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国家部委预研基金(51308040103)

作品数：1 被引量：7H指数：1
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电路
  • 1篇电路设计
  • 1篇静电放电
  • 1篇保护电路
  • 1篇CMOS工艺
  • 1篇ESD保护

机构

  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 1篇刘红侠
  • 1篇刘青山

传媒

  • 1篇西安电子科技...

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
0.18μm CMOS工艺下的新型ESD保护电路设计被引量：7
2009年
为了有效地保护0.18μm CMOS工艺下箝位器件的栅极,设计了一款新型的电源和地之间的静电保护电路.该电路在检测电路部分加了一个NMOS反馈器件,同时在检测电路的下一级使用了动态传输结构.反馈器件能够提高电路中各器件工作状态的转换速度,使得保护电路能够及时关闭,避免箝位器件栅极电流保持过长时间,保护了箝位器件的栅极.此外,该电路采用0.18μm CMOS工艺下的普通器件,节省了电路的成本.
刘红侠刘青山
关键词：静电放电保护电路
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共1页<1>
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