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国家高技术研究发展计划(8637150010010)

作品数：2 被引量：1H指数：1
相关作者：王成新刘祥林韩培德陆大成王良臣更多>>
相关机构：中国科学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇GAN
  • 1篇异质结
  • 1篇双异质结
  • 1篇迁移
  • 1篇迁移率
  • 1篇蓝光
  • 1篇蓝光发光二极...
  • 1篇二极管
  • 1篇二维电子
  • 1篇二维电子气
  • 1篇发光
  • 1篇发光二极管
  • 1篇P型
  • 1篇P型GAN
  • 1篇ALGAN
  • 1篇MOVPE
  • 1篇ALGAN-...
  • 1篇2DEG

机构

  • 2篇中国科学院

作者

  • 2篇韩培德
  • 2篇刘祥林
  • 2篇王成新
  • 1篇汪度
  • 1篇王晓晖
  • 1篇王良臣
  • 1篇陆大成

传媒

  • 2篇高技术通讯

年份

  • 2篇2000
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
P型GaN和AlGaN外延材料的制备被引量：1
2000年
研究了MOVPE方法外延P型GaN和Al0 13Ga0 87N的生长工艺 ,包括掺杂剂量和热退火条件 ,对材料电学性质的影响。得到了性能优良的P型材料 ,并研制了InGaN/AlGaN双异质结蓝光发光二极管。
刘祥林王成新韩培德陆大成王晓晖汪度王良臣
关键词：P型GANALGAN双异质结蓝光发光二极管
高迁移率AlGaN-GaN二维电子气
2000年
用金属有机物气相外延 (MOVPE)方法在 (0 0 0 1)蓝宝石衬底上生长了AlxGa1 xN/GaN二维电子气 (2DEG)结构。Al0 13Ga0 87N (70 0nm ) /GaN(6 0 0nm)异质结的室温电子迁移率达 10 2 4cm2 /Vs ,而GaN体材料的室温电子迁移率为 390cm2 /Vs;该异质结的77K电子迁移率达 350 0cm2 /Vs ,而GaN体材料的电子迁移率在 185K下达到峰值 ,为4 90cm2 /Vs ,77K下下降到 2 50cm2 /Vs。 2DEG的质量属国内领先水平 ,并接近国际领先水平。
刘祥林王成新韩培德
关键词：GAN2DEGMOVPE
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