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隧道再生多有源区垂直腔面发射激光器光学特性研究: 2005年; 文章对隧道再生两个有源区内腔接触式垂直腔面发射激光器(VCSEL)光学特进行了研究。主要包括:通过纵向光场分布模拟分析了驻波效应;测量得到了VCSEL外延片量子阱增益谱峰值波长、谐振腔谐振波长、分布布喇格反射器(DBR)反射谱中心波长及材料的生长厚度偏差等重要信息,并结合增益谱,对该外延片制备的器件不激射的原因进行了分析解释。此外,对该外延片边发射模式特性进行模拟计算,由于DBR结构的存在,此结构的光场强度分布明显不同于普通的边发射激光器,模拟得到的远场发散角与测量结果相吻合。; 渠红伟郭霞邓军董立闽廉鹏邹德恕沈光地; 关键词：垂直腔面发射激光器边发射增益谱

不同形状台面的AlGaAs湿氮氧化规律研究被引量：1: 2004年; 详细研究了凸形、凹形与条形台面的AlGaAs湿氮氧化规律。对三种形状的台面分别进行氧化长度的观察测试,发现凸形、条形及凹形台面的氧化速率顺次下降,且随氧化时间的加长,差距明显增大。运用氧化动力学方法分析,是由于不同形状台面内的氧化剂浓度及氧化剂扩散速率不同引起;并推导得出台面形状、尺寸与氧化速率的对应关系。所推导的氧化规律模拟曲线与实验数据基本吻合。进一步指出当台尺寸较小时,由于氧化剂在气相传送中也受到了限制,凹形台面氧化速率的实验值与理论值会出现较大偏差。; 董立闽郭霞渠红伟杜金玉邹德恕廉鹏邓军徐遵图沈光地; 关键词：氧化速率气相氧化动力学

隧道再生结构的垂直腔面发射激光器激射特性研究: 2005年; 对隧道再生多有源区内腔接触式垂直腔面发射激光器(VCSEL)材料特性进行了实验研究,得到了VCSEL外延片量子阱增益谱峰值波长、谐振腔谐振波长、DBR反射谱中心波长及材料的生长厚度偏差等重要信息。如果谐振腔谐振波长比增益谱峰值波长长20nm以上,阈值条件很难得到满足,器件很难实现激射。符合模拟参数生长的双有源区隧道再生VCSEL实现了室温激射。氧化孔径8.3μm器件,在11mA注入电流下,获得5mW的输出功率,斜率效率0.702mW/mA,激射波长970nm。; 渠红伟郭霞邓军董立闽廉鹏邹德恕沈光地; 关键词：垂直腔面发射激光器隧道再生边发射增益谱

垂直腔面发射激光器温度特性的研究被引量：8: 2005年; 借助于SV-32低温恒温器及LD2002C5 VCSEL测试系统,对内腔接触式氧化物限制型垂直腔面发射激光器进行了变温实验研究,测得在-10℃～70℃温度范围内,器件输出光功率、电压、斜率效率、发射波长和阈值电流随温度变化的实验曲线,并结合不同温度下VCSEL反射谱和增益谱的模拟结果,对实验曲线进行了很好的分析和解释.估算了连续工作状态下研制的InGaAs/GaAs垂直腔面发射激光器内部温升值,而且还得到了现有工艺条件下满足最低室温工作阈值的谐振腔谐振波长与增益谱峰值波长.; 渠红伟郭霞董立闽邓军达小丽徐遵图沈光地; 关键词：垂直腔面发射激光器增益谱谐振腔反射谱温度

垂直腔面发射激光器菲涅耳系数矩阵法设计被引量：1: 2006年; 应用薄膜光学的菲涅耳系数矩阵方法,对垂直腔面发射激光器的驻波场分布设计做了深入的研究。计算结果表明,分布布拉格反射镜生长顺序对器件内部驻波分布有重要的影响。同时也说明菲涅耳系数矩阵法设计垂直腔面发射激光器是一种快速准确的方法。; 盖红星陈建新俞波廉鹏邓军李建军韩军沈光地; 关键词：垂直腔面发射激光器光学薄膜驻波场半导体激光器

