广东省科技计划工业攻关项目(2002A1070304)
- 作品数：9 被引量：13H指数：2
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- 相关机构：广州大学茂名学院安徽大学更多>>
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- SnO_2-K_2O-LiZnVO_4系材料湿敏性能及导电机理的研究被引量：3
- 2006年
- 采用共沉淀法制备出SnO2-K2O-LiZnVO4系湿敏粉体,考察了液相掺杂K+对材料湿敏特性的影响,并用直流特性法对材料的导电机理进行了分析。实验结果表明,适当的K+液相掺杂可使材料具有低湿电阻小,灵敏度适中的特性。直流特性法分析表明,材料属电子-离子混合导电机制,且离子电导成分越多材料的湿敏特性越好。
- 胡素梅陈海波傅刚
- 关键词：导电机理
- 铈掺杂WO_3纳米材料气敏特性研究被引量：7
- 2007年
- 以金属W粉为原料采用溶胶—凝胶法制得纳米级WO3粉体,探讨了不同CeO2添加量对气敏特性的影响。CeO2掺杂WO3材料对挥发性有机化合物(VOCs)气体灵敏度有显著提高,而器件的工作温度有所降低。FE—SEM测试结果说明:CeO2掺杂对晶界的移动形成某种"钉扎"效应,使晶粒减小,比表面积增大。复阻抗谱分析认为,Ce4+主要存在于晶界,使晶界电阻增大,晶界电容减小,提高了WO3材料的气敏特性。
- 罗世钧傅刚陈环洪求三
- 关键词：溶胶-凝胶法三氧化钨
- SnO_2-LiZnVO_4系纳米湿敏陶瓷湿敏特性研究被引量：2
- 2006年
- 采用共沉淀法制备出SnO2-L iZnVO4系纳米湿敏粉体,考察了液相掺杂L iZnVO4对材料湿敏特性的影响,并从氧化物表面的吸附理论出发,给出了反映湿敏特性的微观参数n值,湿敏线性越好的材料其微观参数n值与0.5越靠近。实验结果表明:适当的L iZnVO4液相掺杂可使材料具有低湿电阻小、灵敏度适中的特性。理论计算得到的阻湿特性参数与实验结果符合得很好。
- 胡素梅傅刚陈海波
- 关键词：湿敏特性
- LiZnVO_4添加量对Zn_2SnO_4系湿敏材料性能的改善被引量：1
- 2006年
- 采用共沉淀法制备了Zn2SnO4-LiZnVO4系纳米粉体,考察了液相掺杂LiZnVO4对材料微结构、湿敏性能的影响,分析了材料的复阻抗特性和频率特性。结果表明,适当的LiZnVO4添加量可明显改善Zn2SnO4-LiZnVO4系纳米材料的微结构和感湿特性。采用共沉淀法制备纳米粉体并使LiZnVO4液相掺杂为10%(摩尔分数),可使Zn2SnO4材料具有低湿电阻小、灵敏度适中的湿敏特性,频率特性表明该材料具有较好的频率响应。
- 胡素梅傅刚陈海波孟凡明
- 关键词：复阻抗特性频率特性
- Ag掺杂的SnO_2酒敏薄膜敏感特性研究被引量：1
- 2007年
- 采用非醇盐溶胶—凝胶工艺在A l2O3基片上旋转涂敷制得掺Ag的SnO2薄膜。原子力显微镜和扫描电子显微镜分析显示:薄膜晶粒呈球形,600℃热处理粒径为20 nm左右。热处理温度升高,晶粒尺寸增大。气敏性能采用静态法测试,掺Ag薄膜对体积分数为50×10-6乙醇和汽油气体的灵敏度分别为32.7和4.9,与未掺Ag薄膜的14.4和7.2相比较,提高了乙醇气体灵敏度,抑制了汽油气体灵敏度,使选择性得到改善。直流加热条件下,试样电阻和电容在老化初期变化较大,数天后趋于稳定,复阻抗分析表明:长期稳定性与晶粒间界处电阻和电容值的变化有关,来源于晶界势垒高度和势垒宽度的变化,其本质可能是直流偏压作用下晶界层中的离子迁移。
- 洪求三傅刚陈环罗世钧
- 关键词：SNO2薄膜溶胶-凝胶AG掺杂
- SnO_2气敏元件中无机粘接剂的作用和影响
- 2004年
- 研究SnO2气敏材料中起粘接剂作用的Bi和Si掺杂对器件电阻、灵敏度及长期稳定性的影响。研究表明:与Bi掺杂相比,添加富含Si的无机粘接剂能大大提高敏感膜的粘接强度,器件电阻适中,对灵敏度的影响不大,而且材料在820℃下烧结2h,仍能获得10nm以下的晶粒尺寸,说明Si不仅起粘接剂作用,也能明显抑制SnO2晶粒长大,高温烧结将有利于改善器件的长期稳定性。
- 吕平傅刚陈环丁志文
- 关键词：气敏元件粘接强度纳米粉体
- SnO_2-LiZnVO_4系湿敏材料湿敏特性及介电特性被引量：1
- 2007年
- 采用尿素共沉淀法制备SnO2纳米粉体,考察了液相掺杂LiZnVO4对其湿敏性能的影响,测试了材料的电抗特性、电容量特性和响应–恢复特性。结果表明,采用尿素共沉淀法制备SnO2纳米粉体,液相掺杂x(LiZnVO4)为10%时,可使材料具有较好的湿敏性能和响应–恢复特性,响应时间和恢复时间都为55s左右。测试频率对材料的电抗和电容量影响很大。
- 胡素梅陈海波傅刚
- 关键词：电子技术电抗特性
- K^+掺杂对SnO_2-LiZnVO_4系湿敏陶瓷性能的影响
- 2004年
- 为了提高 SnO_2-LiZnVO_4系湿敏材料的性能,采用共沉淀法制备出 SnO_2-K_2O-LiZnVO_4系纳米湿敏粉体。考察了液相掺杂 K+对材料湿敏性能、复阻抗特性和电容特性的影响。实验结果表明,采用共沉淀法制备纳米粉体并使K+液相掺杂量为 2.5%(摩尔分数),可使湿敏材料低湿电阻小、灵敏度适中,适当的 K+添加量可明显改善 SnO_2-LiZnVO_4系纳米材料的感湿特性。
- 胡素梅陈海波傅刚
- 关键词：复阻抗特性电容特性
- 烧结工艺对SnO_2-LiZnVO_4系纳米湿敏材料性能的影响
- 2007年
- 采用共沉淀法制备出SnO2-LiZnVO4系纳米粉体,考察了烧结工艺对材料微结构、湿敏特性和电容特性的影响。实验结果表明,适当的烧结工艺可明显改善纳米材料的微结构和感湿特性,采用共沉淀法制备SnO2-LiZnVO4系纳米粉体并选择好烧结温度,可使材料具有棒状晶粒微结构及低湿电阻小、灵敏度适中的湿敏试样。
- 胡素梅陈海波傅刚孟凡明
- 关键词：共沉淀法微结构电特性
