辽宁省科技厅博士启动基金(20101003)
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
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- 一种用于器件模型参数提取的芯片测试数据的获取方法
- 2012年
- 半导体器件的建模及模型参数提取是电子设计自动化(EDA)领域的关键性工作。要提取器件参数,获取并处理复杂繁重的测量数据是前提条件,也是非常重要的一个环节,如何简单有效的提取并处理参数提取测试数据就显得格外重要。本文提出了简单易用的用于器件模型参数提取的测试数据的获取方法。实验证明,该方法可以有效的获取大量繁杂的测试数据,具有较高的精确度,而且简单易用,适合推广使用。
- 宋文斌
- 关键词：MOS器件模型参数数据测试
- 多晶硅部分剥离技术对抗辐照VDMOS动态特性的影响被引量：2
- 2012年
- 在考虑VDMOS器件的抗辐照特性时,为了总剂量辐照加固的需求,需要减薄氧化层的厚度,然而,从VDMOS器件的开关特性考虑,希望栅氧化层厚度略大些。本文论证了在保证抗辐照特性的需求的薄氧化层条件下,采用漂移区多晶硅部分剥离技术以器件动态特性的可行性,研究了该结构对器件开启电压、击穿电压、导通电阻、寄生电容、栅电荷等参数的影响,重点研究了漂移区多晶硅窗口尺寸对于VDMOS动态特性的影响。模拟结果显示,选取合理的多晶硅尺寸,可以降低栅电荷Qg,减小了栅-漏电容Cgd,减小器件的开关损耗、提高器件的动态性能。
- 宋文斌蔡小五
- 关键词：VDMOS抗辐照动态性能
