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CTAB辅助水热合成球状纳米花MoS2／C复合材料及其电化学性能研究被引量：4: 2016年; 以钼酸钠(Na_2MoO_4·2H_2O)、硫脲(NH_2CSNH_2)、CTAB为原料,利用水热法合成了MoS_2/C球状纳米花复合材料。通过XRD、SEM、TEM、TG等分析测试方法,研究了不同CTAB添加量对MoS_2/C复合材料的微观结构、表面形貌的影响规律,结果显示,有部分无定形碳嵌入了MoS_2层间,并抑制了MoS_2(002)面的堆积。电化学测试表明:与纯MoS_2相比,MoS_2/C复合材料具有更好的电化学性能,当加入0.025 g CTAB时首次放电比容量达到730 m Ah/g,在100 m A/g的电流密度下经过100次循环比容量稳定在415 m Ah/g。在此基础上讨论了MoS_2/C球状纳米花复合材料的可能生长机理以及对材料电化学性能的影响规律。; 蔡亚菱李亚飞王增梅张耀陈坚郭新立; 关键词：负极材料

高性能无铅压电材料Ba(Ti_(0.8)Zr_(0.2))O_(3-x)-(Ba_(0.7)Ca_(0.3))TiO_3单晶和薄膜的制备: 2012年; 具有三相点准同型相界附近成分的Ba(Ti0.8Zr0.2)O3-x(Ba0.7Ca0.3)TiO3无铅压电材料,具有优异的铁电、压电性能,作为一种具有潜在应用前景的无铅压电材料得到广泛关注。利用溶胶-凝胶法制备了该成分的薄膜以及尝试了利用浮区单晶炉的单晶生长工艺。利用XRD对薄膜和生长的晶体样品进行了物相鉴定;用AFM表征了薄膜的表面形貌;用TFAnalyz-er2000HS铁电测试系统测试了其电滞回线;还分析了气氛对晶体生长和紫外-可见透过光谱的影响。; 王增梅赵宽郭新立; 关键词：准同型相界三相点单晶

0.5Ba(Ti_(0.8)Zr_(0.2))O_3-0.5(Ba_(0.7)Ca_(0.3))TiO_3压电薄膜的摩擦、磨损性能被引量：1: 2013年; 具有准同型相界组分的0.5Ba(Ti0.8Zr0.2)O3-0.5(Ba0.7Ca0.3)TiO3(BZT-0.5BCT)陶瓷,表现出优异的铁电、压电性能,作为一种具有潜在应用前景的无铅压电材料得到广泛关注.本文采用溶胶-凝胶方法在Si(100)基底上制备了BZT-0.5BCT压电薄膜.使用原子力显微镜和扫描电子显微镜测量得到样品的形貌图,形貌图表明该方法制备的无铅压电薄膜表面光滑,晶粒大小均匀、呈半球形,直径为80—100nm,厚度为1.7μm,膜的内部有气孔.摩擦力实验表明,压电薄膜样品与硅针尖之间存在静电力的作用,导致其摩擦力远大于硅针尖与SiO2之间的摩擦力,但是两者的摩擦系数基本相同.划痕实验表明,BZT-0.5BC薄膜具有很强的法向承载能力,但是切向抗磨损能力差,样品的平均弹性模量为23.64GPa±5GPa,其硬度为2.7—4GPa,两者均略低于压电陶瓷Pb(Zr,Ti)O3材料的体态值.; 张艳王增梅陈云飞郭新立孙伟袁国亮殷江刘治国; 关键词：纳米压痕纳米划痕

气相传输法制备大尺寸单晶Bi_2Se_3纳米片、纳米带: 2014年; 低维Bi2Se3纳米材料是最新研究发现的一种新型三维拓扑绝缘体材料,在微电子器件和传感器领域具有广阔的应用前景。本研究采用气相传输法在真空石英管中合成了大尺寸单晶Bi2Se3纳米片、纳米带。通过XRD、EDS、Raman、SEM等手段对Bi2Se3纳米片、纳米带的物相结构、组成、表面形貌等进行表征。测试结果表明：气相传输法合成的单晶Bi2Se3纳米片、纳米带相纯度高,结晶性能好,均是{001}取向;Bi2Se3纳米片水平尺寸大,约为15--180μm;Bi2Se3纳米带长度达860μm,宽度约5μm。根据不同温度下制备的Bi2Se3纳米片、纳米带SEM照片及其不同方向结合能的差异,分析了其可能的生长机制：在较高温度下沿〈001〉和〈1010〉方向生长速度快,生成大尺寸单晶Bi2Se3纳米片;在较低温度下,沿〈1120〉方向生长速度快,生成大尺寸单晶Bi2Se3纳米带。这些研究结果完善了大尺寸Bi2Se3纳米材料的制备工艺,有望在微电子器件领域得到商业化应用。; 李小帅王增梅朱鸣芳王善朋陶绪堂陆骏陈兴涛徐佳乐

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国家自然科学基金(51002029)