上海市科学技术委员会资助项目(06ZR14035)
- 作品数：3 被引量：9H指数：2
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- 相关机构：上海大学更多>>
- 发文基金：上海市科学技术委员会资助项目上海市教育委员会重点学科基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 非晶硅薄膜上碘化汞多晶薄膜的生长及其性能被引量：5
- 2008年
- 采用改进后的带有真空活塞的热壁物理气相沉积装置在非晶硅薄膜上制备HgI2多晶薄膜,使薄膜生长的操作过程更加简单安全。用边抽真空边生长薄膜的方式,可以获得较大的生长速率。通过改变不同的沉积参数,对获得的薄膜,采用XRD、SEMI、-V特性以及电容频率特性等手段对其进行表征,结果表明,获得了沿〈001〉晶向柱状生长且晶粒大小均匀、电阻率为2.5×1011Ω.cm、相对介电常数为5.53的薄膜。
- 郑耀明史伟民魏光普秦娟徐环
- 关键词：多晶非晶硅物理气相沉积
- CuPc/C_(60)薄膜太阳能电池的制备及膜厚对其光电性能的影响被引量：2
- 2009年
- 本文采用CuPc作为电子给体,C60作为电子受体制备了ITO/CuPc/C60/Al异质结太阳能电池。实验表明器件中活性层(CuPc/C60)对太阳能电池的光电性能有很大的影响。主要原因是有机物的激子扩散长度大约是十几纳米左右,产生的激子大多数在未到达异质结之前就已经复合。本文讨论了活性层(CuPc/C60)的厚度比,并获得其最优比例。
- 周文静史伟民伍丽李爱民唐健敏秦娟王林军夏义本
- 关键词：有机太阳能电池酞菁铜富勒烯
- 掺杂SnS薄膜的制备及电学性能被引量：2
- 2007年
- 硫化锡(SnS)具有很高的光吸收系数和合适的禁带宽度,又无毒性,因此在太阳电池等光电器件中具有潜在应用价值。本文用真空蒸发法制备掺杂的SnS薄膜,掺杂源有Sb、Sb_2O_3、Se、Te、In、In_2O_3、Se和In_2O_3的混合物。对各种掺杂SnS薄膜的厚度、电流-电压(Ⅰ—Ⅴ)特性等进行了表征,并计算了其电阻率和光电导与暗电导的比值(G_(photo)/G_(dark))。结果表明较有效的掺杂源是Sb,Sb掺杂的薄膜电阻率比纯薄膜的电阻率降低四个数量级,G_(photo)/G_(dark)增加约一倍。同时,研究了Sb掺杂量对SnS薄膜电学性能的影响,表明Sb的最佳掺入量约为1.3wt%～1.5wt%。
- 郭余英史伟民魏光普邱永华夏义本
- 关键词：太阳电池掺杂电阻率
