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国家自然科学基金(SQ2007AA03Z431230)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：高伟沈光地邓琛蒋文静徐晨更多>>
相关机构：北京工业大学更多>>
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相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇等离子体
  • 1篇形貌
  • 1篇形貌控制
  • 1篇英文
  • 1篇刻蚀
  • 1篇GAP
  • 1篇ICP刻蚀

机构

  • 1篇北京工业大学

作者

  • 1篇徐晨
  • 1篇蒋文静
  • 1篇邓琛
  • 1篇沈光地
  • 1篇高伟

传媒

  • 1篇纳米技术与精...

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
ICP刻蚀GaP表面形貌控制(英文)被引量：1
2010年
不同角度的GaP表面形貌刻蚀主要依赖于刻蚀参数的调节以及光刻胶的形貌,但要得到能够重复的光刻胶形貌是很困难的.研究了如何通过调节感应耦合等离子(ICP)刻蚀仪器本身的参数,而不依赖于不定的光刻胶形貌来得到可重复的表面形貌.通过研究可知,射频功率与腔室压强是影响表面形貌的最重要的两个参数.射频功率越小刻蚀得到的角度越大,腔室压强越大刻蚀得到的角度也越大.通常BCl3等离子体被用来作为GaP的刻蚀气体,但为了维持所需的等离子浓度以及更大的操作压强,Ar被加入刻蚀气体中.
蒋文静徐晨邓琛高伟沈光地
关键词：等离子体
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