波段的电容式RFMEMS开关。该开关在共面波导上的悬空金属膜桥的支撑梁呈螺旋结构,其等效电感值高达134pH,有效降低了”关”态的谐振频率。结合开关的等效电路模型,使用AgilentADS软件以及理论公式计算对该开关进行了设计和优化。与传统桥膜电容式开关相比,所介绍的开关”关”态隔离性能得到了很大提高。利用表面微机械工艺,在高阻硅衬底上制备了开关样品。X波段MEMS开关的在片测试结果表明:驱动电压为9V,“开”态的插入损耗约0.69dB@11.6GHz;“关”态的隔离度约27.7dB@11.6GHz。
- 雷啸锋刘泽文宣云韦嘉李志坚刘理天
- 关键词：MEMS开关X波段高隔离度
- 三维压电加速度传感器的设计被引量：14
- 2003年
- 设计了一种基于MEMS的单片三维压电薄膜加速度传感器,传感器采用单一质量块和四方梁的高度对称结构。对传感器结构进行理论分析和计算,研究了传感器设计中几个因素间的相互制约关系。用有限元软件ANSYS进行了不同加速度条件下传感器的静态和模态分析。模拟结果表明传感器能够同时独立测出X、Y、Z三个方向的加速度,其灵敏度分别为2.76×10^(-3)V·s^2/m、2.76×10^(-3)V·s^2/m、2.96×10^(-3)V·s^2/m,并且横向灵敏度几乎为零。
- 黄朋生任天令楼其伟刘建设刘理天
- 关键词：微传感器压电薄膜PZTMEMS