低电阻p-DBR结构的模拟分析被引量：2: 2005年; 设计了低电阻的渐变型分布布拉格反射器(DBR)结构,模拟分析了采用渐变p-DBR结构对价带能带的影响,并详细讨论了渐变形状、渐变区宽度、掺杂浓度等参数对低电阻渐变DBR结构的价带势垒的影响。利用MOCVD技术制备了实验样品,模拟结果与实验数据基本吻合。; 马丽娜郭霞盖红星渠红伟董立闽邓军廉鹏沈光地

980nm Oxide-Confined Vertical Cavity Surface Emitting Laser被引量：1: 2004年; Top-emitting oxide-confined intra-cavity contact structure 980nm VCSEL is fabricated by low-pressure metal organic chemical-vapor deposition (LP-MOCVD).Self-aligning etching process and selective oxidation are applied for current confinement.Output light power of 10.1mW and slope efficiency of 0.462mW/mA are obtained under room temperature,pulse operation,and injection current of 28mA.The maximum light power is 13.1mW under pulse operation.Output light power of 7.1mW,lasing wavelength of 974nm,and FWHM of 0.6nm are obtained under CW condition.The study of oxide-aperture influence on threshold current and differential resistance shows that lower threshold current can be obtained with a smaller oxide-aperture diameter.; 渠红伟郭霞黄静董立闽廉鹏邓军朱文军邹德恕沈光地; 关键词：VCSEL

Al_(0.98)Ga_(0.02)As的湿法氧化规律被引量：7: 2005年; 为实现精确控制VCSELs器件中氧化孔的大小 ,对Al0 .98Ga0 .0 2 As的湿法氧化规律进行了分析研究 .首先运用一维Deal Grove模型分析了Al0 .98Ga0 .0 2 As条形台面湿法氧化的一般规律 ,并在此基础上进一步分析推导 ,加以适当的简化 ,提出了适用于二维圆形台面的简单氧化模型 ,用此模型模拟得到的结果与实验数据十分吻合 .同时 ,实验中观察到氧化孔径很小时氧化速率突增的现象 .运用这些规律 ,将氧化长度的精度控制在 0 5 μm内。; 董立闽郭霞渠红伟杜金玉邹德恕廉鹏邓军徐遵图沈光地; 关键词：VCSEL ALGAAS 湿法氧化

渐变分布布拉格反射镜特性分析与测试被引量：2: 2005年; 垂直腔面发射激光器(VCSELs)是一种新型半导体激光器,可以广泛应用于光通信和光互连。本文模拟分析了垂直腔面发射激光器中的分布布拉格反射镜(DBRs)对价带势垒的影响,并对几种不同结构的反射镜的电阻进行了测试,测试结果表明采用抛物线渐变结构的分布布拉格反射镜的串联电阻最低。; 马丽娜郭霞盖红星渠红伟董立闽邓军廉鹏; 关键词：分布布拉格反射镜

具有渐变层半导体DBR的MOCVD外延制备被引量：1: 2006年; 应用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)制备了具有渐变层的半导体布拉格反射镜(DBR),分别是抛物线性、线性和突变结构的DBR。三种反射镜结构都设计为8个周期,通过白光反射谱测量突变DBR具有最大反射率。应用原子力显微镜对所制备的DBR表面形貌进行分析。结果表明,相同周期数情况下线性渐变DBR相对于其他两种结构粗糙度最小,具有良好的表面形貌,可以应用于垂直腔面发射激光器的研制。; 盖红星邓军廉鹏俞波李建军韩军陈建新沈光地; 关键词：布拉格反射镜金属有机化合物气相淀积原子力显微镜 ALGAAS

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