北京市自然科学基金(2052014)
- 作品数：3 被引量：6H指数：2
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- 相关领域：理学一般工业技术电气工程更多>>
- 具有垂直各向异性(Pt/Co)_n/FeMn多层膜的交换偏置被引量：2
- 2006年
- 采用磁控溅射方法制备了以Pt为缓冲层和保护层的具有垂直各向异性(Pt/Co)n/FeMn多层膜.研究结果表明,多层膜的垂直交换偏置场Hex和反铁磁层厚度的关系与其具有平面各向异性的交换偏置场随反铁磁层厚度变化趋势相近.随着铁磁层调制周期数的增加,垂直交换偏置场Hex相应减小,并且与铁磁层的调制周期数近似成反比关系.(Pt/Co)3/FeMn的垂直交换偏置场Hex已经达到22·3kA/m.为了进一步提高Hex,在Co/FeMn的界面插入Pt层,当Pt层厚度为0·4nm时,Hex达到最大值39·8kA/m.
- 翟中海滕蛟李宝河王立锦于广华朱逢吾
- 关键词：交换偏置多层膜
- 具有垂直各向异性的Co/Pt多层膜中各Co层之间铁磁性耦合被引量：1
- 2006年
- 使用磁控溅射法制备了一系列具有不同Pt中间层厚度的glass/NiO(1nm)/[Co(0.4nm)/Pt(0.5nm)]3/Pt(xnm)/[Co(0.4nm)/Pt(0.5nm)]3样品并对Co层之间的铁磁性耦合强度进行了测量.整体磁滞回线和局部磁滞回线的测量结果表明,上下两层Co/Pt多层膜之间的铁磁性耦合强度随着Pt中间层厚度的增加单调减小,当Pt中间层厚度超过4nm时铁磁性耦合消失.除了上下两层Co/Pt多层膜之间通过Pt中间层产生的铁磁性耦合作用之外,它们之间也存在弱的次耦合作用,这导致底层出现宽的磁滞.
- 韩刚于广华柳忠元
- 关键词：垂直磁各向异性矫顽力磁滞回线
- Pt插层对NiFe/FeMn薄膜交换耦合的影响被引量：3
- 2008年
- 采用磁控溅射方法制备了以Pt为缓冲层和保护层的NiFe/FeMn薄膜。在NiFe/FeMn界面插入Pt,发现交换偏置场(Hex)随着插层Pt厚度(tPt)的增加而减小。一个重要的现象是当Pt插层厚度为0.4nm时,在Hex-tPt衰减曲线并非单纯指数下降,而是出现一个"凸起"。通过对样品磁矩随Pt插层厚度的变化规律进行分析,发现随Pt插层厚度的增加,样品的磁矩先逐渐增大,然后又有所下降,并且稳定在某一值;表明在样品制备过程中,NiFe与FeMn之间的相互作用(如界面反应),使得在NiFe/FeMn界面存在磁死层,Pt的插入抑制了NiFe/FeMn界面磁死层的产生,有利于交换耦合;另一方面,Pt的插入隔离了NiFe和FeMn的直接接触,使得FeMn对NiFe的钉扎作用减弱,不利于交换耦合。两个方面的共同作用,使得当Pt插层为某一合适厚度时,Hex-tPt曲线出现"凸起"。
- 金川刘洋李明华于广华
- 关键词：交换耦合
