天津市自然科学基金(043612311)
- 作品数：3 被引量：6H指数：2
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- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 纳米晶体硅量子点薄膜的制备及表征被引量：2
- 2007年
- 利用激光烧蚀沉积法在n-Si(100)衬底上制备非晶硅(-αSi)薄膜,再经过高温退火技术处理使-αSi晶化成纳米硅晶体(nc-Si)量子点.利用拉曼(Raman)光谱仪、X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)以及原子力显微镜(AFM)等测试仪器对nc-Si薄膜进行表征,发现制备的nc-Si量子点排列紧密、尺寸均匀,具有很好的单晶结构,制备的nc-Si薄膜晶化比例很高,并且优先选择在[111]方向晶化.
- 张生才吴成昌肖夏王云峰姚素英赵新为
- 关键词：激光烧蚀拉曼光谱X射线衍射仪透射电子显微镜原子力显微镜
- 表征超大规模集成电路互连纳米薄膜硬度特性的声表面波的频散特性被引量：4
- 2007年
- 利用声表面波(SAW)的频散特性来表征超大规模集成电路(ULSI)互连系统中低介电常数(k)薄膜的物性具有准确、快速、对材料无损伤等突出优点.研究了Si(100)衬底上淀积低k薄膜的分层结构中,SAW沿任意方向传播的色散关系.引入坐标变换后,单层薄膜特征矩阵从9阶降到6阶,双层薄膜特征矩阵从15阶降到10阶,大幅度提高了计算速度,有利于生产ULSI过程中的在线监测.
- 肖夏尤学一姚素英
- 关键词：超大规模集成电路声表面波频散特性
- 纳米晶体硅量子点场发射冷阴极的研究
- 在n-Si(4-5Ω·cm)衬底上淀积了400nm厚的纳米晶体硅(nc-Si)量子点薄膜,将其制备成场致发射的冷阴极。介绍了nc-Si量子点冷阴极的制备,场致发射特性的测试,解释了nc-Si量子点冷阴极的工作模型及电子弹...
- 吴成昌肖夏赵新为张生才
- 关键词：场致发射冷阴极
- 文献传递
- Study of Spacer Structure for Large Screen Field Emission Display
- The spacers placed transversely and lengthwise which are used for supporting 960×540 mm~2 FEDs are simulated b...
- Qing-Yu Zhou Xia XiaoYun-Feng WangSu-Ying Yao
- 纳米晶体硅量子点场发射冷阴极的研究
- 2005年
- 在n-Si(4～5Ω·cm)衬底上淀积了400nm厚的纳米晶体硅(nc-Si)量子点薄膜,将其制备成场致发射的冷阴极.介绍了nc-Si量子点冷阴极的制备,场致发射特性的测试,解释了nc-Si量子点冷阴极的工作模型及电子弹道发射的原理.透射电子显微镜(TEM)对样片的结构分析证实样片中的nc-Si量子点具有很好的单晶结构;原子力显微镜(AFM)对样片的表面形貌分析表明,样片具有平滑的表面,有利于提高冷阴极的发射效率.
- 吴成昌肖夏赵新为张生才
- 关键词：场致发射冷阴极
