国家教育部博士点基金(20110071110010)
- 作品数：4 被引量：6H指数：2
- 相关作者：张群刘宝营杨铭稻秀美林华平更多>>
- 相关机构：复旦大学上海大学台湾中山大学更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 溶液法制备氧化铝介质层的非晶铟锌氧化物薄膜晶体管
- 2014年
- 采用旋涂法制备了氧化铝栅介质层薄膜.通过XRD和AFM分析表征了薄膜的结晶性和表面平整性.分光光度计测试表明薄膜在可见光范围的平均透射率大于85%.采用MIM结构研究其漏电流密度,在电场强度为1MV/cm时仅为3×10-9 A/cm2,表明可以用作栅介质层.以旋涂法涂覆的a-IZO薄膜为沟道层、旋涂法涂覆的氧化铝为介质层,制备了底栅结构的氧化物薄膜晶体管.测试表明该薄膜晶体管工作在n型沟道增强型模式,器件场效应迁移率为1.4cm2/(V·s),电流开关比约为105,阈值电压为2.2V,显示出相对较好的器件性能.
- 庞抒见浦海峰张群
- 关键词：介质层薄膜晶体管旋涂法
- SiN_x介质层非晶IGZO薄膜晶体管的光照稳定性研究
- 2015年
- 通过对比电特性曲线、阈值电压、亚阈值摆幅等参数的变化趋势,深入分析了低温真空制备的Si Nx介质层非晶铟镓锌氧(a-IGZO)薄膜晶体管(TFT)在光照下的稳定性机理。实验结果表明,器件在光照下的稳定性良好。但如果在施加偏压的过程中同时进行光照,则会伴随有不同程度的电性曲线偏移,具体表现为对正偏压效果的抑制作用和对负偏压效果的促进作用。结合光照在器件的恢复过程中的影响综合分析后认为,光照的主要作用体现在光子对电子空穴对的激发,以及为电子提供能量增加越过势垒的几率。单一的光照影响有限,但在光照与偏压的共同作用下,往往会引起显著的电学性能变化,变化结果符合charge-trapping模型。
- 崔璨蔡明谚张鼎张张群
- 关键词：IGZOSINX薄膜晶体管光照
- 直流磁控溅射制备SnO_2薄膜的阻变特性研究被引量：4
- 2012年
- 采用直流磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2基片上分别以三种不同的基板温度和后热处理工艺制备了二氧化锡(SnO2)薄膜。采用X射线衍射仪对三种薄膜的晶格结构进行了分析表征,通过Keithley 4200半导体参数分析仪对薄膜的阻变特性进行了测试。实验结果表明:三种制备条件下的SnO2薄膜均具有阻变性能,基板温度350℃和850℃退火处理分别制备的薄膜同时具有良好的写入/擦除电压分布一致性、较好的高阻态阻值离散性和较大的开关比。初步讨论了三种薄膜阻变特性的机理,薄膜内部导电细丝的形成和断裂程度不同造成三种薄膜高低阻态电阻分布不同,同时影响了写入与擦除阈值电压的分布一致性等阻变参数。
- 刘宝营张群
- 关键词：二氧化锡直流磁控溅射
- OLED用三氧化钨缓冲层的研究被引量：2
- 2012年
- 采用反应直流磁控溅射法在衬底温度为300℃玻璃基板上制备了掺钨氧化铟(IWO)作为OLED器件的阳极,然后室温条件下在IWO上制备了三氧化钨缓冲层.XRD分析表明三氧化钨为非晶结构.对比测试了有无WO3缓冲层的两种OLED器件,发现带有WO3缓冲层的OLED器件的亮度和功率均是无三氧化钨缓冲层的器件的两倍,而且发光效率最高可以达到对比器件的4倍.从器件能带排列的角度初步讨论分析了提高器件性能的原因.
- 稻秀美林华平杨铭张群
- 关键词：三氧化钨有机电致发光器件缓冲层
