国家教育部博士点基金(20070246032)
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 直流反应磁控溅射制备非晶掺锌氧化铟沟道层薄膜
- 2010年
- 采用直流反应磁控溅射In/Zn合金靶材在室温下制备了非晶掺锌氧化铟(a-IZO)薄膜,作为沟道层应用于氧化物薄膜晶体管。通过在沉积过程中适当调节氧气压强,制备的a-IZO薄膜的电阻率可具有10-3～106Ω.cm即109倍的变化范围。在氧气压强Po2=5×10-2Pa制备的薄膜,其可见光范围平均透射率大于85%。试制了基于a-IZO薄膜沟道层的顶栅结构的氧化物薄膜晶体管。测试表明该薄膜晶体管工作在n型沟道增强模式,场效应迁移率为4.25 cm2V-1s-1,电流开关比约为103。实验结果预示a-IZO薄膜在TFT-LCD和AMOLED等平板显示领域具有应用前景。
- 周俊李桂锋卜东生张群
- 关键词：直流反应磁控溅射薄膜晶体管
- 有机介质层铟锌氧化物薄膜晶体管被引量：1
- 2010年
- 利用直流磁控溅射方法在玻璃基板上室温制备非晶铟锌氧化物半导体薄膜,薄膜表面平整。采用旋涂法室温制备聚四乙烯苯酚有机介质层。以铟锌氧化物薄膜作为沟道层、聚四乙烯苯酚作为介质层,成功制备了顶栅结构的薄膜晶体管。测试结果表明,所制备的薄膜晶体管具有饱和特性且为耗尽工作模式,薄膜晶体管的阈值电压为3.8V,迁移率为25.4cm2.V-1.s-1,开关比为106。
- 李桂锋冯佳涵周俊张群
- 关键词：薄膜晶体管
- 直流磁控溅射工艺参数对掺钨氧化铟透明导电薄膜性能影响的研究被引量：1
- 2010年
- 采用直流磁控溅射法制备了掺钨氧化铟（IWO）透明导电薄膜。研究了薄膜结构、表面形貌、光学和电学性能与各种制备参数之间的依赖关系。X射线衍射（XRD）谱分析结果表明随着基底温度的升高,薄膜的结晶性得到改善。原子力显微镜（AFM）测试结果表明薄膜颗粒均匀,表面平整。研究发现薄膜的电学性能对制备参数非常敏感。在基板温度为380℃的条件下所制备的样品在可见光区域（400-700 nm）的平均透射率（未扣除基底）均大于80%。获得的IWO薄膜最低电阻率为2.8×10^-4 ohm.cm,对应载流子迁移率49 cm^2V^-1s^-1,载流子浓度4.4×10^20 cm^-3,平均透射率83%。
- 杨铭李喜峰李桂锋张群
- 关键词：直流磁控溅射
