中央高校基本科研业务费专项资金(HEUCFT1008)
- 作品数：2 被引量：4H指数：2
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- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 沟槽栅功率MOSFET导通电阻的模拟研究被引量：2
- 2011年
- 为了进一步降低沟槽栅功率MOS器件的导通电阻,提出了一种改进的trench MOSFET结构.借助成熟的器件仿真方法,详细分析了外延层杂质掺杂对器件导通电阻和击穿电压的影响,通过对常规trench MOSFET和这种改进的结构进行仿真和比较,得出了击穿电压和导通电阻折中效果较好的一组器件参数.模拟结果表明,在击穿电压基本相当的情况下,新结构的导通电阻较之于常规结构降低了18.8%.
- 王颖程超胡海帆
- 关键词：导通电阻击穿电压
- 一种改进的核脉冲峰值甄别器被引量：2
- 2012年
- 为了避免以往峰值甄别器在输入信号脉宽、峰值均随机的情况下因ADC转换速度造成后端处理器的错记、漏记现象,利用微分过零比较器设计了一种应用于核脉冲峰值探测器的CMOS峰值甄别电路,完成了峰值时刻触发ADC进行峰值模数转换和峰谷时刻进行复位触发的功能.通过Hspice软件进行仿真,证明了采用该峰值甄别电路可以使峰值探测系统完成对输入信号峰值信息的准确检测,同时消除了对转换速度较快ADC的限制,减小了整个系统的死时间.
- 高松松王颖司伟建刘云涛
